2022年IC制作流程 .pdf
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1、1. IC 之生產流程,從線路設計光罩製作晶圓加工製造晶圓測試晶片切割、封裝 =、後段測試而產出最終成品。2. IC 製造業的角色係定位在晶圓加工製造階段(亦即以擁有晶圓加工製造廠之公司為主)。其製程技術是指:綜合氧化、擴散、顯影、蝕刻、薄膜,及離子植入等反覆製程,並整合微影技術、光阻處理技術、蝕刻技術、帄坦化技術、擴散與植入技術、薄膜技術及製程控制技術所構成之技術系統【5,6】 。其主要生產設備有:微影設備、蝕刻設備、化學氣相沈積(CVD) 、離子植入設備、物理氣相沈積(PVD) 、化學機械式研磨(CMP) ,及快速熱處理設備 (RTP) 。若以建造一座滿載規劃為每月二萬五千片左右的八吋廠而
2、言,其投資金額約為十億美元。這其中生產設備佔絕大部分,約有七成五左右(約為七億五千萬美元) 。根據工研院機械所【 8】之資料顯示,上述主要設備之成本支出約佔總生產設備支出成本的 56左右(約為四億二千萬美元) 。如此貴重且精密之設備,國內目前並沒有自製能力,而全部掌握在美、日兩國手上。3. 對 IC 封裝業而言製程技術則是指 :綜合晶圓切割 、黏晶、銲線 (此三者亦稱為前段製程)、封 膠、剪切/成型、印字及檢測技術 (此四者亦稱為後段製程) 所構成之技術系統【 7】 。主要設備則包括:晶片切割機、晶片黏著機、銲線機、塑模機、成型機、蓋印機,及檢視機 /腳位檢測機。有關上述設備之供應來源,由於國
3、資設備廠大多集中在後段製程設備之供應,因此對封裝業者而言,前段製程所需之設備唯有依賴進口一途。同時,在對國產設備之穩定性及精密度信心不足之情況下,4. 光罩的製作材料光罩廠在拿到 IC 設計公司所設計的程式檔案後便開始光罩的製作,在光罩廠工程師收到 IC 設計公司 X Chip 的程式檔案後, 第一個動作就是進行轉檔 , 將 X Chip程式檔案送交光罩廠的Tooling Planning 的部門,將原本的 IC 設計檔案轉換成光罩設備可判讀的 MEBS 語言的檔案格式,光罩的製作設備再利用曝光機上的雷射光將 X Chip 線路圖打在光罩的製作材料石英玻璃上。光罩的製作材料並不是只有石英玻璃一
4、種,目前較常被使用的光罩製作材料有蘇打玻璃、乳劑光罩、石英玻璃三種,蘇打玻璃是810年前的主流材料,但是目前幾乎已被石英玻璃所取代,現在只剩5%還在使用蘇打玻璃。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 8 页 - - - - - - - - - 在光罩廠所使用的石英玻璃,上面會鍍上一層黑色的鉻及氧化鉻 ,雷射光便是將X Chip 線路圖打在石英玻璃的鉻上,以形成在IC 製造時所需的線路 ,而氧化鉻最主要的功能是 保護鉻,以防止鉻暴露於空間中而被氧化。依每家 IC
5、製造廠的製造設備不同,所需的石英玻璃厚度規格也大不相同,所以IC 設計公司在委託光罩廠製作光罩之前,必須確認將來產品是由那家晶圓廠代工生產, 目前大多數晶圓廠所需石英玻璃的厚度規格可分為250mils、150mils、90mils 等(圖 1)(mil 是美國計算線直徑的單位,1mil 為 1/1000 英吋)。在看 X Chip 的 Data Sheet規格書時,不難發現Data Sheet會說明 X Chip 是幾層的金屬製程,在 X Chip 的剖面圖上,可以發現,在薄薄的晶片中居然包括好幾層的金屬層和氧化層等,就像我門常聽到的三層PCB、四層 PCB,也是在一片PCB 中內夾了好幾層銅
6、電路。一樣的,因為X Chip 每一層的線路都不一樣而製作一個光罩,所以每一層就需一個光罩,光罩廠會將晶圓廠製作IC 時所需的每一層光罩,全部都放在同一片石英玻璃上。在晶圓廠的IC 製程中,會將石英玻璃置於步進機上,光罩都會在晶圓上經過曝光、微影、蝕刻等步驟,周而復始,直到每個光罩都完成這道製程。所以為了製程的緣故,光罩廠會將所有的光罩放在同一片石英玻璃上 (圖 2)。在晶圓廠中依所生產產品的不同,大約粗略可分為ASIC 和 MEMORY 兩種,生產 ASIC 和 MEMORY 所需的生產設備及流程都不相同,製造MEMORY 的晶圓廠如果想轉為生產ASIC 就必須得再添購或更換部份設備,但是對
7、於光罩來說,不管是 ASIC 或 MEMORY 還是砷化鎵,光罩製作的流程和材料都一樣。65. 光罩製程光罩製程中,首先曝光機利用雷射光將線路圖打在石英玻璃上的這一道程序便是稱為曝光,目前曝光的技術系統可以分為利用雷射光和電子束。光罩曝光的觀念就是和照片的曝光是一樣的,所不同的是,照相是利用自然光將影像曝光於底片上,利用顯影溶劑和相片沖洗技術,將底片上的影像顯示出來,然後再將影像轉印至相紙上。而在半導體的光罩製造技術上,是利用曝光機的雷射光或電子束將X Chip 的線路圖曝光於石英玻璃上,使石英玻璃上的鉻層,出現和X Chip 線路圖一樣的電路,之後,光罩廠的工程師使用顯影劑顯影,把電路圖在鉻
8、層上顯示出來,再利用蝕刻等技術 ,在鉻層上將電路圖的部份蝕化掉 ,重複作業直至 X Chip上的每一層製程光罩都曝光、顯影、蝕刻完畢,完成光罩後送交晶圓廠,晶圓廠便將光罩上的 X Chip 線路圖轉印到矽晶圓上,而生產成一顆顆的X Chip。在曝光的程序中,光罩廠會將光罩的尺寸放大較原IC 實際尺寸的 5 倍(圖 3),原名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 8 页 - - - - - - - - - 因是在晶圓廠的微影製程中,會將IC 光罩送至黃光室進行矽晶圓
9、的曝光,在曝光的過程中,黃光會產生聚焦的作用,使透過光罩而落在矽晶圓的影像發生縮小的現象,所以在光罩的製作過程中,對於 IC 光罩尺寸就必須把黃光聚焦的情況考慮進去。比例上,通常晶圓廠若是使用6 吋晶圓生產時,光罩廠便會將IC 光罩作成 5 吋的大小, 8 吋晶圓生產時光罩則是作成6 吋,若是晶圓廠使用最先進的 12 吋晶圓,光罩的尺寸就會被作成9 吋(表 1)。光罩在經過一連串的生產過程後,所完成的光罩,仍無法確定是否會和原設計相符合,所以和所有流程一樣都必須經過驗證的程序,光罩在完成製作後,就必須送到檢驗的部門進行量CD 的動作,光罩廠的工程師會利用各種儀器來測量光罩上 IC 的 Crit
10、ical Dimension,而再接下來的檢驗動作便是檢查光罩上的電路是否和原設計相吻合, 目前有兩種檢驗光罩的作法,一是Die to Die,另外一個就是Die to Database ,所謂 Die to Die 的檢驗方法是將光罩上的電路和IC 設計公司所試作的樣品 IC 相比對,找出光罩在曝光、顯影或蝕刻的製作過程中所造成的失誤,而 Die to Database就是光罩廠將製作完成的光罩和IC 設計公司所送來的Database作比對,藉此保證光罩的正確性。製作技術的限制隨著晶圓廠的 IC 製造技術的細微化,相對的光罩廠也必須提昇本身的生產技術,目前, 光罩廠的最大量產技術層次是落在0
11、.50.35微米之間,而對於0.35微米以下的技術就顯得困難許多,包括光罩材料的使用都將是一個問題,現階段光罩廠對於 0.35 微米以下的製程,在材質上大多都改用稱為相位移轉光罩(PSM;Phase Shift Mask) 的材料,主流製程明年將會進步到0.25 微米。和所有 的技術瓶頸一樣,光罩製造技術也是有瓶頸存在,現行的光罩製作技術最大的範圍只能克服到 0.18 微米的製程 ,今天的光罩顯影、蝕刻技術再加上雷射光的限制,都不足以應付比 0.18微米更細微的製程名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 -
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