2022年2022年集成电路制造相关术语 .pdf

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1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)3. ACCESS：一个 EDA（Engineering Data Analysis）系 统6. Align mark(key)：对位标记9. Ammonia 氨10. Ammonium fluoride氟 化铵11. Ammonium hydroxide氢 氧化铵12. Amorphoussilicon： -Si，非 晶硅（不是多 晶硅）13. Analog： 模拟的14. Angstrom15. Anisotropic：各向异性 （如 POLY ETCH16. AQL(Acceptan

2、ce Quality Level)：接受质量 标准，在一定采 样下，可以 95% 臵信度通 过质量 标准（不同于 可靠性，可靠性 要求一定时间后 的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层 （用于 METAL 等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑22. Arsine24. Aspect ration：形貌比（ETCH 中的深度、 宽度比）25. Auto doping： 自搀杂（外延时 SUB 的 浓度高，导致有 杂质蒸发到环 境中后，又回掺 到外延 层）28. Benchmark：基准30. Boat：扩 散用（石英） 舟32. Charac

3、ter window： 特征窗口。 用文字 或数字描述的包 含工艺所有特性 的一个方形区 域。36. CIM： computer-integrated manufacturing 的缩写。用 计算机控制和 监控制造工艺的 一种综 合方式。39. Compensation doping： 补偿掺杂。 向 P 型 半导体掺入施主 杂质或向 N 型掺入受主杂质 。40. CM OS：complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一 种将 PM OS和 NM OS在同 一个硅衬底上 混合制造的工艺 。41. Computer-aideddesign（CAD）：

4、计 算机辅助设计。42. Conductivity type：传导类 型，由多数载流 子决定。在 N 型材料中多 数载流子是电子 ，在 P 型材料中多数 载流子是空穴。43. Contact：孔。在 工艺中通常指孔 1， 即连接铝和硅的 孔。44. Control chart：控制图。一 种用统计数据 描述的可以代表 工艺某种性质的 曲线图表。45. Correlation：相关性。46. Cp： 工艺能力，详 见 processcapability。47. Cpk：工艺能力指数，详见 processcapability index。48. Cycle time：圆 片做完某段工艺或设定工艺段

5、所 需要的时间。49. Damage：损伤 。50. Defect density：缺陷密度。单位面积内 的缺陷数。51. Depletion implant：耗尽注入。一 种在沟道中注入 离子形成耗尽晶体管的注入工艺 。 （ 耗尽晶 体管指在栅压 为零的情况下有 电流流过的晶体 管。）52. Depletion layer：耗尽层。可动载流 子密度远低于施 主和受主的固 定电荷密度的区 域。 53. Depletion width：耗尽宽度。55. Depth of focus（DOF）：焦深。56. design of experiments(DOE)：为了达 到费用最小化 、降低试验错误

6、、以 及保证数据结 果的统 计合理性等目 的，所设计的初 始工程批试验计 划。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 10 页 - - - - - - - - - 58. developer：）显影 设备； ）显影液59. diborane (B2H 6)：乙 硼烷，60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲， 一种无色，不可 燃，不可爆的 液体。61. dichlorosilane (DSC)： 二氯甲硅烷，一 种可燃，有腐蚀 性，无色，在

7、 潮湿环境下易水 解的物 质， 常用于硅外延或 多晶硅的成长， 以及 用在沉积二氧化 硅、 氮化硅时的化学气氛中。062. die：硅 片中一个很小 的单位，包括了设 计完整的单个芯 片以及芯片邻 近水平和垂直方 向上的 部分划片槽区 域。63. dielectric：）介质，一 种绝缘材料；64. diffused layer：扩散层 ，即杂质离子通 过固态扩散进入 单晶硅中，在 临近硅表面的区 域形成 与衬底材料反 型的杂质离子层 。65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种 无色、无腐蚀性、极易 燃的气体，燃烧 时能产生高火焰 ，暴露 在空气中会自 燃。在生产光电 单元时，乙

8、硅烷 常用于沉积多晶 硅薄膜。66. drive-in68. effectivelayer thickness：有效层厚，指在外延片制造 中，载流子密度 在规定范围内的 硅锭前 端的深度。69. EM：electromigration， 电子迁移，指 由通过铝条的电 流导致电子沿铝 条连线进行的 自扩散 过程。70. epitaxial layer：外延层 。75. feature size：特征尺寸，指 单个图形的最 小物理尺寸。76. field-effect transistor（FET）：场效应管 。包含源、漏、 栅、衬四端。78. flat：平边79. flatband capaci

9、tanse：平带 电容80. flatband voltage：平带电 压81. flow coefficicent：流动系 数82. flow velocity：流速 计83. flow volume：流量计 ,84. flux：单位时 间内流过给定面 积的颗粒数85. forbidden energy gap：禁带86. four-point probe：四点 探针台87. functional area： 功能区89. glasstransition temperature：玻璃态转 换温度90. gowning：净化 服91. gray area：灰区92. grazing incid

10、ence interferometer：切线 入射干涉仪93. hard bake：后烘94. heteroepitaxy：单晶长在不 同材料的衬底上 的外延方法95. high-current implanter： 束电流大于 3ma 的注入方 式，用于批量生产96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高 效率空气颗粒 过滤器，去掉 99.97% 的 大于 0.3um 的颗粒 !97. host：主机98. hot carriers：热载流子99. hydrophilic：亲水性100. hydrophobic：疏水性101. impu

11、rity：杂质 . 掺杂名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 10 页 - - - - - - - - - 102. inductivecoupled plasma(ICP)：感应等离子 体103. inert gas：惰性气体104. initial oxide： 一氧105. insulator：绝缘106. isolated line： 隔离线109. junction : 结110. junction spiking n :铝穿刺111. kerf :划

12、片 槽113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 设备产 能116. majority carrier n :多数载 流子117. masks, device seriesof n : 一成套光刻版118. material n :原 料119. matrix n 1 :矩 阵120. mean n : 平均值122. median n :中间值123. memory n : 记忆体125. nanometer (nm) n ：纳米126. nanosecond (ns) n ：纳秒127. nitride etch n ：氮化

13、物刻蚀130. ohmsper square n：欧姆每平方: 方 块电阻131. orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向132. overlap n ： 交迭区134. phosphorus(P) n ：磷 ， 一种有毒的非金 属元素135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n：反刻137. images：去掉图 形区域的版138. photomask, positive n：正 刻139. pilot n ：先 行批，用以验 证该工艺是否符 合规格的片子142. plasma-enhancedTEOS oxid

14、e deposition n：TEOS 淀积， 淀积 TEOS的 一种工艺143. pn junction n：pn 结144. pocked bead n：麻点，在 20X 下观察到的吸附在低压表 面的水珠145. polarization n： 偏振，描述电 磁波下电场矢量 方向的术语146. polycide n：多晶硅 /金属硅化 物， 解决高阻的复合 栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺 杂（5E19）的硅 ，能导电。148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化 合物以至少两 种不同的形态结 晶的现象1

15、49. prober n :探针。 在集成电路的 电流测试中使用 的一种设备， 用以连接圆片和检测设备 。150. processcontrol n :过程控制。半 导体制造过程中 ，对设备或产品规范的控制能力 。 151. proximity X -ray n :近 X 射线：一 种光刻技术，用 X 射线照 射臵于光刻胶上 方的掩 膜版， 从而使对应的 光刻胶暴光。152. purewater n : 纯水。 半导体生产中所 用之水。153. quantum device n :量子设备。一种电子设备 结构，其特性 源于电子的波动 性。154. quartz carrier n :石英舟 。

16、155. random accessmemory(RAM ) n :随 机存储器。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 10 页 - - - - - - - - - 156. random logicdevice n :随机逻辑 器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理 (RTP)。159. reactor n :反应腔。反 应进行的密封隔离腔。162. scanning electron microscop

17、e (SEM ) n :电子显 微镜(SEM )。163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。164. Schottky barrier diodesn :肖特基二极 管。165. scribeline n :划片槽 。166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。用以 衡量半导体表面 杂质掺杂水平 。169. side load: 边缘载荷， 被弯曲后产生的 应力。170. silicon on sapphire(SOS)epitaxi

18、al wafer:外 延是蓝宝石衬底 硅的原片171. small scale integration(SSI ):小 规模综合，在单 一模块上由 2 到 10 个 图案的布局。172. source code:原代码173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在 焦平面上捕捉 到的狭长状的图 形。174. spin webbing: 旋转带， 在旋转过程中 在下表面形成的细丝状的剩余物 。 (176. stacking fault:堆垛层错，原子 普通堆积规律 的背离产生的 2 次空间错误。177. steam bath:蒸 汽浴，一个大气压下，流动蒸汽 或其他温度热

19、源的暴光。178. step response time:瞬 态特性时间，大 多数流量控制器 实验中，普通变 化时段到气流 刚到达 特定地带的那 个时刻之间的时 间。179. stepper: 步进 光刻机（按 BLOCK 来曝光）180. stresstest: 应力 测试，包括特 定的电压、温度 、湿度条件。181. surfaceprofile:表面轮廓，指与原片表面 垂直的平面的轮 廓（ 没有特指的情 况下）。 , -182. symptom:征 兆，人员感觉 到在一定条件下 产生变化的弊病 的主观认识。183. tack weld:间断焊，通常 在角落上寻找预 先有的地点进行 的点焊

20、（用于 连接盖子）。184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈 土组成的高膨胀 物质。185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重 复出现相类似 的高低温循环。186. testability:易测性，对 于一个已给电路 来说，哪些测 试是适用它的。187. thermal deposition:热沉积 ，在超过 950 度的高温下，硅 片引入化学掺杂物的过程。189. titanium(Ti): 钛。190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有 毒、无色易燃的 液体，它不溶 于水但溶于酒精 和大气。191. 1,1,1-trichloroethan

21、e(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不 易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混 合物不溶于水 但溶于酒精和大 气。193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡 黄色液体。在 CVD 中WF6 用于淀积 硅化物，也可 用于钨传导的薄 膜。194. tinning: 金属性 表面覆盖焊点的 薄层。195. total fixed chargedensity(Nth): 下 列是硅表面不 可动电荷密度的 总和： 氧化层固定电 荷密度(Nf)、氧化层俘获的 电荷的密度(Not)、界面负 获得电荷密度(Nit)。196. watt(W): 瓦。能量单

22、位 。197. wafer flat: 从晶 片的一面直接 切下去， 用于表明自由载 流子的导电类 型和晶体表面的 晶向， 也可用于在处 理和雕合过程中 的排列晶片。203. window: 在 隔离晶片中，允 许上下两层实现电连接的绝缘的 通道。205. vapor pressure: 当固 体或液体处于平 衡态时自己拥有 的蒸汽所施加 的压力。蒸汽压 力是与 物质和温度有 关的函数。207. transition metals: 过渡金属名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - -

23、 第 4 页，共 10 页 - - - - - - - - - PAC 感光化合 物ASIC 特殊 应用集成电路Solvent 溶 剂 :Carbide 碳Refractive 折射Expansion 膨胀TM : top mental 顶层金属层WEE 周边曝光POD 装晶舟和晶片的盒子Reticle 光罩Spin 旋转A/D 军 Analog.Digital, 模拟/数字AC M agnitude 交流幅 度AC Phase 交流相位Accuracy 精 度Activity M odelActivity M odel 活动模型Additive Process 加成工艺Adhesion 附

24、着力Aggressor 干扰源Analog Source 模拟源AOI,Automated Optical I nspection 自动光 学检查Assembly V ariant 不同的装配版本输出Attributes 属性AXI,Automated X-ray Inspection 自动 X 光检查BIST,Built-in Self Test 内建的 自测试BusRoute 总线布线Circuit 电路 基准 .circuit diagram 电 路图Clementine 专 用共形开线设 计Cluster Placement 簇布局CM合约制造商Common Impedance 共模阻

25、 抗Concurrent 并行设计Constant Source 恒压源Cooper Pour 智能 覆铜Crosstalk 串扰CVT,Component Verification and Tracking 元 件确认与跟踪DC M agnitude 直流幅 度Delays 延时Design for Testing 可测试性设 计Designator 标识DFC, Design for Cost 面 向成本的设计名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 10 页

26、- - - - - - - - - DFM ,Design for M anufacturing 面向制造过 程的设计DFR, Design for Reliability 面向 可靠性的设计DFT, Design for Test 面向 测试的设计DFX, Design for X 面向产品 的整个生命周期 或某个环节的 设计DSM ,Dynamic Setup M anagement 动态设 定管理Dynamic Route 动 态布线EDIF,TheElectronic Design Interchange Format 电子设计 交互格式EIA,Electronic Industrie

27、sAssociation 电子 工业协会ElectroDynamic Check 动态电性能分析Electromagnetic Disturbance 电磁干 扰Electromagnetic Noise 电磁噪声EM C, ElctromagneticCompatibilt 电磁兼容EM I, ElectromagneticInterference 电磁干 扰Emulation 硬件仿 真Engineering Change Order 原理 图与 PCB 版图的自动对应修改Ensemble 多层平面电磁 场仿真ESD 静电释放Fall Time 下降时间FalseClocking 假时钟F

28、EP 氟化乙丙 烯FFT,Fast Fourier Transform 快速傅 里叶变换Float License 网 络浮动Frequency Domain 频域Gaussian Distribution 高斯分布Global flducial 板基准Ground Bounce 地弹反射GUI, Graphical User Interface 图形用户界 面Harmonica 射 频微波电路仿真HFSS 三维高频结 构电磁场仿真IBIS, Input/Output Buffer Information Specification 模型ICAM, Integrated Computer Ai

29、ded M anufacturing 在 ECCE 项目里就是指制作 PCB $IEEE, TheInstitute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工 程师协会IGES, Initial GraphicsExchange Specification 三维立体几何 模型和工程描述的标准Image Fiducial 电路 基准Impedance 阻抗 !In-Circuit-Test 在 线测试Initial Voltage 初始电压Input Rise Time 输入跃升时 间 IPC,The Institute for Packag

30、ing and Interconnect 封装与互连协会IPO,Interactive ProcessOptimizaton 交互过程优化 *ISO,The International StandardsOrganization 国际标准 化组织Jumper 跳线Linear Design Suit 线性设 计软件包Local Fiducial 个别基准名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 10 页 - - - - - - - - - manufacturing

31、 制造 业MCM s,M ulti-Chip M odules 多芯片组件MDE,M axwell Design EnvironmentNonlinear Design Suit 非线性设计软 件包ODB+ Open Data Base 公开数据库OEM原设备制造商OLE Automation 目 标连接与嵌入On-line DRC 在线 设计规则检查Optimetrics 优化和参数扫描Overshoot 过冲Panel fiducial 板基准PCB PC Board Layout Tools 电路板 布局布线PCB, Printed Circuit Board 印制电路板Period 周

32、期PeriodicPulse Source 周 期脉冲源Physical Design Reuse 物理设计可 重复PI,Power Integrity 电源完 整性Piece-Wise-linear Source 分段线 性源Preview 输出预览PulseWidth 脉冲宽度Pulsed V oltage 脉冲电 压Quiescent Line 静态 线Radial Array Placement 极坐标方式 的元件布局Reflection 反射Reuse 实现设计重 用Rise Time 上升时 间Rnging 振 荡,信号的振 铃Rounding 环绕振荡RulesDriven 规则

33、 驱动设计Sax Basic Engine 设计 系统中嵌入SDE,Serenade Design EnvironmentSDT,Schematic Design Tools 电路原理 设计工具Settling Time 建 立时间Shape Base 以 外形为基础的 无网格布线Shove 元器件的推 挤布局SI,Signal Integrity 信号完整 性Simulation 软件 仿真Sketch 草图法 布线Skew 偏 移Slew Rate 斜率SPC,Statictical ProcessControl 统计 过程控制SPI,Signal-Power Integrity 将信号

34、完整性和电源完 整性集成于一 体的分析工具SPICE,Simulation Program with I ntegrated Circuit Emphasis 集 成电路模拟的仿 真程序 /Split/M ixed Layer 多电源/地线的自动分隔名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 10 页 - - - - - - - - - SSO 同步交 换STEP,Standard for the Exchange of Product M odel DataSymp

35、hony 系统仿 真Time domain 时 域Timestep Setting 步进时 间设臵 .UHDL,V HSIC Hardware Description Language 硬 件描述语言Undershoot 下冲Uniform Distribution 均匀 分布Variant 派生VIA-Vendor Integration Alliance 程序框 架联盟Victim 被干扰 对象Virtual System Prototype 虚 拟系统原型VST,V erfication and Simulation Tools 验证和仿真工具Wizard 智能建库工具,向导2. 专业术

36、语术语 英文意义 中 文解释LCDLiquid Crystal Display液晶 显示LCMLiquid Crystal M odule液晶模块TNTwisted Nematic扭 曲向列。液晶分 子的扭曲取向 偏转 90 度STNSuper Twisted Nematic超级 扭曲向列。约 180 270 度扭曲向列FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭 曲向列。 一层光程补 偿偏甲于 STN，用于 单色显示TFTThin Film Transistor薄膜 晶体管Backlight - 背光Inverter - 逆变器OSDOn Scre

37、en Display在屏上 显示DVIDigital Visual Interface （VGA）数 字接口TM DS Transition M inimized Differential SingnalingLVDS Low V oltage Differential Signaling 低压 差分信号Panelink -TCP Tape Carrier Package 柔性 线路板COB Chip On Board 通过绑定将 IC 裸偏固定于 印刷线路板上COF Chip On FPC 将 IC 固定 于柔性线路板 上COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上Duty - 占

38、空比， 高出点亮的阀值电压的部分在一 个周期中所占 的比率EL ElextroLuminescence 电致发光。EL 层由高 分子量薄片构成CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光 灯PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏CRT CathodeRadial Tude 阴极射线管VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列PCB Printed Circuit Board 印刷 电路板Composite video - 复合视频component video - 分量视频名师资料总结 - -

39、-精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 10 页 - - - - - - - - - S-video - S端子，与复 合视频信号比， 将对比和颜色分 离传输NTSC National Television Systems CommitteeNTSC 制式。全国电视系统委员会制 式PhaseAlrernatingLine PAL 制式（逐行倒相制式）SEquential Couleur Avec M emoire SECAM 制式（ 顺序与存储彩色电视系统）VideoOn Demand

40、 视频点播DPIDot Per Inch点每英寸 .3. A.M .U 原子 质量数4. ADI After develop inspection 显影后检 视6. Alignment 排成 一直线，对平7. Alloy 融合：电压与 电流成线性关系，降低接触的阻 值8. ARC： anti-reflect coating 防 反射层10. ASI 光 阻去除后检查13. Beam-Current 电子束电流15. Break 中断，stepper 机台内中途停止键20. Child lot 子批21. Chip (die) 晶粒23. Coater 光阻覆盖 （机台）25. Contact

41、Hole 接触窗26. Control Wafer 控片27. Critical layer 重要层29. Cycle time 生产周期32. Descum 预 处理35. DG: dual gate 双门38. Doping 掺杂39. Dose 剂量 940. Downgrade 降级41. DRC: design rulecheck 设计规 则检查48. ESD: electrostatic discharge/electrostaticdamage 静电离子损 伤53. FIB: focused ionbeam 聚焦离子束55. Flatness 平坦度57. Foundry 代工5

42、8. FSG: 含有 氟的硅玻璃 ,59. Furnace 炉管60. GOIgate oxide integrity门氧化层 完整性61. H .M.D.S H examethyldisilazane,经去水 烘烤的晶片，将 涂上一层增加 光阻与晶片表面 附着力 的化合物，称 H.M .D.S62. H CI: hot carrier injection 热载 流子注入63. H DP： high density plasma 高密度等离 子体65. H ot bake 烘烤66. ID 辨认，鉴定69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂 漏70. Local def

43、ocus 局部 失焦因机台或 晶片造成之脏污71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧 化72. Loop 巡路名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 10 页 - - - - - - - - - 74. M ask (reticle) 光 罩75. M erge 合并76. M etal Via 金 属接触窗78. M id-Current 中电流80. NIT: Si3N4 氮化 硅81. Non-critical 非

44、重要82. NP: n-doped plus(N+) N 型重掺 杂83. NW: n-doped wellN 阱84. OD: oxidedefinition 定义氧化层85. OM: opticmicroscope 光学显微镜89. Over flow 溢 出90. Overlay 测量前层与本层 之间曝光的准确 度91. OX: SiO2 二 氧化硅93. P1: poly 多晶硅94. PA; passivation 钝化 层95. Parent lot 母 批98. PH: photo 黄光或微影99. Pi-lot实验的103. POR Processof record104. P

45、P:p-doped plus(P+)P 型重掺杂107. PW: p-doped well P 阱108. Queue time 等待时间 )109. R/C: runcard 运作卡113. Reticle 光罩115. RM: remove. 消除119. SA: salicide 硅化金属120. SAB: salicideblock 硅化金属阻止 区121. SAC: sacrifice layer 牺牲层126. Source-Head 离子源128. Spin 旋转131. SRO: Si rich oxide 富氧 硅132. Stocker 仓储135. TEOS (CH 3CH2O)4Si 四 乙 氧 基 硅烷 /正硅 酸 四 乙酯 ， 常 温 下液 态 。 作 LPCVD/PECVD 生长 SiO2 的原料 。又指用 TEOS 生长得到的 SiO2 层。138. TM : top metal 顶层金属层139. TOR Tool of record141. USG: undoped 硅 玻璃名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 10 页，共 10 页 - - - - - - - - -