2022年《电力电子技术》浣喜明课后习题解答.docx

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1、名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -优秀学习资料 欢迎下载电力电子技术专科其次版 习题解答1.1 晶闸管的导通条件是什么第 1 章摸索题与习题. . 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么打算答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）；导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗打算,负载上电压由输入阳极电压 U A 决 定；1.2 晶闸管的关断条件是什么 . 如何实现 . 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么打算 . 答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可

2、采纳阳极电压反向使阳极电流 IA 减小, I A 下降到维护电流 IH 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行；进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压 UA 打算；1.3 温度上升时, 晶闸管的触发电流、压如何变化？正反向漏电流、 维护电流以及正向转折电压和反向击穿电答：温度上升时,晶闸管的触发电流随温度上升而减小,正反向漏电流随温度上升而增大,维持电流 I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度上升而减小；1.4 晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：1 I g=0,阳极电压上升至相当高的数值；1 阳极电压上升率du/dt 过高； 3 结温过高；1.5 请简述晶

3、闸管的关断时间定义；答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它复原正向阻断才能所需的这段时间称为关断时间；即tqtrrtgr；1.6 试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等；1.7 请简述光控晶闸管的有关特点；答：光控晶闸管是在一般晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照耀下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通；主要用于高压大功率场合；细心整理归纳 精选学习资料 1.8 型号为 KP100-3 ,维护电流I H=4mA 的晶闸管,使用在图题1.8 所示电路中是否合理,为什 第 1 页,共 33 页 - - - - - - - -

4、 - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -么.暂不考虑电压电流裕量 优秀学习资料欢迎下载图题 1.8 答：（a）由于 I A 100 V2 mA I H,所以不合理；50 Kb 由于 I A 200 V 20 A , KP100 的电流额定值为 100,裕量达倍,太大了；10（c）由于 I A 150 V 150 A,大于额定值,所以不合理；11.9 图题 1.9 中实线部分表示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为 I m,试运算各图的电流平均值电流有效值和波形系数；图题 1 9 细心整

5、理归纳 精选学习资料 解：图 a：I TAV=1 20I msintdt=Im 第 2 页,共 33 页 Im2dt=I T=10I msint22图b：K f=IIT=1.57 t= 2I m T AVITAV=10I msintd - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -I T=10I m优秀学习资料t欢迎下载sint2d=Im2细心整理归纳 精选学习资料 K f=IIT=1.11 . T AV图c：ITAV=13I msintdt= 3Im 2I

6、T=13I msint2dt= I m1830 . 63 Im3K f=IIT=1.26 T AV图d：I TAV=13I msintdt=3I m 24I T=13I msint2dt= I m163.0 52 Im26K f=IIT=1.78 T AV图e：ITAV=14I md t=Im208I T=14I m2dt=Im2022K f=IIT=2.83 T AV图f ：ITAV =12I md t=Im204I T=12I m2dt=Im202K f=IIT=2 T AV1.10 上题中,如不考虑安全裕量,问额定电流100A 的晶闸管答应流过的平均电流分别是多少 第 3 页,共 33

7、页 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -解： a图波形系数为优秀学习资料欢迎下载ITAV = 100 A 1.57,就有：1.57IT AV=1.57100A , b 图波形系数为 1.11,就有：1.11 I T AV =1.57 100A , ITAV=141.4A c 图波形系数为 1.26,就有：1.26 I T AV =1.57 100A , ITAV=124.6A d 图波形系数为 1.78,就有：1.78 I T AV =1.57 10

8、0A , ITAV=88.2A e图波形系数为 2.83,就有：2.83 I T AV =1.57 100A, ITAV=55.5A f 图波形系数为 2,就有：2 I T AV =1.57 100A , I TAV=78.5A 1.11 某晶闸管型号规格为 KP200-8D ,试问型号规格代表什么意义 . 解：KP 代表一般型晶闸管,200 代表其晶闸管的额定电流为 200A ,8 代表晶闸管的正反向峰值电压为 800V ,D 代表通态平均压降为 0 . 6 V U T 0 . 7 V；1.12 1.12 所示,试画出负载 Rd上的电压波形 不考虑管子的导通压降 ；图题 1.12 解：其波形

9、如下图所示：1.13 在图题 1.13 中,如要使用单次脉冲触发晶闸管T 导通,门极触发信号（触发电压为脉冲）细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - 第 4 页,共 33 页 - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -优秀学习资料 欢迎下载的宽度最小应为多少微秒（设晶闸管的擎住电流 I L=15mA ）？图题 1.13 解：由题意可得晶闸管导通时的回路方程：LdiARiAE220V ；dt可解得iAE 1et,=L=1 RR要维维护持晶闸管导通,i At必需在擎住电流

10、IL 以上,即50 1et151030 5.t150106150s,所以脉冲宽度必需大于150 s；1.14 单相正弦沟通电源, 晶闸管和负载电阻串联如图题1.14 所示,沟通电源电压有效值为1考虑安全余量,应如何选取晶闸管的额定电压？2如当电流的波形系数为K f=2.22 时,通过晶闸管的有效电流为100A,考虑晶闸管的安全余量,应如何挑选晶闸管的额定电流？图题 1.14 细心整理归纳 精选学习资料 解：（1）考虑安全余量, 取实际工作电压的2 倍 第 5 页,共 33 页 UT=22022622V, 取 600V （2）由于 K f=2.22, 取两倍的裕量,就：2ITAV.222100A

11、 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -得：ITAV=111A 优秀学习资料欢迎下载取 100A ；1.15 什么叫 GTR 的一次击穿 .什么叫 GTR 的二次击穿 . 答：处于工作状态的GTR ,当其集电极反偏电压UCE 渐增大电压定额BU CEO 时,集电极电流I C急剧增大（雪崩击穿） ,但此时集电极的电压基本保持不变,这叫一次击穿；发生一次击穿时,假如连续增大UCE,又不限制IC, IC 上升到临界值时,U CE 突然下降,而I C连续增大（

12、负载效应） ,这个现象称为二次击穿；1.16 怎样确定 GTR 的安全工作区 SOA. 答：安全工作区是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范畴；按基极偏量分类可分为：正偏安全工作区 FBSOA和反偏安全工作区 RBSOA；正偏工作区又叫开通工作区,它是基极正向偏量条件下由 GTR的最大答应集电极功耗 PCM以及二次击穿功率 PSB,I CM,BUCEO四条限制线所围成的区域；反偏安全工作区又称为 GTR的关断安全工作区,它表示在反向偏置状态下 GTR关断过程中电压 UCE,电流 I C限制界线所围成的区域；1.17 GTR 对基极驱动电路的要求是什么？答：要求如下：（1）

13、供应合适的正反向基流以保证 GTR 牢靠导通与关断,（2）实现主电路与掌握电路隔离,（3）自动爱护功能,以便在故障发生时快速自动切除驱动信号防止损坏 GTR ；（4）电路尽可能简洁,工作稳固牢靠,抗干扰才能强；1.18 在大功率 GTR 组成的开关电路中为什么要加缓冲电路 . 答：缓冲电路可以使 GTR在开通中的集电极电流缓升,关断中的集电极电压缓升,防止了 GTR同时承担高电压、大电流；另一方面,缓冲电路也可以使 GTR的集电极电压变化率 du 和集电极电dt流变化率 di 得到有效值抑制,减小开关损耗和防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏 GTR；dt1.19 与 GTR 相比功率 MOS

14、 管有何优缺点 . 答：GTR 是电流型器件,功率 MOS 是电压型器件,与 GTR 相比,功率 MOS 管的工作速度快,开关频率高,驱动功率小且驱动电路简洁,无二次击穿问题,安全工作区宽,并且输入阻抗可达几十兆欧；但功率 MOS的缺点有：电流容量低,承担反向电压小；1.20 从结构上讲,功率MOS 管与 VDMOS 管有何区分 . 细心整理归纳 精选学习资料 答：功率 MOS采纳水平结构, 器件的源极S,栅极 G和漏极 D均被置于硅片的一侧,通态电阻大, 第 6 页,共 33 页 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精

15、品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -性能差,硅片利用率低；优秀学习资料欢迎下载VDMOS采纳二次扩散形式的P 形区的 N +型区在硅片表面的结深之差来形成极短的、可精确掌握的沟道长度（13m ）、制成垂直导电结构可以直接装漏极、电流容量大、集成度高；1.21 试说明 VDMOS 的安全工作区；答： VDMOS的安全工作区分为： （1）正向偏置安全工作区,由漏电源通态电阻限制线,最大漏极电流限制线,最大功耗限制线,最大漏源电压限制线构成；（2）开关安全工作区：由最大峰值漏极电流 ICM,最大漏源击穿电压BUDS最高结温IJM所打算；（ 3）换向安全工作区：换向速

16、度di 肯定时,dt由漏极正向电压UDS和二极管的正向电流的安全运行极限值IFM打算；1.22 试简述功率场效应管在应用中的留意事项；答：（ 1）过电流爱护, （2）过电压爱护, （3）过热爱护,（4）防静电；1.23 与 GTR 、VDMOS 相比, IGBT 管有何特点 . 答： IGBT 的开关速度快,其开关时间是同容量 GTR的 1/10 ,IGBT电流容量大,是同容量 MOS的10 倍；与 VDMOS、GTR相比, IGBT 的耐压可以做得很高,最大答应电压 UCEM可达 4500V,IGBT 的最高答应结温 TJM为 150,而且 IGBT 的通态压降在室温顺最高结温之间变化很小,

17、具有良好的温度特性；通态压降是同一耐压规格 VDMOS的 1/10 ,输入阻抗与 MOS同；1.24 下表给出了 1200V 和不同等级电流容量 IGBT 管的栅极电阻举荐值；试说明为什么随着电流容量的增大,栅极电阻值相应减小？电流容量 A 25 50 75 100 150 200 300 栅极电阻 50 25 15 12 8.2 5 3.3 答：对肯定值的集电极电流,栅极电阻增大栅极电路的时间常数相应增大,关断时栅压下降到关断门限电压的时间变长,于是IGBT 的关断损耗增大；因此,随着电流容量的增大,为了减小关断损耗,栅极电阻值相应减小；应当留意的是,太小的栅极电阻会使关断过程电压变化加剧,

18、在损 耗答应的情形下,栅极电阻不使用宜太小；1.25 在 SCR、GTR 、IGBT 、GTO 、MOSFET 、IGCT及 MCT器件中,哪些器件可以承担反向电压？哪些可以用作静态沟通开关？答： SCR、GTR 、IGBT 、 GTO、MCT 都可承担反向电压；1.26 试说明有关功率MOSFET驱动电路的特点；SCR 可以用作静态开关；答：功率 MOSFET 驱动电路的特点是：输入阻抗高,所需驱动功率小,驱动电路简洁,工作频 率高；细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - 第 7 页,共 33 页 - - - - - - - - - 名师归纳总

19、结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -1.27 试述静电感应晶体管优秀学习资料欢迎下载SIT 的结构特点；答： SIT 采纳垂直导电结构,沟道短而宽,适合于高电压,大电流的场合,其漏极电流具有负温度系数, 可防止因温度上升而引起的恶性循环漏极电流通路上不存在PN结,一般不会发生热不稳固性和二次击穿现象,其安全工作区范畴较宽, 关断它需加10V 的负栅极偏压UGS , 使其导通,可以加56V 的正栅偏压 +UGS,以降低器件的通态压降；1.28 试述静电感应晶闸管 SITH 的结构特点；答：其结构在 SIT 的结构上再增加一个 P +层形成了无胞结构；SIT

20、H 的电导调制作用使它比 SIT的通态电阻小,通态压降低,通态电流大,但因器件内有大量的储备电荷,其关断时间比 SIT 要慢,工作频率低；1.29 试述 MOS 掌握晶闸管 MCT 的特点和使用范畴；答： MCT具有高电压,大电流,高载流密度,低通态压的特点,其通态压降只有的左右,硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的,另外,可承担极高的di/dt和du/dt ；使得其爱护电路简化,的开关速度超过,且开关损耗也小；1.30 缓冲电路的作用是什么？关断缓冲与开通缓冲在电路形式上有何区分,各自的功能是什么？答：缓冲电路的作用是抑制电力电子器件的内因过电压 du/dt 或者过电流 di/dt

21、, 削减器件的开关损耗；缓冲电路分为关断缓冲电路和开通缓冲电路；关断缓冲电路是对 du/dt 抑制的电路,用于抑制器件的关断过电压和换相过电压,抑制 du/dt ,减小关断损耗；开通缓冲电路是对 di/dt 抑制的电路,用于抑制器件开通时的电流过冲和 di/dt,减小器件的开通损耗；第 2 章 摸索题与习题2.1 什么是整流？它与逆变有何区分？答：整流就是把沟通电能转换成直流电能,而将直流转换为沟通电能称为逆变,它是对应于整流的逆向过程；2.2 单相半波可控整流电路中,假如：1 晶闸管门极不加触发脉冲；2 晶闸管内部短路；3 晶闸管内部断开；试分析上述三种情形负载两端电压ud 和晶闸管两端电压

22、uT 的波形； 第 8 页,共 33 页 细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -答：（1）负载两端电压为优秀学习资料欢迎下载0,晶闸管上电压波形与U 2 相同；（2）负载两端电压为U2,晶闸管上的电压为0；（3）负载两端电压为0,晶闸管上的电压为U2；2.3 某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电,况下,哪一种负载的晶闸管额定电流应挑选大一些 . 在流过负载电流平均值相同的情答：带大电感负载的晶闸管额定电流应挑选

23、小一些；由于具有电感,当其电流增大时,在电感 上会产生感应电动势,抑制电流增加；电阻性负载时整流输出电流的峰值大些,在流过负载电流平 均值相同的情形下,为防此时管子烧坏,应挑选额定电流大一些的管子；2.4 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路,如其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断,试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形；解：设 =0,T2被烧坏,如下图：2.5 相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻上的Ud与 Id的乘积是否等于负载有功功率,为什么.带大电感负载时,负载电阻 Rd 上的 Ud 与 I d 的乘积是否等于负载有功功率,为什么 . 答：相控整流电路带电阻性负载时,负载电阻

24、上的平均功率 P d U d I d 不等于负载有功功率细心整理归纳 精选学习资料 第 9 页,共 33 页 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -PUI优秀学习资料欢迎下载U d与 Id外仍有谐波重量U1U2,和；由于负载上的电压、电流是非正弦波,除了直流I1I2,负载上有功功率为PP d2P 12P 22P dUdId；Rd 上的相控整流电路带大电感负载时,虽然U d 存在谐波,但电流是恒定的直流,故负载电阻U d与 Id的乘积等于负载有功功率；2

25、.6 某电阻性负载要求 024V 直流电压, 最大负载电流 I d=30A ,如采纳由 220V 沟通直接供电和由变压器降压到 60V 供电的单相半波相控整流电路,是否两种方案都能满意要求 .试比较两种供电方案的晶闸管的导通角、额定电压、额定电流、电路的功率因数及对电源容量的要求；解：采纳由 220V 沟通直接供电当 0 时：Udo=0.45U2=0.45 220 =99V 由变压器降压到 60V 供电当 0 时：U d=0.45U 2=0.45 60 =27V 因此,只要调剂 都可以满意输出 024V 直流电压要求；1 采纳由 220V 沟通直接供电时：U d.0 45 U21cos, 第

26、10 页,共 33 页 - - - - - - - - - 2U d=24V 时1211 8 01 2 15 9U T2 U2311 VI T102 U2sint2dt84A2RRUd240.8Id30ITAVIT8454A1. 571. 57取 2 倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为622V 和 108A；电源供应有功功率PI22R8420.856448. W电源供应视在功率SU2I28422018. 58kVA电源侧功率因数PFP0 . 305S细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - -

27、 - - - - - - - - -2 采纳变压器降压到60V 供电：优秀学习资料欢迎下载U d=24V 时U d.0 45 U21cos,51. 38A2U T39 , 1 8 03 91 4 12 U284.4 VI T102 U2sint2dt2RRUd240.832.7AId3051.38ITITAV1. 571 .57取 2 倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为168.8V 和 65.4A ；变压器二次侧有功功率PFPPI22R51.382.0.832112 W变压器二次侧视在功率SU2I2605138. 08kVA电源侧功率因数0 . 68S2.7 某电阻性负载, Rd=5

28、0 ,要求 Ud在 0600V 可调, 试用单相半波和单相全控桥两种整流电路来供应,分别运算：1晶闸管额定电压、电流值；60012A 第 11 页,共 33 页 2连接负载的导线截面积导线答应电流密度j=6A mm2；3负载电阻上消耗的最大功率；解：（1）单相半波0 时,U2Ud6001333 V,IdUd0 .45Rd0. 4550晶闸管的最大电流有效值IT1 .57Id188.A晶闸管额定电流为ITA VIT12A 1 .57晶闸管承担最大电压为U RM2U2=1885V 取 2 倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为4000V 和 30A ；细心整理归纳 精选学习资料 - - -

29、- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -所选导线截面积为S优秀学习资料欢迎下载2IJ188.63. 13mm2负载电阻上最大功率 P R I T R 17 . 7 kW（2）单相全控桥 0 时 , U 2 U d 600667 V , I d U d 60012 A0 9. 0 9. R d 50负载电流有效值 I 1 . 11 I d 13 3. A K f=1.11 晶闸管的额定电流为 ITA V I T 6A I T= I1 . 57 2晶闸管承担最大电压为

30、U RM 2U 2 =1885V 取 2 倍安全裕量,晶闸管的额定电压、额定电流分别为 4000V 和 20A ；所选导线截面积为 S IJ 13 3.6 2 . 22 mm 2负载电阻上最大功率 PR I 2 R 8 . 9 kW2.8 整流变压器二次侧中间抽头的双半波相控整流电路如图题 2.8 所示；1 说明整流变压器有无直流磁化问题 . 2 分别画出电阻性负载和大电感负载在 =60时的输出电压 Ud、电流 id的波形, 比较与单相全控桥式整流电路是否相同；如已知 U 2=220V ,分别运算其输出直流电压值 Ud；（3）画出电阻性负载 =60时晶闸管两端的电压 uT 波形,说明该电路晶闸

31、管承担的最大反向电压为多少 . 图题 2.8解：（1）由于在一个周期内变压器磁通增量为零,所以没有直流磁化；（2）其波形如下图所示,与单相全控桥式整流电路相同；细心整理归纳 精选学习资料 电阻性负载：U d09. U21cos99 V09.2201cos600148.5 V 第 12 页,共 33 页 22感性负载：U d09. U2cos - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -优秀学习资料欢迎下载2 U2；3其波形如下图所示,晶闸管承担的最大反向电压

32、为22.9 带电阻性负载三相半波相控整流电路,如触发脉冲左移到自然换流点之前 15处,分析电路工作情形,画出触发脉冲宽度分别为10和 20时负载两端的电压ud 波形；解：三相半波相控整流电路触发脉冲的的最早触发时刻在自然换流点,如触发脉冲左移到自然换流点之前 15处,触发脉冲宽度为 10时,不能触发晶闸管,ud=0；触发脉冲宽度为 15时,能触发晶闸管,其波形图相当于 =0时的波形；2.10 三相半波相控整流电路带大电感负载,Rd=10,相电压有效值 U 2=220V ；求 =45时负载直流电压 U d、流过晶闸管的平均电流 I dT 和有效电流 I T,画出 ud、 iT2 、uT3 的波形

33、；5解：U d 1 6 2 U 2 sin td t 1.17 U 2 cos2 / 3 6由于：U 2 220V ,45 0Ud=1.17 U 2 cos 45 =182V U d 182 VI d 18 . 2 AR d 10T 1I dT I d I d 6 1. A2 3I T TI d 1 I d 10 5. A2 3ud、iT2、uT3波形图如下所示：细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - 第 13 页,共 33 页 - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - -

34、 -2.11 在图题 2.11 所示电路中,当优秀学习资料欢迎下载ud波形； =60时,画出以下故障情形下的1 熔断器 1FU 熔断；2 熔断器 2FU 熔断；3 熔断器 2FU 、3FU 同时熔断；图题 2.11 解：这三种情形下的波形图如下所示： ab 细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - 第 14 页,共 33 页 - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -优秀学习资料 欢迎下载c 2.12 现有单相半波、单相桥式、三相半波三种整流电路带电阻性负载,负载电流

35、I d都是 40A,问流过与晶闸管串联的熔断器的平均电流、有效电流各为多大 . 解：设 0单相半波： IdT=I d=40A IT1 .57IdT62.8AK f=1.57 A3c o s 2单相桥式： IdT=1Id=20A 2IT1Id28.3A2三相半波： IdT=1Id=13.3A 3当0 0 时Ud=1.17U 2U 2 =Ud/1.17 o30时ITU212Rd232I d12323 . 5.117232求：2.13 三相全控桥式整流电路带大电感负载,负载电阻 Rd=4,要求 Ud从 0220V 之间变化；试1不考虑掌握角裕量时,整流变压器二次线电压；2运算晶闸管电压、电流值,如电

36、压、电流取 2 倍裕量,挑选晶闸管型号；解：（1）由于 U d=2.34U 2 cos；不考虑掌握角裕量,0 时U dU 2 94 V2 . 34U 2 l 3 U 2 168 2. V细心整理归纳 精选学习资料 - - - - - - - - - - - - - - - 第 15 页,共 33 页 - - - - - - - - - 名师归纳总结 精品学习资料 - - - - - - - - - - - - - - -（2）晶闸管承担最大电压为优秀学习资料欢迎下载6 U22303. V取 2 倍的裕量 ,URM=460.6V 晶闸管承担的平均电流为IdT=1I d3又由于IdUd220 V5

37、5AR d4所以 IdT=18.33A ,取 2 倍的裕量 I dTmax=36.67A 挑选 KP505 的晶闸管；2.14 单结晶体管触发电路中,作为 U bb的削波稳压管 D w 两端如并接滤波电容,电路能否正常工作.如稳压管损坏断开,电路又会显现什么情形 .答：在稳压管 D w 两端如并接滤波电容后,电路能否正常工作；如稳压管损坏断开,单结晶体管上峰值电压太高,不利于单结晶体管工作；2.15 三相半波相控整流电路带电动机负载并串入足够大的电抗器,相电压有效值 U2=220V ,电动机负载电流为 40A,负载回路总电阻为 0.2 ,求当 =60时流过晶闸管的电流平均值与有效值、电动机的反电势；解：电流平均值为：I dT= 3 1I d=40/3=13.3 电流有效值为：I T I d 0 . 511 I d 23 A3设电动机的反电势为 ED,就回路方程为：U d E D I d R L5而 U d 1 6 2 U 2 sin td t .1 17 U 2 cos