2022年半导体器件物理II必背公式+考点摘要.docx

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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载半二复习笔记1.1 MOS结构1. 费米势：禁带中心能级 EFi 与费米能级 EF 之差的电势表示2. 表面势：半导体表面电势与体内电势之差,体内 EFi 和表面 EFi 之差的电势表示3. 金半功函数差4. P沟道阈值电压名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载注意 faifn 是个负值1.3 MOS原理1. MOSFET非饱和区 IV 公式2. 跨导定义： VDS肯定时,漏电流ID 随 VGS变化率,反映了VGS 对 ID 的掌握才

2、能3. 提高饱和区跨导途径名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 4. 衬底偏置电压VSB0,其影响学习必备欢迎下载5. 背栅定义： 衬底能起到栅极的作用；VSB 变化,使耗尽层宽度变化,耗尽层电荷变化；如 VGS不变,就反型沟道电荷变化,漏电流变化1.4 频率特性1. MOSFET 频率限制因素：栅电容充放电需要时间沟道载流子的沟道运输时间（通常不是主要的限制因素）2. 截止频率 ：器件电流增益为 1 时的频率高频等效模型如下：名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 14 页精选学习资料 - - - -

3、 - - - - - 栅极总电容学习必备欢迎下载CG看题目所给条件；如为抱负, CgdT为 0,CgsT 约等于 Cox,即 CG=Cox；非抱负情形即栅源、栅漏之间有交叠,产生寄生电容： 度 CgsT的 L 为 L+交叠部分长度（CgsT=Cgs+Cgsp）；3. 提高截止频率途径1.5 CMOS 1. 开关特性CgdT 的 L 为交叠部分长名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载2. 闩锁效应过程2.1 非抱负效应1. MOSFET亚阈特性 亚阈值电流：弱反型态：势垒较低电子有肯定几率越过势垒形成亚

4、阈值电 流 关系式： 注：如 VDS4（kT/e ）,最终括号部分 1, IDsub 近似与 VDS无关 亚阈值摆幅S：漏电流减小一个数量级所需的栅压变化量,S 是量化 MOS管能否随栅压快速关断的参数；名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 快速关断：电流降低到学习必备欢迎下载S 越小越好Ioff所需 VGS变化量小；因此 亚阈特性的影响：开关特性变差：VGS=0时不能抱负关断；静态功耗增加 措施：提高关断/ 待机状态下器件的阈值电压VT（如通过衬底和源之间加反偏压,使 VT增加）、减小亚阈值摆幅2. 沟长调制效应（V

5、DS . ID ） 机理抱负长沟： L L,导电沟道区的等效电阻近似不变,沟 ：L L ,导电沟道区的等效电阻减小,ID 增加 , 夹断区长度 修正后的漏源电流 影响因素饱和区电流饱和； 实际器件 短衬底掺杂浓度 N 越小 . L 的肯定值越大 . 沟道长度调制效应越显著；沟道长度 L 越小 . 3. 迁移率变化 L 的相对值越大 . 沟道长度调制效应越显著名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 概念： MOSFET载流子的迁移率抱负情形下：近似为常数；实际受沟道内电场的影响,迁移率特别数； VGS

6、垂直电场 漂移运动的电子更接近于氧化层和半导体的界面表面散射增强,载流子的表面迁移率下降 影响：漏电流、跨导随栅压增加而增加的趋势减缓4. 速度饱和 概念：E较低时, 为常数,半导体载流子漂移速度 v 与沟道方向电场 E 正比；E较高时,达到一临界电场 EC时,载流子漂移速度 v 将达到饱和速度 vSat ,使载流子的 下降 影响：使电流饱和缘由： 易发生情形：短沟器件,U大 L 小, E 大,易达到饱和Ec 考虑速度饱和后的饱和漏源电流 跨导：与偏压、沟长无关 截止频率：与偏压无关5. 弹道输运特点： 沟道长度 L0.1 m,大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；因经受多次散

7、射,载流子运动速度用平均漂移速度表征2.2 按比例缩小 按比例缩小的参数：名师归纳总结 器件尺寸参数（L,tox , W,xj ）： k 倍第 7 页,共 14 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载掺杂浓度（ Na,Nd）： 1/k 倍电压 V：k 倍电场 E： 1 倍耗尽区宽度 Xd： k 倍电阻 R（与 L/W 成正比）： 1 倍; 总栅电容（与 WL/tox 成正比） : k 倍漏电流 I （与 WV/L成正比 : k 倍2.3 阈值电压调整1. 短沟道效应（ L . VT ） 概念：随着沟长 L 变短,栅压 VG可控空间电荷区

8、仅仅为下方梯形可控耗尽层电荷占耗尽层越来越少使得可控 Qsd 变小, VT下降 影响因素： a.L VTNb.Na VTN c. VDS0 漏衬 n+p 反偏压 Qsd VTN d. VSB VTN （ VT肯定值更大,使VT整体减小）2. 窄沟道效应（ W . VT ）概念：表面耗尽层在宽度方向将存在横向展宽现象VGS作用下要产生中间矩形和两侧的耗尽层电荷W越小,相同偏压VG下能用来掌握下方矩形部分的电压V 越少 VT随W的 而增大名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载3. 离子注入调整 原理：通过

9、离子注入技术向沟道区注入杂质a.p 型衬底表面注入受主杂质（如B）半导体表面净掺杂浓度Na /QSDmax/ 表面更难以反型 VTb. p 型衬底表面注入施主杂质（如P）半导体表面净掺杂浓度Na /QSDmax/ 表面更简单反型 VT 离子注入关系 P 型衬底加入受主杂质：2.4 击穿特性1. 栅氧化层击穿 概念：VGS 氧化层电场强度Eox临界电场强度EB,氧化层发生介电击穿,栅衬短路,栅电流产生 影响因素：静电使栅两侧显现电荷积存,易产生强电场使之击穿 措施： a. 设计和使用做好防静电措施 b. 进行电路设计 2. 漏衬 pn 结雪崩击穿（沟道未形成）名师归纳总结 概念：结反偏压VDS大

10、到一临界值BVDS ,发生雪崩击穿第 9 页,共 14 页 雪崩击穿： 载流子从大E 获得大能量, 与晶格原子碰撞共价键断裂, 产生电子空穴对产生的电子空穴也会从E获得能量,连续碰撞产生大量的电子被漏极收集（加入 ID）,发生击穿,产生的空穴注入衬底（产生Isub ）- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 影响因素： a. 击穿电压 BVnp,其为轻掺杂侧掺杂浓度 Na的函数 b. MOSFET漏衬 PN结的 BVDSVT）IS, 进入沟道区,受沟道E 的加速在D 概念：发自S 端的载流子,形成电流端邻近发生雪崩倍增产生的电子被漏极收集（

11、加入 ID ）,产生的空穴注入衬底 （产生 Isub ） 影响因素： a. VDS越大, E 越强,越简单诱发倍增 b.VGS越大,沟道载流子数越多,倍增越快,BVDS越小4. 寄生晶体管击穿（雪崩击穿正反馈） 概念前提： MOSFET存在寄生的双极型晶体管雪崩击穿存在衬底电流Isub ,同时 Rsub不为零寄生晶体管基极电势增高,使源衬结正偏电子由重掺源区扩散至衬底,一部分电子加入 ID 使 ID 雪崩击穿加剧（正反馈） 易发生情形：短沟高阻衬底的 MOSFET 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - a.学习必备欢

12、迎下载同时漏结邻近的E较强,短沟,基区较窄,注入沟道区的电子易被漏极收集,倍增效应强 b. 高阻, Rsub 大 措施：重掺衬底 5. 源漏穿通效应（短沟器件） 概念：漏衬结的空间电荷区扩展至和源衬结空间电荷区相接导致源端和源漏 之间半导体的势垒高度降低电子跨过势垒高度由源区注入到源漏之间半导体区的几率增 加 影响： a. VGS=0时,源和沟道区势垒高度被拉更低源区电子注入到沟道区数 量增多亚阈值电流增加 b. VDS 源和沟道区势垒高度降低ID 指数 栅压掌握器件ID 能力下降 易发生情形：短沟高阻衬底的 MOSFET 措施：增大栅氧下方会发生穿通效应的衬底浓度 NB、增大 VSB 6.

13、LDD 结构的 MOSFET 定义：轻掺杂漏结构（Lightly Doped Drain） 概念：在沟道的漏端及源端增加低掺杂区,降低沟道端口处的掺杂浓度及掺杂 浓度的分布梯度 作用：降低沟道中漏邻近的电场,提高器件的击穿电压2.5 辐射效应与热载流子效应1. 辐射效应 概念： x 射线、 射线等离化辐射将SiO2 中的电子 - 空穴对打开,同时产生自由电子和自由空穴 影响：名师归纳总结 a.产生氧化层电荷第 11 页,共 14 页 b.产生界面态- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 c. 辐射总剂量越大,曲线斜率小,亚阈值摆幅增大2.

14、 热载流子效应 热载流子定义： 热载流子有效温度 Te 高,如环境温度为 T,就平均能量 （kTe）大于晶格能量（kT）的载流子； MOSFET的热载流子,从 VDS产生的 E 获得能量 影响 a.热载流子（能量高）越过Si-SiO2界面势垒注入到SiO2 层中被氧化层陷阱俘获, 氧化层电荷变化 b. 热载流子越过界面,会打开 Si-O 键,产生 界面态 ,使界面陷阱电荷变化 c. 表面散射增强,使 迁移率下降 d. 被栅极收集,形成 栅电流 特点：是连续过程、易发生于短沟器件 措施：采纳轻掺杂漏结构（LDD）缘由： 漏区掺杂浓度较低且分布梯度较缓,电力线不易集中, 沟道中漏邻近的电场降低 ；

15、减缓热载流子 的产生； 减缓雪崩击穿 效应,寄生双极晶体管击穿效应3.1 JFET 场效应管与 MESFET 1. MESFET 基本结构2. 肖特基二极管特点名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 反向饱和电流数量级更高 多子器件,无扩散电容无少子储备效应,开关特性好3.2 JFET 抱负直流特性1. 内建夹断电压Vp0：沟道夹断时栅结总压降, Vp0.0 2. 夹断电压 Vp：沟道夹断时的栅源电压,依据沟道类型可正可负3. 直流特性 近似公式：,IDSS 为 VGS=0时的沟道 漏电流 阈电流：

16、,为 JFET在 VGS,Vbi 均为 0 时的 最大漏电流,无空间电荷区留意上式和Nd有关, 即漏电流与掺杂浓度成正相关；因此 跨导 gm也与掺杂浓度正相关3.3 JFET 等效电路和频率限制1. 提高 fT 的方法 减小栅长 降低栅电容名师归纳总结 - - - - - - -第 13 页,共 14 页精选学习资料 - - - - - - - - - 学习必备 欢迎下载 增加跨导 提高迁移率 2. 二维电子气： 2DEG指在两个方向上可以自由运动,而在第三个方向上的运动受到限 制的电子群3.4 高电子迁移率晶体管 1. 量子阱结构2. HEMT 器件结构考试时只需要自上而下画出：即可拿满分源栅漏、n-AlGaAs 、（I-AlGaAs 隔离层）I-GaAs 、sub-GaAs隔离层作用：减弱电离杂质的库仑力对电子的影响,这样能更进一步提高电子迁移率 3. GaN 材料优势 宽禁带,温度稳固性、辐射稳固性好 BV 高,高功率 EC高,形成高二维电子气浓度 热导率高名师归纳总结 - - - - - - -第 14 页,共 14 页