2022年高频电子线路课程方案指导书.docx
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1、精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用目录第一章课程设计目的、要求及仪器工具 2 其次章无线调频发射器原理 4第三章课程设计内容 7第四章调试 8第五章验收 10名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用第一章 课程设计目的、要求及仪器工具11 目的:1、通过本次课程设计,学会利用protel 、orcad 等电子设计软件,描画电子电路原理图、仿真电路、由原理图绘制 PCB版图;2、学会利用专用 PCB 制板纸 硫酸纸)加上简易制版设备 如 电烫斗、热卷印制板
2、机等设备),制作一般单面印刷电路板;促进 电子元器件的识别及质量检验;提高电子产品工艺水平,良好的掌 握 smt 的焊接及制作工艺;3、学会用所学高频电子线路理论学问,联系低频电子线路基础 学问设计无线高频电子产品,培育各种高频感性熟悉;并通过课程设计实践,提高实践动手才能,将理论学问与实践的结合;4、培育严谨的工科作风;1.2 要求:1、分析并读懂无线发射器电路原理图,采纳分块的分析方法 细分析每一个元件的功能作用;2、在 protel 软件上完成从电路原理图到 化,具体设计请参照相关资料;SMT 元件的 PCB 转3、利用电烫斗或热卷印制板机、硫酸纸、三氯化铁等简易设 备完成制板 ;名师归
3、纳总结 4、依据技术指标测试各元器件的主要参数;第 2 页,共 11 页- - - - - - -精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用5、认真细心地安装焊接,依据技术要求进行调试;7、提高频感性熟悉,良好认知高频和低频实践的相关性及区 别;1.3 、仪器工具:仪器:万用表、示波器、扫频仪、电烙铁、电脑、打印机、电烫斗 或热卷印制板机等;耗材:硫酸纸、覆铜板、三氯化铁、元件等;名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用其次章 无线调频发射器原理21 原理1、系
4、统方框图如图 1)所示;声音压发电频控射转放振天换大荡线图1)2、原理图如图 2)所示;图2)3、原理:由图 2)可知,无线调频发射器分两级:音频放大级和压控振荡级;名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用1)音频放大级原理:通过驻极体话筒 成柔弱的声音电信号 驻极体话筒内有一枚MK1 将声音信号转换 FET ,FET 将话筒前振膜之电容变化放大,实现柔弱声音信号的灵敏转换,故有些资料把驻极体话筒单称第一放大级),电阻 路,同时也是话筒的能量供应电路;R22 为 MK1 静态电压偏置电尽管驻极话
5、筒能有肯定的放大作用,但所转换的电信号仍是很 柔弱,不利于电路处理,因此加入了第一级音频放大级;本级以晶 体管 Q1 为核心,同 R1、R3、C2、C1 组成共射放大电路; R1 为集 电极负载电阻, R3 为基极偏置电路,本级增益要求 20 至 50;Q1 选择一般的小信号放大管,此电路中,挑选 500mW);J1作为电路的测试点 1;9013NPN 20V 625mA 2)压控振荡级: Q2 作为振荡管, R4、R6 为静态偏置电路, L1、C3 为振荡电路的选频回 L1 制作方法用 035mm 左右的 漆包线在 35mm 左右的圆棒上单层平绕 5 匝,见右 图); CDN1 为振荡电路的
6、馈电电容;本电路振荡频大约为 88MHz 80M-110MHZ 间均满意要求);主要由振荡线圈 L1共 5圈)和电容器 C3 打算,同时也与晶体管结电容、20pF 馈电电容器及 Q2 输入级电压有关,从而构成一个由声音掌握的压控振荡器;电源接通时, 1nF基极电容器通过 22K 电阻逐步充电,而 20pF就经振荡线圈和 470 电阻充电,但更加之快,其两端虽仅得小的电压),线圈产生磁场;47pF 电容也充电 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页,共 11 页精选学习资料 - - - - - - - - - 个人资料整理 仅限学习使用基极电压渐渐上升时,晶体管导通,并有效地将内阻并
7、接在18pF 两侧;当 1nF 电容充电至该极的工作电压时,就会发生好几个杂乱的周波,故此,我们假定争论在靠近工作电压之时;基极电压连续上升, 18nF 电容试图阻挡射极用压的移动,到电容器内的能量耗尽及再不阻挡射级移动之时,基射极电压降低,晶体管截止,流人线圈的电流也停止,磁场衰溃;磁场衰溃,产生一个相反方向的电压,集极电压反过来从原本的 2.9V 上升至超过 3V,并以相反方向47pF 电容充电,这电压也影响到对 18pF 电容充电,及 470 射极电阻上的电压降使到晶休管进 入更深的截止;18pF电容充电时,射电压下跌,并跌到某一晶休管开头导通,电流 流入线圈,与衰溃磁场对抗;线圈上之电
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