模拟电子技术总结复习资料.doc
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1、半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2。特性-光敏、热敏和掺杂特性。3。本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体. 4. 两种载流子 -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5。杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻-通常把杂质
2、半导体自身的电阻称为体电阻。 7。 PN结 PN结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。 PN结的导通电压-硅材料约为0。60。8V,锗材料约为0。20。3V。8。 PN结的伏安特性二. 半导体二极管 单向导电性正向导通,反向截止。 二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0。60。7V,锗管0。20。3V. *死区电压-硅管0。5V,锗管0.1V。3。分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。1)图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 总
3、的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。 三种模型 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1。类型分为NPN和PNP两种.2。特点基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触 面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理1。 三极管的三种基本组态2。 三极管内各极电流的分配 共发射极电流放大系数 (
4、表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流.3。 共射电路的特性曲线输入特性曲线-同二极管. 输出特性曲线(饱和管压降,用UCES表示放大区发射结正偏,集电结反偏. 截止区-发射结反偏,集电结反偏。饱和区-发射结和集电结均正偏。4。 温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及均增加。三. 低频小信号等效模型(简化)rbe-输出端交流短路时的输入电阻,输出端交流短路时的正向电流传输比, 常用表示;四. 基本放大电路组成及其原则1。 VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用.2。组成原则-能放大、不失真、能传输。五。 放大电路的图解分析法1。 直
5、流通路与静态分析 概念直流电流通的回路. *画法电容视为开路。 作用-确定静态工作点 *直流负载线-由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动. 2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。 2. 交流通路与动态分析概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用-分析信号被放大的过程.交流负载线- 连接Q点和V CC点 V CC= UCEQ+ICQR L的 直线. 3。 静态工作点与非线性失真(1)截止失真产生原因Q点设置过低 *失
6、真现象NPN管削顶,PNP管削底。消除方法-减小Rb,提高Q。(2) 饱和失真产生原因Q点设置过高 *失真现象-NPN管削底,PNP管削顶。*消除方法增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的动态范围(1) Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值. (2)范围 *当(UCEQUCES)(VCC UCEQ )时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL。当(UCEQUCES)(VCC UCEQ )时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2 (UCEQUCES)。当(UCEQUCES)(VCC UCEQ ),放大器将有最大的不失真输出电压。 六. 放大电路的等效电路
7、法1. 静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区,应满足RBRc 。2. 放大电路的动态分析 放大倍数 * 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法1静态分析2动态分析电压放大倍数在Re两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后 输出电阻八. 共集电极基本放大电路1静态分析2动态分析* 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻3。 电路特点 * 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。 * 输入电阻高,输出电阻低。 场效应管及其基本放大电路 一。 结型场效应管( JFET ) 1。结构示意图和电路符号
8、2. 输出特性曲线 (可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线UP - 截止电压 二。 绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线 NEMOS的转移特性曲线式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线注意:uGS可正、可零、可负.转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致.三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3。开启电压UT4。直流输入电阻RGS5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)四.
9、 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导gm - 五。 共源极基本放大电路1。自偏压式偏置放大电路 静态分析动态分析 若带有Cs,则 2。分压式偏置放大电路 静态分析* 动态分析 若源极带有Cs,则 六。共漏极基本放大电路* 静态分析或 动态分析 多级放大电路一. 级间耦合方式1。 阻容耦合-各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。 2. 变压器耦合 各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。 3。 直接耦合-低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响.存在“零点漂移”现
10、象。 零点漂移-当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点而作随机变动.二。 单级放大电路的频率响应1中频段(fLffH)波特图-幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是=1800.2低频段(f fL)3高频段(f fH)4完整的基本共射放大电路的频率特性三。 分压式稳定工作点电路的频率响应1下限频率的估算 2上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应 1。 频响表达式 2。 波特图 功率放大电路一。 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态 导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低. 2。乙类工作状态 ICQ0, 导通角为180o,效率高,失真大。3。
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