电子科技大学学报模板.doc

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1、Four short words sum up what has lifted most successful individuals above the crowd: a little bit more.-author-date电子科技大学学报模板在地文章的中文标题(小2号，黑体，加粗，居中)作者1中文名，作者2中文名，作者3中文名，作者4中文名收稿日期： 2007 - 07 - 21；修回日期： 2008 - 03 - 15基金项目：部省级以上基金或项目名称(编号)1；部省级以上基金或项目名称(编号)2 作者简介：第一作者姓名(1964 - )，性别，学历，职称，主要从事方面的研究.(单位

2、 单位所在地 邮编)(6号宋体，Times New Roman)【摘要】中文摘要(200个中文字以上，中文是小5号，楷体，英文是Times New Roman) 。关 键 词 中文关键词1; 中文关键词2; 中文关键词3; 中文关键词4; 中文关键词4(47个)中图分类号 (我刊网站上可查询) 文献标识码 A文章的英文标题(3号，Times New Roman，加粗，居中)作者1英文名, 作者2英文名, 作者3英文名, and作者4英文名(姓在前名在后，姓全部大写)(单位的英文翻译 英文地址 邮编) (6号宋体，Times New Roman) Abstract 英文摘要(与中文摘要相对应，5

3、号，Times New Roman). Key words 英文关键词1; 英文关键词2; 英文关键词3; 英文关键词4; 英文关键词5(与中文关键词相对应，5号，楷体，Times New Roman)-引言部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)1 一级标题(4号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)2 一级标题(4号黑体)2.1 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)2.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3 一级标题(4号黑体)3.1 二

4、级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)3.3 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)4 一级标题(4号黑体)4.1 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)4.2 二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)5 结 论或结 束 语(4号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)参 考 文 献(中文：小5号

5、楷体，英文：Times New Roman，10条以上)1SONG B S, GRAY P R. A precision curvature-compensated CMOS bandgap referenceJ. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1983, 18(6): 634-643.2AVOINNE C, RASHID T, CHOWDHURY V, et al. Second-order compensated bandgap reference with convex correctionJ. Electronic Letters, 200

6、5, 41(5): 276-277.3KER Ming-dou, CHEN Jung-sheng, CHU Ching-yun. New curvature-compensation technique for CMOS bandgap reference with sub-1-V operationC/The 2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Newyork: IEEE, 2005, 4: 3861-3864. 4秦 波, 贾 晨, 陈志良, 等. 1 V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源J. 半导体

7、学报, 2006, 27(11): 2035-2039. QIN Bo, JIA Cheng, CHEN Zhi-liang. A 1 V MNC bandgap reference with high temperature stabilityJ. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(11): 2035-2039.5姜 韬, 杨华中. 多点曲率补偿的带隙基准电压源设计方法J. 半导体学报, 2007, 28(4): 490-495. JIANG Tao, YANG Hua-zhong. Bandgap reference design by

8、 means of multiple point curvature compensationJ. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4): 490-495.6LEUNQ C Y, LEUNQ K N, MOK P K T. Design of a 1.5-V high-order curvature-compensated CMOS bandgap referenceJ. Circuit and System, 2004, 1: 49-52.7LEE I, KIM G. Exponential curvature-compensated

9、BiCMOS bandgap referencesJ. IEEE Journal of Solid-state Circuits, 1994, 29: l396-1403.8拉扎维. 模拟CMOS集成电路设计M. 陈贵灿, 译. 西安: 西安交通大学出版社, 2002, 12: 312-326. RAZAVI B. Design of analog CMOS integrated circuitsM. CHEN Gui-can. Xian Jiaotong University Press, 2002, 12: 312-326.9BANBA H, SHIGA H, UMEZAWA A, et

10、al. A CMOS bandgap reference circuit with Sub-1-V operationJ. IEEE Journal of Solid-state Circuits, 1999, 34(5): 670-674.10TSIVIDIS Y. Accurate analyzes of temperature effects in IC-VBE characteristics with application to bandgap reference sourcesJ. IEEE Journal Solid-State Circuits, 2001, 15(6): 1076-1084.编 辑