模拟电子技术基本练习题(解).doc

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一填空题：（将正确答案填入空白中）1N型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。P型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。2为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度 最高 ；基区宽度 最薄 ；集电结结面积 最大 。3三极管工作在放大区时，发射结要 正向 偏置，集电结 反向 偏置，工作在饱和区时，发射结要 正向 偏置，集电结 正向 偏置，工作在截止区时，发射结要 反向 偏置，集电结 反向

2、 偏置。4工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是 扩散电流 ，流过集电结的电流主要是 漂移电流 。5某三极管，其=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为 0.04mA ，该管的值为 49 。6某三极管，其=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为 0.05mA ，该管的值为 0.99 。7某三极管工作在放大区时，当IB从20A增大到40A，IC从1mA变成2mA。则该管的约为 50 。8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于 电流 控制器件。其输入电阻 较低 ；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于 电压 控制器件。其输入电阻 很高 。9.晶体管的三个工作区

3、是 放大区 ， 截止区 ， 饱和区 。场效应的三个工作区是 可变电阻区 ， 饱和区 ， 截止区 。10场效应管又称单极型管，是因为 只有一种载流子参与导电 ；半导体三极管又称双极型管，是因为 有两种载流子参与导电 。11串联式直流稳压电源是由组成 取样电路 ； 比较放大器 ； 基准电压 和 调整管 。12集成运算放大器的内部电路是由 偏置电路 , 中间放大器 , 输入级和 输出级 四部分组成。13在一个三级放大电路中，已知Av1=20；Av2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是 共基极 组态；A2是 共射极 组态；A3是 共集电极 组态。14正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成

4、 放大器 ； 反馈网络 ； 稳幅电路 和 选频网络 。15为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入 电流串联负反馈 。16PNP三极管基区中的多数载流子是 电子 。少数载流子是 空穴 。17对于放大电路，所谓开环是指 放大电路没有反馈支路 。18为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入 电压串联负 反馈。19单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为 0.9V2 。20差动放大电路中，共模抑制比KCMR是指 差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值 。二选择题1电路如图所示，设二极管的正向压降VD=0.6V，则流过二极管的电流ID为（

5、B ）。（A）0.775mA（B）1.31mA（C）0.55mA（D）1mA2电路如图所示，设二极管具有理想特性，已知vi=1.0Sint (V)，V=2V，则输出vo 的波形如图（ a ）所示。3由稳压管组成的稳压电路如图所示，已知Vi=18V，稳压管DZ1的稳压值为7V，稳压管DZ2的稳压值为6V，稳压管具有理想特性，则输出Vo为（ B ）。 （A） 13V（B） 1V（C） 6V（D） 7V4电路如图（a）(b)所示，已知vi=20Sint （V），稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V，稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V，稳压管的正向压降忽略不计。图（e）所示波形为电路图（ b ）的输出波形

6、。5电路如图所示，该电路的静态电流表达式ICQ=（ C ）。6电路如图所示，已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V，RC=RL=2k，静态工作点ICQ=2mA，VCEQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为 B 。（A） 6V（B） 5.7V（C） 6.6V（D） 2V7电路如图（a）所示，其等效电路如图（b）所示。该电路的电压放大倍数表达式为 B 。8电路如图所示，已知晶体管的=50，VBE=0.6V，rbe=1.5k。该电路的输入电阻Ri为 C 。 （A） 1.36k （B）15k （C） 13.4k ( D ) 1.5k9电路如图所示，C1、C2可视为交流短路，该电路的输出电

7、阻为 D 。（A） （B） （C） （D） 10如图所示为一深度负反馈放大电路，所有电容认为对交流短路。该电路的闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi=( C )。 （A） 10 （B） -11 （C） 11 （D） -1011电路如图所示，要引入电压并联负反馈，正确的接法是（ D ）。 （A）C1接N，C2接P，F接B1； （B）C1接N，C2接P，F接B2； （C）C1接P，C2接N，F接B1； （D）C1接P，C2接N，F接B2。*12某放大电路的电压放大倍数的对数幅频特性如图所示，其下限频率fL、上限频率fH及下限频率和上限频率所对应的实际电压增益Av是（ B ）。 （A） fL=100H

8、Z ，fH=100kHZ , Av=60dB （B） fL=100HZ ，fH=100kHZ , Av=57dB （C） fL100HZ ，fH100HZ ，fH100kHZ , Av=57dB 13差动放大电路如图所示，已知 |Avd|=100，Avc=0，vi1=10mV，vi2=5mV，则输出电压 |vo| 为（ A ）。 （A）500mV （B） 200mV （C） 250mV （D） 125mV14带有调零电路的差动放大电路如图所示，若输入电压vi1=vi2=0时，输出电压vo=vo1-vo20，则电路的输出与输入关系为（ D ）。23由运算放大器组成的比较器电路如图所示，设VREF

9、0，则该电路的电压传输特性为图中的图（ C ）所示。 （A） （B） （C） （D） 24比较器电路如图所示，已知Vi1=2V，Vi2=1V，则输出电压VO=（ C ）。(A) +12V(B) -12V(C) -6V(D) +6V25具有RC串并联选频网络的正弦波振荡电路如图所示，已知Rf =120k，为保证电路起振，R1应满足（ D ）。(A) R1120k(B) R160k(D) R15W，ICM2.5A ，V（BR）CEO40V（B） PCM5W，ICM2.5A ，V（BR）CEO20V（C） PCM25W，ICM2.5A ，V（BR）CEO40V（D） PCM25W，ICM2.5A ，

10、V（BR）CEO20V30带电容滤波的桥式整流电路如图所示，设变压器副边电压v2=24Sint(V)，负载电阻RL=10。则流过二极管的平均电流ID和二极管承受的最大反向电压VRM约为（ B ）。（A） ID=2A，VRM=17V （B）ID=1A，VRM=24V（C） ID=2A，VRM=24V （D）ID=1A，VRM=17V31串联式稳压电路如图所示，已知T1的VCE1=5V，T2的VBE2=0.6V，稳压管VZ=5.4V，R1=R2=2k，RW=1k，则变压器的副边电压有效值V2为（ B ）。（A） 15V （B） 16.7V（C） 20V （D） 12.532并联式稳压电路如图所示，

11、已知稳压管稳定电压VZ=8V，最小稳定法电流Izmin=5mA，最大允许电流Izmax=30mA，Vi=22V，RL的变化范围为400800。限流电阻R的取值范围约为（ A ）。（A） 350560 （B）280933（C） 560933 （D）280560 33某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ B ）。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽型P沟道MOS管34某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ A ）。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽

12、型P沟道MOS管36某MOS场效应管的转移特性如图所示，则该MOS管为（ C ）。(A) 增强型N沟道MOS管(B) 耗尽型N沟道MOS管(C) 增强型P沟道MOS管(D) 耗尽型P沟道MOS管37甲乙类互补功率放大电路如图所示，图中D1、D2的作用是消除（ C ）。（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真（D）频率失真38如图所示功率放大电路，已知VCC=20V，RL=8。该功率放大器的最大输出功率为（ D ）。（E） Pom=25W（F） Pom=50W（G） Pom=15W（H） Pom=6.25W39LC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（ C ）。 （A） （B） （C） （D）40RC振荡电路如图所示。试判断那个电路满足相位平衡条件（ A、D ）。 （A） （B） （C） （D）【精品文档】第 7 页