IC-芯片封装流程.pptx
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1、IntroductionofICAssemblyProcessIC封装工艺简介,FOLBackGrinding背面减薄,Taping粘胶带,BackGrinding磨片,De-Taping去胶带,将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到封装需要的厚度(8mils10mils);磨片时,需要在正面(ActiveArea)贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;,FOLWaferSaw晶圆切割,WaferMount晶圆安装,WaferSaw晶圆切割,WaferWash清洗,将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;通过SawBlade将整片
2、Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的DieAttach等工序;WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;,FOLWaferSaw晶圆切割,WaferSawMachine,SawBlade(切割刀片):LifeTime:9001500M;SpindlierSpeed:3050Krpm:FeedSpeed:3050/s;,FOL2ndOpticalInspection二光检查,主要是针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。,ChippingDie崩边,FOLDieAttach芯片粘接,WriteEpoxy点银浆,DieAtt
3、ach芯片粘接,EpoxyCure银浆固化,EpoxyStorage:零下50度存放;,EpoxyAging:使用之前回温,除去气泡;,EpoxyWriting:点银浆于L/F的Pad上,Pattern可选;,FOLDieAttach芯片粘接,芯片拾取过程:1、EjectorPin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于脱离蓝膜;2、Collect/Pickuphead从上方吸起芯片,完成从Wafer到L/F的运输过程;3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F的Pad上,具体位置可控;4、BondHeadResolution:X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.2
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- IC 芯片 封装 流程
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