2013年桂林电子科技大学考研专业课试题909材料科学基础(B)(A).doc
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1、桂林电子科技大学2013年研究生统一入学考试试题(A卷)科目代码:909 科目名称:材料科学基础(B)请注意:答案必须写在答题纸上(写在试题上无效)。一、名词解释(任选6题作答,每题5分,共30分)1、晶面间距;2、肖特基缺陷;3、刃型位错;4、非均匀形核;5、柯肯达尔效应;6、莱氏体;7、桥氧;8、烧结二、简答题(任选4题作答,每题10分,共40分)1、证明理想密排六方结构晶体的轴比c/a为1.633。2、什么是细晶强化?简述细晶强化的机理。3、什么是置换固溶体?影响置换固溶体溶解度的因素有哪些?形成无限固溶体的必要条件是什么?4、简述F-R(弗兰克-瑞德)位错增殖机制,并予以图示。5、Na
2、Cl溶入CaCl2中形成空位型固溶体,请写出其缺陷反应式。6、试描述固相烧结过程中三个阶段的特点?三、分析题(任选2题作答,每题15分,共30分)1、在同一晶胞中画出立方晶系中的晶面以及晶向。2、分析位错反应能否发生?(要求写出判断依据)。3、根据Al2O3-SiO2系统相图(下图)说明,为了保持较高的耐火度,在生产硅砖时应注意什么?4、在Al2O3陶瓷烧结中,通常加入TiO2可有效地降低烧结温度,并促进烧结。请说明原因?(提示:从形成缺陷的角度考虑)四、计算题(任选1题作答,20分)1、某晶体生长机制为二维形核模型时,如果在固液界面形成的晶核为圆柱形(如下图所示),每个晶核的高度h=0.35
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