延安碳化硅项目建议书(范文参考).docx
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1、泓域咨询/延安碳化硅项目建议书延安碳化硅项目建议书xx投资管理公司目录第一章 市场分析8一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越8二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%9第二章 项目背景、必要性11一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期11二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期12三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临14四、 深入实施创新驱动发展战略16五、 扩大有效投资18六、 项目实施的必要性18第三章 项目基本情况20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景21
2、六、 结论分析22主要经济指标一览表24第四章 公司基本情况26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨31七、 公司发展规划31第五章 建筑工程技术方案38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表42第六章 项目选址44一、 项目选址原则44二、 建设区基本情况44三、 优化区域布局45四、 项目选址综合评价48第七章 发展规划分析49一、 公司发展规划49二、 保障措施55第八章 法人治理结构57一、
3、 股东权利及义务57二、 董事59三、 高级管理人员63四、 监事66第九章 节能可行性分析68一、 项目节能概述68二、 能源消费种类和数量分析69能耗分析一览表70三、 项目节能措施70四、 节能综合评价71第十章 进度计划73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十一章 项目环境影响分析75一、 编制依据75二、 环境影响合理性分析76三、 建设期大气环境影响分析77四、 建设期水环境影响分析80五、 建设期固体废弃物环境影响分析81六、 建设期声环境影响分析81七、 环境管理分析82八、 结论及建议83第十二章 组织机构及人力资源配置85一、 人力
4、资源配置85劳动定员一览表85二、 员工技能培训85第十三章 项目投资计划88一、 投资估算的编制说明88二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表91四、 流动资金92流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表95第十四章 经济效益分析97一、 基本假设及基础参数选取97二、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表99利润及利润分配表101三、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表103四、 财务生存能力分析105五、 偿债能力分析105借款
5、还本付息计划表106六、 经济评价结论107第十五章 招标方案108一、 项目招标依据108二、 项目招标范围108三、 招标要求108四、 招标组织方式109五、 招标信息发布109第十六章 项目总结110第十七章 附表111主要经济指标一览表111建设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118利润及利润分配表119项目投资现金流量表120借款还本付息计划表122本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑
6、分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 市场分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛
7、起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关
8、速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的
9、器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占
10、比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第二章 项目背景、必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占
11、据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代
12、可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6
13、吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块
14、上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等
15、领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占
16、比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建
17、造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进
18、程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其
19、他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。四、 深入实施创新驱动发展战略坚持围绕产业链
20、部署创新链、围绕创新链布局产业链,促进科技与经济紧密结合、创新成果与产业发展密切对接,实现创新链、产业链、资金链、政策链有机融合,让创新成为驱动高质量发展的强大引擎。促进创新链与产业链深度融合。围绕产业链部署创新链,在能源采收转化能力提高、以苹果为主的农特产品种养技术和品质提升、文化旅游业态创新、服务业模式创新等领域推进技术提升、突破。围绕创新链布局产业链,深入推进重点实验室、产业创新中心、工程技术研究中心、院士工作站等高端创新载体建设,促进新技术的产业化、规模化应用,培育发展无人机、膜材料、新能源装备等高新技术产业集群。强化政府政策引导,整合全市科研经费集中投向重点领域技术创新,实行科研项目
21、“揭榜挂帅”和科研经费“包干制”等制度,推进科技计划、项目、资金等一体化配置,到2025年研发经费投入占生产总值比重达到1.5%以上。强化企业创新主体地位,推动能源骨干企业、农业龙头企业、大型文旅集团、服务业领军企业与国内外知名高等院校、科研院所、智库机构建立长期合作关系,促进产学研深度融合。建立创新型企业成长的持续推进机制和全程孵化体系,构建企业全生命周期梯度培育链条。设立离岸新型研发机构、研发创新平台、基地,支持企业牵头组建创新联合体,鼓励企业加大研发投入,集中攻克重点产业关键技术研发,衍生一批新产品和产业链,推动产业链上中下游、大中小企业融通创新,引领产业发展迈向中高端。整合提升全市创新
22、创业资源。通过政府引导、市场配置、模式创新、服务集成等方式,高标准组建延安市科技资源统筹中心,推动各县(市、区)建设科技资源统筹中心,促进全市各类科技资源共享利用。积极争取建设创新型城市和创新型县(市)。鼓励高校、医院、企业组建重点实验室、院士工作站。积极与中国西部科技创新港开展合作。发挥高新区对全市创新驱动发展的带动作用,推进新能源、新材料及储能重点实验室、工程技术中心和中试基地建设,积极争取在延设立国家未来产业技术研究院。推动全市各类园区提档升级,积极培育一批国家级、省级高新技术开发区和创业创新示范基地,支持洛川农业科技园区创建为国家级农业科技园区,到2025年,省级高新技术开发区达到5个
23、,国家级、省级创新研发平台达到18个,市级工业园区创新平台、孵化器全覆盖。充分发挥众创空间、产业技术创新战略联盟等作用,发展“创新中心+孵化器+科创企业”型创新创业体系,打造“双创”升级版。建设科技创新成果展厅,大力弘扬科学精神和工匠精神,营造崇尚创新的社会氛围。五、 扩大有效投资发挥投资对优化供给结构的关键作用,深入实施项目带动战略,始终将重大项目建设作为推动高质量发展的总抓手。重点推进基础工业、高端能化、新能源、现代农业、文化旅游、现代服务、新型基础设施、新型城镇化、重大交通水利、生态环境、教育设施、医疗基础设施、健康体育等13个领域1439个、总投资2万亿元重大项目建设,保持投资合理增长
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