德阳碳化硅衬底设备项目商业计划书范文.docx
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1、泓域咨询/德阳碳化硅衬底设备项目商业计划书德阳碳化硅衬底设备项目商业计划书xx投资管理公司报告说明据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。根据谨慎财务估算,项目总投资11597.65万元,其中:建设投资9416.43万元,占项目总投资的81.19%;建设期利息114.13万元,占项目总投资的0.98%;流动资金2067.09万元,占项目总投资的17.82%。项目正常运营每年营业收
2、入21600.00万元,综合总成本费用16317.87万元,净利润3870.31万元,财务内部收益率26.19%,财务净现值6820.54万元,全部投资回收期5.07年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目基本情况8一、 项目名称及项目单位8二、 项目建设地点8
3、三、 建设背景、规模8四、 项目建设进度9五、 建设投资估算9六、 项目主要技术经济指标9主要经济指标一览表10七、 主要结论及建议11第二章 项目背景及必要性13一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心13二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%14三、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒15四、 做强支撑成都都市圈高质量发展的重要功能板块16第三章 市场预测19一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临19二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期20三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期22第四章 项目承办单位基本情况2
4、5一、 公司基本信息25二、 公司简介25三、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划31第五章 运营管理模式37一、 公司经营宗旨37二、 公司的目标、主要职责37三、 各部门职责及权限38四、 财务会计制度41第六章 发展规划分析45一、 公司发展规划45二、 保障措施51第七章 创新驱动53一、 企业技术研发分析53二、 项目技术工艺分析55三、 质量管理56四、 创新发展总结57第八章 法人治理结构59一、 股东权利及义务59二、 董事64三、 高级管理人员68四、 监
5、事70第九章 SWOT分析72一、 优势分析(S)72二、 劣势分析(W)74三、 机会分析(O)74四、 威胁分析(T)75第十章 建筑技术分析81一、 项目工程设计总体要求81二、 建设方案82三、 建筑工程建设指标83建筑工程投资一览表83第十一章 项目实施进度计划85一、 项目进度安排85项目实施进度计划一览表85二、 项目实施保障措施86第十二章 风险评估分析87一、 项目风险分析87二、 项目风险对策89第十三章 建设规模与产品方案92一、 建设规模及主要建设内容92二、 产品规划方案及生产纲领92产品规划方案一览表92第十四章 项目投资计划94一、 投资估算的依据和说明94二、
6、建设投资估算95建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97四、 流动资金99流动资金估算表99五、 总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表102第十五章 经济效益评价103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十六章 项目综合评价114第十七章 附表附录116建
7、设投资估算表116建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表124项目投资现金流量表125第一章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称:德阳碳化硅衬底设备项目项目单位:xx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约34.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目
8、建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积22667.00(折合约34.00亩),预计场区规划总建筑面积35630.65。其中:生产工程23812.92,仓储工程6026.53,行政办公及生活服务设施3809.97,公共工程1981.23。项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情
9、况,xx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资11597.65万元,其中:建设投资9416.43万元,占项目总投资的81.19%;建设期利息114.13万元,占项目总投资的0.98%;流动资金2067.09万元,占项目总投资的17.82%。(二)建设投资构成本期项目建设投资9416.43万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用7585.30万元,工程建
10、设其他费用1576.06万元,预备费255.07万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入21600.00万元,综合总成本费用16317.87万元,纳税总额2426.05万元,净利润3870.31万元,财务内部收益率26.19%,财务净现值6820.54万元,全部投资回收期5.07年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积22667.00约34.00亩1.1总建筑面积35630.651.2基底面积13146.861.3投资强度万元/亩251.702总投资万元11597.652.1建设投资万元9416.432.1
11、.1工程费用万元7585.302.1.2其他费用万元1576.062.1.3预备费万元255.072.2建设期利息万元114.132.3流动资金万元2067.093资金筹措万元11597.653.1自筹资金万元6939.243.2银行贷款万元4658.414营业收入万元21600.00正常运营年份5总成本费用万元16317.876利润总额万元5160.427净利润万元3870.318所得税万元1290.119增值税万元1014.2310税金及附加万元121.7111纳税总额万元2426.0512工业增加值万元8253.1713盈亏平衡点万元6558.74产值14回收期年5.0715内部收益率2
12、6.19%所得税后16财务净现值万元6820.54所得税后七、 主要结论及建议通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。第二章 项目背景及必要性一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)
13、。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑
14、匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 衬底为技术壁垒最高环
15、节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮
16、化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研
17、发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏
18、硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。四、 做强支撑成都都市圈高质量发展的重要功能板块全面融入成都极核。全方位对标成都、学习成都、融入成都,协同成都“北改”,建设凯州新城成都
19、东部新区产业协作区,构筑成都都市圈北部增长极。推进公共交通同城同网,加快建设一批轨道交通项目,畅通都市圈高快速路网,提高公共交通服务水平,构建“9高13快13轨”综合交通体系,打造成都都市圈通勤最佳城市。推进产业协同共兴,打造成德临港经济产业协作带,培育上下成链、左右配套、优势互补、集群发展的产业生态圈,共建乡村振兴示范走廊。推进生态环境共治共保,健全大气污染和重点流域水体联防联控联治机制,持续改善区域生态环境。推进公共服务共建共享,大力开展合作办学办医,促进各类社保关系无障碍转移及公积金无差异化使用,推进政务服务协同联动,推动数据资源开放整合,共建一体化营商环境,不断增强广大市民的同城化获得
20、感。打造支撑国内大循环的经济腹地重要承载地。发挥区位交通、产业基础、资源承载、人力资本、商务成本等比较优势,完善城市功能,实施质量强市战略,做强产业园区,承接产业转移,做大产业规模,做优产业品牌,建设产业高地,形成成渝地区双城经济圈和中国西部重要的人口经济集中承载地。坚定不移实施扩大内需战略,深化供给侧结构性改革,注重需求侧结构性改革,贯通生产、分配、流通、消费各环节,以创新驱动、高质量供给引领和创造新需求。增强消费对经济发展的基础性作用,建设城市中央活力区和特色领域、特定群体集中体验消费区,增强品质消费供给水平,打造全省区域消费中心城市和成都国际消费中心城市重要功能区。发挥工业化和城镇化后发
21、优势,扩大有效投资,激活民间投资,加快形成市场主导的投资内生增长机制,推进一批重大项目建设,为打造支撑国内大循环的经济腹地重要承载地强基础、增功能。建设畅通国内国际双循环的门户枢纽重要支撑地。建设成都国际高端要素集聚运筹中心的功能配套区,建强现代产业体系,为成都优质资源集聚转化提供应用场景,提升德阳在装备制造、数字经济、文化旅游等特色领域优质资源的集聚配置功能。建设成都国际物流枢纽的功能协作区,加密德阳西向南向国际班列,积极发展公铁空多式联运,打造重要特色商品的区域集散分拨中心。建设成都国际交往中心的功能延伸区,高标准建设一批会展、赛事、文旅服务设施,打造文化、川菜、民宿、健康等特色消费品牌,
22、成为重大国际交流活动的重要承办地和入境人员的优质生活体验地。建设开放平台载体的功能联动区,建成一批海关特殊监管区域和特定商品进口口岸,强化与成都和沿海港口的区港联动、区区联动,建好中德等双边合作园区,与成都共同打造环境优、效率高、辐射带动能力强的内陆开放口岸。第三章 市场预测一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动
23、。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够
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