抚顺碳化硅衬底项目建议书(模板参考).docx
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1、泓域咨询/抚顺碳化硅衬底项目建议书抚顺碳化硅衬底项目建议书xx投资管理公司报告说明2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对
2、应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。根据谨慎财务估算,项目总投资22829.05万元,其中:建设投资18143.76万元,占项目总投资的79.48%;建设期利息493.57万元,占项目总投资的2.16%;流动资金4191.7
3、2万元,占项目总投资的18.36%。项目正常运营每年营业收入37600.00万元,综合总成本费用28388.69万元,净利润6749.09万元,财务内部收益率23.23%,财务净现值13177.76万元,全部投资回收期5.70年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为
4、投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模11六、 项目建设进度12七、 环境影响12八、 建设投资估算12九、 项目主要技术经济指标13主要经济指标一览表13十、 主要结论及建议15第二章 行业、市场分析16一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17三、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期19第三章 建筑工程技术方案21一、 项目工程设计总体要求21二、 建设方案23三、 建筑工程建设指标
5、24建筑工程投资一览表24第四章 项目选址分析26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 狠抓招商引资27四、 狠抓项目建设27五、 项目选址综合评价28第五章 发展规划分析29一、 公司发展规划29二、 保障措施35第六章 SWOT分析37一、 优势分析(S)37二、 劣势分析(W)39三、 机会分析(O)39四、 威胁分析(T)41第七章 项目节能说明49一、 项目节能概述49二、 能源消费种类和数量分析50能耗分析一览表51三、 项目节能措施51四、 节能综合评价52第八章 进度实施计划54一、 项目进度安排54项目实施进度计划一览表54二、 项目实施保障措施55第九章 环保
6、分析56一、 编制依据56二、 建设期大气环境影响分析57三、 建设期水环境影响分析58四、 建设期固体废弃物环境影响分析59五、 建设期声环境影响分析59六、 环境管理分析60七、 结论61八、 建议61第十章 技术方案分析63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理67四、 设备选型方案68主要设备购置一览表68第十一章 劳动安全评价70一、 编制依据70二、 防范措施71三、 预期效果评价74第十二章 原辅材料及成品分析75一、 项目建设期原辅材料供应情况75二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理75第十三章 项目投资计划76一、 投资估算的编制说明76二、 建
7、设投资估算76建设投资估算表78三、 建设期利息78建设期利息估算表79四、 流动资金80流动资金估算表80五、 项目总投资81总投资及构成一览表81六、 资金筹措与投资计划82项目投资计划与资金筹措一览表83第十四章 项目经济效益评价85一、 经济评价财务测算85营业收入、税金及附加和增值税估算表85综合总成本费用估算表86固定资产折旧费估算表87无形资产和其他资产摊销估算表88利润及利润分配表90二、 项目盈利能力分析90项目投资现金流量表92三、 偿债能力分析93借款还本付息计划表94第十五章 风险防范96一、 项目风险分析96二、 项目风险对策98第十六章 项目综合评价100第十七章
8、附表附录102主要经济指标一览表102建设投资估算表103建设期利息估算表104固定资产投资估算表105流动资金估算表106总投资及构成一览表107项目投资计划与资金筹措一览表108营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表113第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:抚顺碳化硅衬底项目项目单位:xx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约55.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。
9、三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、
10、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)技术原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。
11、6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。五、 建设背景、规模(一)项目背景目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)建设
12、规模及产品方案该项目总占地面积36667.00(折合约55.00亩),预计场区规划总建筑面积59062.07。其中:生产工程37645.43,仓储工程10815.84,行政办公及生活服务设施6009.04,公共工程4591.76。项目建成后,形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等,符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的
13、要求,项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺,生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后,均能达标排放,符合清洁生产理念。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资22829.05万元,其中:建设投资18143.76万元,占项目总投资的79.48%;建设期利息493.57万元,占项目总投资的2.16%;流动资金4191.72万元,占项目总投资的18.36%。(二)建设投资构成本期项目建设投资18143.76万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用15862.47
14、万元,工程建设其他费用1828.59万元,预备费452.70万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入37600.00万元,综合总成本费用28388.69万元,纳税总额4233.22万元,净利润6749.09万元,财务内部收益率23.23%,财务净现值13177.76万元,全部投资回收期5.70年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积36667.00约55.00亩1.1总建筑面积59062.071.2基底面积20900.191.3投资强度万元/亩323.322总投资万元22829.052.1建设投资万元181
15、43.762.1.1工程费用万元15862.472.1.2其他费用万元1828.592.1.3预备费万元452.702.2建设期利息万元493.572.3流动资金万元4191.723资金筹措万元22829.053.1自筹资金万元12756.053.2银行贷款万元10073.004营业收入万元37600.00正常运营年份5总成本费用万元28388.696利润总额万元8998.797净利润万元6749.098所得税万元2249.709增值税万元1771.0010税金及附加万元212.5211纳税总额万元4233.2212工业增加值万元14362.2613盈亏平衡点万元12109.99产值14回收期
16、年5.7015内部收益率23.23%所得税后16财务净现值万元13177.76所得税后十、 主要结论及建议经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。第二章 行业、市场分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代
17、,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料
18、(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较
19、硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一
20、)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子)
21、,极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 竞争格局:国内外差距逐步缩
22、小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二
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