巴中碳化硅衬底项目商业计划书_范文参考.docx

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1、泓域咨询/巴中碳化硅衬底项目商业计划书巴中碳化硅衬底项目商业计划书xxx集团有限公司目录第一章 项目概况9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目投资主体概况14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据17公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据18五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨19七、 公司发展规划20第三章 项目建设背景、必要性22一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%22二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心23三、 强化产业协作配套24四、 积极融入

2、新发展格局和成渝地区双城经济圈建设25五、 项目实施的必要性28第四章 行业发展分析29一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越29二、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期30三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临32第五章 发展规划34一、 公司发展规划34二、 保障措施35第六章 创新驱动37一、 企业技术研发分析37二、 项目技术工艺分析39三、 质量管理40四、 创新发展总结41第七章 SWOT分析42一、 优势分析（S）42二、 劣势分析（W）44三、 机会分析（O）44四、 威胁分析（T）45第八章 法人治理53一、 股东权利及义务53二、 董事6

3、0三、 高级管理人员66四、 监事68第九章 运营管理71一、 公司经营宗旨71二、 公司的目标、主要职责71三、 各部门职责及权限72四、 财务会计制度75第十章 项目规划进度79一、 项目进度安排79项目实施进度计划一览表79二、 项目实施保障措施80第十一章 风险风险及应对措施81一、 项目风险分析81二、 公司竞争劣势88第十二章 建筑工程说明89一、 项目工程设计总体要求89二、 建设方案90三、 建筑工程建设指标91建筑工程投资一览表91第十三章 建设规模与产品方案93一、 建设规模及主要建设内容93二、 产品规划方案及生产纲领93产品规划方案一览表93第十四章 投资估算95一、

4、编制说明95二、 建设投资95建筑工程投资一览表96主要设备购置一览表97建设投资估算表98三、 建设期利息99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100四、 流动资金101流动资金估算表102五、 项目总投资103总投资及构成一览表103六、 资金筹措与投资计划104项目投资计划与资金筹措一览表104第十五章 项目经济效益分析106一、 经济评价财务测算106营业收入、税金及附加和增值税估算表106综合总成本费用估算表107固定资产折旧费估算表108无形资产和其他资产摊销估算表109利润及利润分配表111二、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113三、 偿债能力分析114借款还本付

5、息计划表115第十六章 总结分析117第十七章 附表119主要经济指标一览表119建设投资估算表120建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表131建筑工程投资一览表132项目实施进度计划一览表133主要设备购置一览表134能耗分析一览表134报告说明据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的

6、占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州

7、建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。根据谨慎财务估算，项目总投资46411.20万元，其中：建设投资37129.94万元，占项目总投资的80.00%；建设期利息508.03万元，占项目总投资的1.09%；流动资金8773.23万元，占项目总投资的18.90%。项目正常运营每年营业收入96000.00万元，综合总成本费用73817.65万元，净利润16235.34万元，财务内部收益率27.79%，财务净现值31103.21万元，全部投资回收期4.93年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各

8、项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称巴中碳化硅衬底项目（二）项目投资人xxx集团有限公司

9、（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准）。二、 项目建设背景半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核

10、心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。三、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以最终选址方案为准），占地面积约93.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资46411.20万元，其中：建设投资37129.94万元，占项目总投资的80.00%；建设期利息508.03万元，占项目总投资的1.09%；流动资金8773.23万元

11、，占项目总投资的18.90%。（五）资金筹措项目总投资46411.20万元，根据资金筹措方案，xxx集团有限公司计划自筹资金（资本金）25675.30万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额20735.90万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：96000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：73817.65万元。3、项目达产年净利润（NP）：16235.34万元。4、财务内部收益率（FIRR）：27.79%。5、全部投资回收期（Pt）：4.93年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：32739.13万元（产值）。（七）社会效益本项目生产所需的原

12、辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62000.00约93.00亩1.1总建筑面积112841.981.2基底面积3

13、6580.001.3投资强度万元/亩393.002总投资万元46411.202.1建设投资万元37129.942.1.1工程费用万元32417.002.1.2其他费用万元3524.442.1.3预备费万元1188.502.2建设期利息万元508.032.3流动资金万元8773.233资金筹措万元46411.203.1自筹资金万元25675.303.2银行贷款万元20735.904营业收入万元96000.00正常运营年份5总成本费用万元73817.656利润总额万元21647.127净利润万元16235.348所得税万元5411.789增值税万元4460.2410税金及附加万元535.2311纳

14、税总额万元10407.2512工业增加值万元35085.4413盈亏平衡点万元32739.13产值14回收期年4.9315内部收益率27.79%所得税后16财务净现值万元31103.21所得税后第二章 项目投资主体概况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx集团有限公司2、法定代表人：邓xx3、注册资本：1180万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-3-197、营业期限：2012-3-19至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目

15、，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理

16、推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技

17、术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自

18、动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的

19、把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额21627.8017302.2416220.85负债总额12924.1010339.289693.08股东权益合计8703.706962.966527.78公司合并利润表主要数据项目2020年

20、度2019年度2018年度营业收入48325.6438660.5136244.23营业利润10857.568686.058143.17利润总额8708.096966.476531.07净利润6531.075094.234702.37归属于母公司所有者的净利润6531.075094.234702.37五、 核心人员介绍1、邓xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。2、万xx，中国国籍，19

21、78年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。3、邹xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。4、武xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。5、秦xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx

22、有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。6、杜xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。7、姜xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。8、彭xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6

23、月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨依据有关法律、法规，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步

24、要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五

25、至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第三章 项目建设背景、必要性一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘

26、型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、

27、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位

28、衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工

29、端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。三、 强化产业协作配套深化成巴、渝巴协同发展，积极融入成渝地区产业分工体系，主动协作配套电子信息、汽车制造、先进材料、节能环保等产业发展，深度融入成渝地区产业链、供应链、价值链。抢抓国家生产力布局调整、功能疏解和产业外溢机

30、遇，积极承接成渝地区、关天经济区、粤港澳大湾区、长三角、京津冀等区域产业转移。支持市内经济开发区、工业园区采取“总部+基地”“研发+转化”“头部+配套”等互动模式，与省内外产业园区、科研院所、大型企业集团等建设功能共建型、飞地经济型合作园区，跨区域构建功能互补、上下衔接、体系完善的产业链。利用中外知名企业四川行、西博会、渝洽会等重大平台，引进一批产业链上下游配套项目，吸引一批企业集团来巴建设生产基地。四、 积极融入新发展格局和成渝地区双城经济圈建设以成渝地区双城经济圈建设为承载，聚焦外强功能、内优布局、拓展路径、强化支撑，促进产业、人口及各类生产要素合理流动、高效集聚，加快把国家战略势能转化为

31、振兴发展实效。（一）提升区域发展战略位势立足巴中位于“一带一路”、成渝地区双城经济圈、关天经济区等国家重大战略重要节点的优势，积极融入国内大循环和国内国际双循环。强化区域协同功能，加快融入渝东北川东北一体化发展和万达开川渝统筹发展示范区建设，深化与成都、重庆“双核”的交流合作，深入推进川东北经济区协同发展，打造区域重要增长极。强化绿色产品供给功能，顺应扩大内需和消费升级趋势，积极发展绿色、健康、安全消费的新模式新业态，促进线上线下消费融合发展，开拓内外消费市场，营造安全放心消费环境，打造区域性绿色消费中心。强化成渝地区北向门户枢纽功能，着力畅通立体综合交通走廊，统筹推进现代流通体系建设，积极构

32、建开放平台，大力发展廊道经济，增强区域辐射和要素聚合能力，建设川陕渝区域中心城市。（二）深化拓展“六大突破”战略部署坚持把“六大突破”作为开启现代化建设新征程的重要举措，保持战略定力，接续推进乡村振兴、交通建设、县域经济、特色农业、全域旅游、城乡提升突破。乡村振兴重点突出秦巴山区特色，围绕产业兴旺、生态宜居、乡风文明、治理有效、生活富裕总要求，全面推进“五个振兴”，持续巩固脱贫攻坚成果。交通建设重点突出互联互通，拓展通道、织密网络、构建枢纽，加快融入国家主干交通网络，提升交通区位优势。县域经济重点突出特色产业培育和县城城镇化建设，实施基础设施、服务配套、产业发展“补短板”行动，推进向城市经济升

33、级，积极争创全省县域经济发展先进县。特色农业重点突出现代山地高效特色农业发展方向，加大园区标准化建设，强化科技支撑，建设国省级特色农产品优势区和优质农产品供给基地。全域旅游重点突出文旅深度融合和景区提档升级，优化旅游公共设施布局，提升和丰富产品供给，加快建成全域旅游示范区。城乡提升重点突出城乡协调发展，注重规划建设品质，完善公共服务功能，健全基层治理体系，促进城乡要素双向流动、相融互补，推动城乡融合发展。（三）促进市域协调发展以市域一体化、协同化、差异化发展为导向，立足特色资源和发展基础，进一步释放发展动能。依托“一城两翼”主城区，做精城市经济，加快莲山湖新区开发建设，促进中心城区一体化发展，

34、建设宜居宜业宜游城市。依托光雾山、诺水河等自然景区，做优生态旅游，高品质发展“生态+”“旅游+”经济，建设国际知名旅游目的地。依托川陕革命根据地核心区红色文化资源，做响红色文化，建设全国爱国主义教育、党性教育和红色文化传承示范基地。依托省级经济开发区和重点园区，做强工业经济，大力发展新型工业，建设川东北重要的特色产业集聚区。依托特色农业园区和“巴山新居”，做靓美丽乡村，建设山区乡村振兴先行区。（四）建设以人为核心的现代城镇体系充分发挥中心城区的辐射作用、县城的支撑作用和重点镇的基础作用，加快推进具有秦巴山区特色的新型城镇化。围绕人口走势和产业趋势，合理确定城镇规模、人口密度、空间结构，优化城镇

35、基础设施、公共服务区域布局、项目投资和资源配置。聚焦人民群众生产生活需求，推动城市扩容提质、有机更新，强化历史文化保护和特色风貌塑造，加强老旧小区改造和社区建设，增强城市防洪排涝、消防安全、防灾减灾能力，建设海绵城市、韧性城市。加快智慧城市建设，提高城市精细化、智能化、现代化治理水平。加强城镇规划建设管理，做优做强重点镇、中心镇和特色镇。深化户籍制度改革，全面推行居住证制度，加快农业转移人口市民化。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进

36、一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 行业发展分析一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（

37、Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：Si

38、C器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 竞争格局：国内外差距逐步缩

39、小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二

40、）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业

41、已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。三、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要

42、应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-60

43、0美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应

44、用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。第五章 发展规划一、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式

45、的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。二、 保障

46、措施(一)加大扶持力度一是研究推动产业项目的激励政策，采用补贴、落实相关税费政策等手段，激励产业项目建设；二是产业示范项目激励，采用补贴、优先评优等方式鼓励建设单位积极申报产业评价标识、产业示范项目。(二)严格行业准入严格执行产业政策、准入条件及相关政策法规，公告符合准入条件的企业名单。新增扩能项目坚持减量置换落后产能，适度有序发展新型产品，杜绝低水平重复建设。(三)拓宽融资渠道引导设立产业发展基金。探索政府+资本+用户的发展模式，吸引社会资本深度参与产业发展。(四)扩大国内外合作鼓励企业与国外公司加强合作，支持有条件的企业在境外设立研发中心，充分利用国际资源提升发展水平。加强与“一带一路”沿线国家合作，支持有条件的企业开拓海外业务，推进产业发展走出去。(五)做好人才引进服务依托高等院校，建立人才培训和职业教育基地，培养高素质、实用型管理、技术和蓝领人才队伍。加强与海内外人才合作，多种