常州碳化硅衬底设备项目招商引资方案(范文参考).docx
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1、泓域咨询/常州碳化硅衬底设备项目招商引资方案目录第一章 项目绪论7一、 项目名称及建设性质7二、 项目承办单位7三、 项目定位及建设理由8四、 报告编制说明9五、 项目建设选址11六、 项目生产规模11七、 建筑物建设规模11八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成12十、 资金筹措方案12十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划13主要经济指标一览表14第二章 行业发展分析16一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越18第三章 产品规划方
2、案21一、 建设规模及主要建设内容21二、 产品规划方案及生产纲领21产品规划方案一览表22第四章 项目选址分析23一、 项目选址原则23二、 建设区基本情况23三、 提升中心城市能级27四、 深度融入区域发展30五、 项目选址综合评价32第五章 建筑工程方案33一、 项目工程设计总体要求33二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表35第六章 发展规划37一、 公司发展规划37二、 保障措施38第七章 运营模式40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第八章 法人治理结构52一、 股东权利及义务52二、 董事5
3、5三、 高级管理人员60四、 监事62第九章 组织机构、人力资源分析66一、 人力资源配置66劳动定员一览表66二、 员工技能培训66第十章 项目节能方案68一、 项目节能概述68二、 能源消费种类和数量分析69能耗分析一览表70三、 项目节能措施70四、 节能综合评价71第十一章 原辅材料分析73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十二章 工艺技术及设备选型74一、 企业技术研发分析74二、 项目技术工艺分析77三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表80第十三章 环保方案分析82一、 编制依据82二、 环境影响合理性分析82三、
4、 建设期大气环境影响分析84四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析85六、 建设期声环境影响分析85七、 环境管理分析86八、 结论及建议87第十四章 投资估算及资金筹措89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表92四、 流动资金94流动资金估算表94五、 总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十五章 项目经济效益98一、 基本假设及基础参数选取98二、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表100利润及利
5、润分配表102三、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104四、 财务生存能力分析105五、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107六、 经济评价结论107第十六章 招投标方案109一、 项目招标依据109二、 项目招标范围109三、 招标要求110四、 招标组织方式110五、 招标信息发布111第十七章 项目总结112第十八章 附表附录114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表119建设投资估算表120建设投资估算表120建设期利
6、息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125第一章 项目绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称常州碳化硅衬底设备项目(二)项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx集团有限公司(二)项目联系人谢xx(三)项目建设单位概况公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本
7、、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。公司坚持提升企业素质,
8、即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。三、 项目定位及建设理由据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策
9、、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)报告编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发,遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益,充分利用成熟、先进经验,实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况,采用先进适用的技术,以经济效益为中心
10、,节约资源,提高资源利用率,做好节能减排,在采用先进适用技术的同时,做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况,合理制定产品方案及工艺路线,设计上充分体现设备的技术先进,操作安全稳妥,投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范,努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备,加强计量管理,提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全,保护环境、节约用地原则进行布置;同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面,本着“三同时”原则,设计上充分考虑装置在上述各方面投资,使得环境保护、安全生
11、产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳,统一治理,安全生产,文明管理。(二) 报告主要内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约74.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项
12、目生产规模项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积80667.16,其中:生产工程47099.21,仓储工程20793.86,行政办公及生活服务设施6306.54,公共工程6467.55。八、 环境影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资36708.
13、26万元,其中:建设投资27905.76万元,占项目总投资的76.02%;建设期利息389.75万元,占项目总投资的1.06%;流动资金8412.75万元,占项目总投资的22.92%。(二)建设投资构成本期项目建设投资27905.76万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用23778.57万元,工程建设其他费用3442.75万元,预备费684.44万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资36708.26万元,其中申请银行长期贷款15908.23万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):82100.00万
14、元。2、综合总成本费用(TC):67284.66万元。3、净利润(NP):10832.40万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.50年。2、财务内部收益率:22.43%。3、财务净现值:12873.12万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积49333.00约74.00亩1.1总建筑面积80667.161
15、.2基底面积29599.801.3投资强度万元/亩360.532总投资万元36708.262.1建设投资万元27905.762.1.1工程费用万元23778.572.1.2其他费用万元3442.752.1.3预备费万元684.442.2建设期利息万元389.752.3流动资金万元8412.753资金筹措万元36708.263.1自筹资金万元20800.033.2银行贷款万元15908.234营业收入万元82100.00正常运营年份5总成本费用万元67284.666利润总额万元14443.207净利润万元10832.408所得税万元3610.809增值税万元3101.1710税金及附加万元372
16、.1411纳税总额万元7084.1112工业增加值万元24139.6813盈亏平衡点万元30568.86产值14回收期年5.5015内部收益率22.43%所得税后16财务净现值万元12873.12所得税后第二章 行业发展分析一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相
17、传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据8
18、0%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(
19、提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应
20、处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(
21、如液相法)的延伸。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核
22、心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快
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