常州碳化硅衬底项目投资计划书(参考模板).docx
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1、泓域咨询/常州碳化硅衬底项目投资计划书目录第一章 项目概述7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据8四、 编制范围及内容8五、 项目建设背景9六、 结论分析11主要经济指标一览表13第二章 行业、市场分析15一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%15二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越16三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17第三章 选址方案20一、 项目选址原则20二、 建设区基本情况20三、 打造科教创新明星城24四、 建设国际化智造名城27五、 项目选址综合评价29第四章 建设方案与产品规划30一、 建设规模及主要建设内容30二、
2、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表30第五章 SWOT分析说明32一、 优势分析(S)32二、 劣势分析(W)33三、 机会分析(O)34四、 威胁分析(T)34第六章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施44第七章 运营模式分析47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第八章 法人治理58一、 股东权利及义务58二、 董事65三、 高级管理人员69四、 监事72第九章 节能分析74一、 项目节能概述74二、 能源消费种类和数量分析75能耗分析一览表76三、 项目节能措施76四、 节能综合评价77第十章 人力
3、资源配置分析79一、 人力资源配置79劳动定员一览表79二、 员工技能培训79第十一章 原辅材料供应、成品管理81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理81第十二章 环境保护分析83一、 编制依据83二、 环境影响合理性分析84三、 建设期大气环境影响分析84四、 建设期水环境影响分析85五、 建设期固体废弃物环境影响分析86六、 建设期声环境影响分析86七、 环境管理分析87八、 结论及建议88第十三章 项目投资计划90一、 投资估算的编制说明90二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表93四、 流动资金94流动资金估算
4、表94五、 项目总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十四章 经济效益及财务分析99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析106五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108六、 经济评价结论108第十五章 项目招标及投标分析110一、 项目招标依据110二、 项目招标范围110三、 招标要求110四、 招标组织方式111五、 招标信息发布111第十六章 项目
5、总结112第十七章 附表附录113主要经济指标一览表113建设投资估算表114建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表124本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目概述一、 项目名称及投资人(一)项目名称常州碳化硅衬底项目(二)项目投资人xxx(集
6、团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准)。二、 编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规,认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定;2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线,提高项目的竞争力和市场适应性;3、设备的布置根据现场实际情况,合理用地;4、严格执行“三同时”原则,积极推进“安全文明清洁”生产工艺,做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行,注意可持续发展要求,具有可操作弹性;5、形成以人为本、美观的生产环境,体现企业文化和企业形象;6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求;7、充分估计工程各类风险,采
7、取规避措施,满足工程可靠性要求。三、 编制依据1、国家建设方针,政策和长远规划;2、项目建议书或项目建设单位规划方案;3、可靠的自然,地理,气候,社会,经济等基础资料;4、其他必要资料。四、 编制范围及内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、 项目建设背景半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代
8、:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。综合实力显著增强。经济运行
9、稳中有进,地区生产总值达7805.3亿元,年均增长7%左右,总量是“十二五”期末的1.48倍,综合实力位居全国26位;人均地区生产总值达2.4万美元左右,是“十二五”期末的1.42倍,位居全国前10位;一般公共预算收入达616.6亿元,是“十二五”期末的1.3倍,位居全国前30位;工业一般纳税人销售达1.3万亿元,是“十二五”期末的1.56倍。经济结构不断优化,三次产业结构优化为2.1:46.3:51.6;智能制造装备、新材料、新一代信息技术等产业保持较好发展态势,战略性新兴产业十大产业链占比达到45%左右,工业强基工程项目数全国地级市第一;金融支持实体经济能力加强,金融机构各项贷款余额突破1
10、万亿元,上市公司累计达到71家,国内上市公司数量位居全国城市20强;常州国家农业科技园区获批,农业基本现代化建设水平位列全省第一方阵;消费成为经济增长第一拉动力,社会消费品零售总额突破2400亿元,年均增长7%左右;旅游总收入超过1200亿元,年均增长13%左右,稳居全省第一方阵。创新驱动成效明显。苏南国家自主创新示范区和创新型城市建设扎实推进,国家创新型城市创新能力指数列全国地级市第三,常州科教城荣获中国最佳创新园区第一名,武进获批全国首批双创示范基地,江苏中关村科技产业园获批省级高新区。全市累计新增省级以上研发机构229家,引进国家级人才工程项目22人、省“双创人才”182人、市“龙城英才
11、”计划创新创业团队1194个;每万名劳动者中高技能人才数达1210人,位居全省第一;中国阿尔伯特大奖第一人花落常州。预计全社会研发经费支出占GDP比重提升至3%,科技进步贡献率达65.8%。高新技术企业达到2400家左右,高新技术产业产值比重达到48%左右,万人发明专利拥有量达到40.19件。人民生活更加富足。超额完成城乡居民收入比2010年翻一番目标任务,城镇、农村居民人均可支配收入分别超过6万元、3.2万元,分别是“十二五”期末的1.4倍、1.46倍,城乡居民收入比缩小到1.87。城镇新增就业累计突破50万人,扶持创业4.4万人,城镇登记失业率控制在3%以下。脱贫攻坚取得显著成效,年人均可
12、支配收入1万元以下建档立卡低收入人口全部脱贫,“两不愁三保障”较好解决,茅山老区帮扶、“阳光扶贫”深入推进,经济薄弱村集体经济年稳定收入达100万元以上。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约32.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资14480.86万元,其中:建设投资11674.87万元,占项目总投资的80.62%;建设期利息314.57万元,占项目总投资的2
13、.17%;流动资金2491.42万元,占项目总投资的17.20%。(五)资金筹措项目总投资14480.86万元,根据资金筹措方案,xxx(集团)有限公司计划自筹资金(资本金)8061.00万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额6419.86万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):23900.00万元。2、年综合总成本费用(TC):18252.50万元。3、项目达产年净利润(NP):4136.90万元。4、财务内部收益率(FIRR):22.29%。5、全部投资回收期(Pt):5.77年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):8274.21万元(产值)。
14、(七)社会效益经分析,本期项目符合国家产业相关政策,项目建设及投产的各项指标均表现较好,财务评价的各项指标均高于行业平均水平,项目的社会效益、环境效益较好,因此,项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本,制定好项目的详细规划及资金使用计划,加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理,特别是加强产品生产的现金流管理,确保企业现金流充足,同时保证各产业链及各工序之间的衔接,控制产品的次品率,赢得市场和打造企业良好发展的局面。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不
15、利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积21333.00约32.00亩1.1总建筑面积37906.521.2基底面积13653.121.3投资强度万元/亩347.782总投资万元14480.862.1建设投资万元11674.872.1.1工程费用万元10048.452.1.2其他费用万元1363.782.1.3预备费万元262.642.2建设期利息万元314.572.3流动资金万元2491.423资金筹措万元14480.863.1自筹资金万元8061.003.2银行贷款万元6419.864营业收入万元23900.00正常
16、运营年份5总成本费用万元18252.506利润总额万元5515.867净利润万元4136.908所得税万元1378.969增值税万元1096.9710税金及附加万元131.6411纳税总额万元2607.5712工业增加值万元8863.1413盈亏平衡点万元8274.21产值14回收期年5.7715内部收益率22.29%所得税后16财务净现值万元4511.18所得税后第二章 行业、市场分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进
17、的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSF
18、ET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了
19、信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更
20、低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来
21、将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研
22、发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90
23、%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。第三章 选址方案一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划,应符合当地工业项目占地使用规划的要求,并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活
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