梧州碳化硅衬底项目实施方案(范文).docx
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1、泓域咨询/梧州碳化硅衬底项目实施方案梧州碳化硅衬底项目实施方案xx有限责任公司目录第一章 项目绪论8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由10四、 报告编制说明11五、 项目建设选址13六、 项目生产规模13七、 建筑物建设规模13八、 环境影响13九、 项目总投资及资金构成13十、 资金筹措方案14十一、 项目预期经济效益规划目标14十二、 项目建设进度规划15主要经济指标一览表15第二章 背景、必要性分析18一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期18二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越19三、 积极扩大有效投资21四、 建强用好产
2、业平台21五、 项目实施的必要性22第三章 市场分析23一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%23二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心24三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期25第四章 产品规划方案28一、 建设规模及主要建设内容28二、 产品规划方案及生产纲领28产品规划方案一览表29第五章 建筑工程方案分析30一、 项目工程设计总体要求30二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表32第六章 运营管理模式34一、 公司经营宗旨34二、 公司的目标、主要职责34三、 各部门职责及权限35四、 财务会计制度38第七章 法人治理结构4
3、5一、 股东权利及义务45二、 董事50三、 高级管理人员55四、 监事57第八章 人力资源配置60一、 人力资源配置60劳动定员一览表60二、 员工技能培训60第九章 劳动安全生产分析63一、 编制依据63二、 防范措施64三、 预期效果评价67第十章 环境保护分析68一、 环境保护综述68二、 建设期大气环境影响分析68三、 建设期水环境影响分析70四、 建设期固体废弃物环境影响分析70五、 建设期声环境影响分析71六、 环境影响综合评价71第十一章 投资方案分析72一、 投资估算的依据和说明72二、 建设投资估算73建设投资估算表75三、 建设期利息75建设期利息估算表75四、 流动资金
4、77流动资金估算表77五、 总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表80第十二章 项目经济效益评价81一、 经济评价财务测算81营业收入、税金及附加和增值税估算表81综合总成本费用估算表82固定资产折旧费估算表83无形资产和其他资产摊销估算表84利润及利润分配表86二、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88三、 偿债能力分析89借款还本付息计划表90第十三章 项目招标方案92一、 项目招标依据92二、 项目招标范围92三、 招标要求93四、 招标组织方式93五、 招标信息发布95第十四章 风险评估分析96一、 项目风险分析96二、 项目风险
5、对策98第十五章 总结分析100第十六章 补充表格102主要经济指标一览表102建设投资估算表103建设期利息估算表104固定资产投资估算表105流动资金估算表106总投资及构成一览表107项目投资计划与资金筹措一览表108营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109固定资产折旧费估算表110无形资产和其他资产摊销估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表114建筑工程投资一览表115项目实施进度计划一览表116主要设备购置一览表117能耗分析一览表117第一章 项目绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称梧州碳化硅衬底项目(二)项目建
6、设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xx有限责任公司(二)项目联系人邹xx(三)项目建设单位概况当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持
7、高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。
8、公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。三、 项目定位及建设理由新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机
9、驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着S
10、iC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。“十三五”时期是我市发展极不平凡的五年,面对错综复杂的宏观形势,面对持续加大的经济下行压力,面对新冠肺炎疫情严重冲击,主要经济指标增速跃居全区前列,地区生产总值、居民人均可支配收入提前一年实现翻一番;脱贫攻坚任务如期完成,25.69万建档立卡贫困人口全部脱贫、267个贫困村全部出列、4个贫困县(区)全部摘帽,历史性消除绝对贫困;改革开放取得重要进展,29项国家级和自治区级改革试点落地见效,营商环境位居全区前列,“东融”开放全面扩大;城乡面貌发生深刻变化,“铁公水空”立体交通运输体系日益完善,能源、水利、信息基础设施支撑能力不断增强,城
11、市建设全面提质,乡村振兴扎实推进,人居环境显著改善;文化事业和文化产业繁荣发展,群众性精神文明创建活动持续深入;生态文明建设成效显著,环境空气质量优良天数、地表水考核断面水质优良比例、森林覆盖率位居全国前列;民生福祉持续增进,覆盖城乡居民的社会保障体系不断健全,科教卫体等社会事业实现新进步,新冠肺炎疫情防控取得重大战略成果,先后获评全国绿化模范城市、全国双拥模范城、国家卫生城市;全面从严治党向纵深推进,干部干事创业精气神有力提振;市域治理现代化水平不断提升,社会和谐稳定,人民安居乐业。“十三五”规划目标任务总体完成,与全国全区同步全面建成小康社会胜利在望。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1
12、、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)报告编制原则为实现产业高质量发展的目标,报告确定按如下原则编制:1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路:资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术,在保证产品质量的同时,力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。(二) 报告主要内容按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,
13、就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研究结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx,占地面积约48.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后,形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积61210.23,其中:生产工程38493.44,仓储工程15793.63,行政办公及生活服务设施4846.23,公共工程2076.93。八、 环境
14、影响本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资24964.41万元,其中:建设投资19681.36万元,占项目总投资的78.84%;建设期利息534.61万元,占项目总投资的2.14%;流动资金4748.44万元,占项目总投资的19.02%。(二)建设投资构成本期项目建设投资19681.36万元,包
15、括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用16670.46万元,工程建设其他费用2424.30万元,预备费586.60万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资24964.41万元,其中申请银行长期贷款10910.53万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):46500.00万元。2、综合总成本费用(TC):36330.61万元。3、净利润(NP):7438.04万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.82年。2、财务内部收益率:22.36%。3、财务净现值:13648.89万元。十二、 项目建
16、设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32000.00约48.00亩1.1总建筑面积61210.231.2基底面积19520.001.3投资强度万元/亩396.592总投资万元24964.412.1建设投资万元19681.362.1.1工程费用万元16670.4
17、62.1.2其他费用万元2424.302.1.3预备费万元586.602.2建设期利息万元534.612.3流动资金万元4748.443资金筹措万元24964.413.1自筹资金万元14053.883.2银行贷款万元10910.534营业收入万元46500.00正常运营年份5总成本费用万元36330.616利润总额万元9917.397净利润万元7438.048所得税万元2479.359增值税万元2099.9610税金及附加万元252.0011纳税总额万元4831.3112工业增加值万元16170.6813盈亏平衡点万元17914.37产值14回收期年5.8215内部收益率22.36%所得税后1
18、6财务净现值万元13648.89所得税后第二章 背景、必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的
19、市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传
20、统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二
21、代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽
22、度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低
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