常州碳化硅衬底设备项目投资计划书模板范文.docx
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1、泓域咨询/常州碳化硅衬底设备项目投资计划书常州碳化硅衬底设备项目投资计划书xx集团有限公司目录第一章 总论7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则8五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度9七、 环境影响9八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议12第二章 行业、市场分析14一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15第三章 背景、必要性分析18一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期18二、 衬底为技术壁垒最
2、高环节,价值量占比46%20三、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒21四、 建设国际化智造名城22第四章 产品规划与建设内容25一、 建设规模及主要建设内容25二、 产品规划方案及生产纲领25产品规划方案一览表25第五章 建筑技术方案说明27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案27三、 建筑工程建设指标28建筑工程投资一览表28第六章 法人治理结构30一、 股东权利及义务30二、 董事32三、 高级管理人员37四、 监事40第七章 运营管理43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第八章 项目环境保护5
3、4一、 环境保护综述54二、 建设期大气环境影响分析54三、 建设期水环境影响分析56四、 建设期固体废弃物环境影响分析56五、 建设期声环境影响分析57六、 环境影响综合评价57第九章 劳动安全生产分析59一、 编制依据59二、 防范措施62三、 预期效果评价66第十章 项目规划进度67一、 项目进度安排67项目实施进度计划一览表67二、 项目实施保障措施68第十一章 原辅材料供应69一、 项目建设期原辅材料供应情况69二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理69第十二章 投资估算70一、 编制说明70二、 建设投资70建筑工程投资一览表71主要设备购置一览表72建设投资估算表73三、 建设期
4、利息74建设期利息估算表74固定资产投资估算表75四、 流动资金76流动资金估算表77五、 项目总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表79第十三章 经济效益分析81一、 经济评价财务测算81营业收入、税金及附加和增值税估算表81综合总成本费用估算表82固定资产折旧费估算表83无形资产和其他资产摊销估算表84利润及利润分配表86二、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88三、 偿债能力分析89借款还本付息计划表90第十四章 风险风险及应对措施92一、 项目风险分析92二、 项目风险对策94第十五章 总结说明97第十六章 附表附件98营业收入、
5、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表101项目投资现金流量表102借款还本付息计划表103建设投资估算表104建设投资估算表104建设期利息估算表105固定资产投资估算表106流动资金估算表107总投资及构成一览表108项目投资计划与资金筹措一览表109本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称:常州碳化硅衬底设备项目项目单位:xx集团有限
6、公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约48.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中国制造2025;2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划;3、工业绿色发展规划(2016-2020年);4、促进中小企
7、业发展规划(20162020年);5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策;7、项目建设单位提供的相关技术参数;8、相关产业调研、市场分析等公开信息。(二)技术原则1、立足于本地区产业发展的客观条件,以集约化、产业化、科技化为手段,组织生产建设,提高企业经济效益和社会效益,实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。五、 建设背景、规模(一)项目背景成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6
8、英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积32000.00(折合约48.00亩),预计场区规划总建筑面积59040.05。其中:生产工程37880.83,仓储工程12826.37,行政办公及生活服务设施4520.69,公共工程3812.16。项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察
9、与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目选址合理,符合相关规划和产业政策,通过采取有效的污染防治措施,污染物可做到达标排放,对周边环境的影响在可承受范围内,因此,在切实落实评价提出的污染控制措施和严格执行“三同时”制度的基础上,从环境影响的角度,本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资17682.08万元,其中:建设投资14150.53万元,占项目总投资的80.03%;建设期利息327.96万元,占项目总投资的1.85%;流动资金3203.59万元,占项目
10、总投资的18.12%。(二)建设投资构成本期项目建设投资14150.53万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用11833.34万元,工程建设其他费用1992.93万元,预备费324.26万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入33900.00万元,综合总成本费用26969.81万元,纳税总额3368.99万元,净利润5062.52万元,财务内部收益率20.47%,财务净现值5207.52万元,全部投资回收期6.01年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32000.00约48.00亩1
11、.1总建筑面积59040.051.2基底面积18240.001.3投资强度万元/亩273.402总投资万元17682.082.1建设投资万元14150.532.1.1工程费用万元11833.342.1.2其他费用万元1992.932.1.3预备费万元324.262.2建设期利息万元327.962.3流动资金万元3203.593资金筹措万元17682.083.1自筹资金万元10989.003.2银行贷款万元6693.084营业收入万元33900.00正常运营年份5总成本费用万元26969.816利润总额万元6750.037净利润万元5062.528所得税万元1687.519增值税万元1501.3
12、210税金及附加万元180.1611纳税总额万元3368.9912工业增加值万元11623.1413盈亏平衡点万元13655.84产值14回收期年6.0115内部收益率20.47%所得税后16财务净现值万元5207.52所得税后十、 主要结论及建议项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。第二章 行业、市场分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格
13、局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(
14、WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:
15、天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材
16、料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发
17、生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。第三章 背景、必要性分析一、 新能源车带
18、来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如
19、未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成
20、本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到
21、85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 衬底为技术壁垒
22、最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底
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