河池碳化硅衬底设备项目商业计划书模板参考.docx
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1、泓域咨询/河池碳化硅衬底设备项目商业计划书河池碳化硅衬底设备项目商业计划书xx(集团)有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资19648.36万元,其中:建设投资16203.16万元,占项目总投资的82.47%;建设期利息217.81万元,占项目总投资的1.11%;流动资金3227.39万元,占项目总投资的16.43%。项目正常运营每年营业收入35200.00万元,综合总成本费用29227.30万元,净利润4361.35万元,财务内部收益率16.54%,财务净现值3828.47万元,全部投资回收期6.11年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。SiC衬底设备主
2、要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目概述8一、 项目名称及项目单位8二、 项目建设地点8三、 建设背景、规模8四、 项目建设进度9五、 建设投资估算9六、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表10七、 主要结论及建议12第二章 市场预测13一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心13二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%14第三章 项目建设背景、必要
3、性16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期17三、 健全科技创新体制机制19四、 强化创新主体培育20五、 项目实施的必要性20第四章 公司基本情况22一、 公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、 公司主要财务数据25公司合并资产负债表主要数据25公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍26六、 经营宗旨27七、 公司发展规划27第五章 SWOT分析30一、 优势分析(S)30二、 劣势分析(W)32三、 机会分析(O)32四、 威胁分析(T)33第六章 法人治理37一、 股东权利及义务37二、
4、董事44三、 高级管理人员49四、 监事51第七章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施55第八章 创新发展58一、 企业技术研发分析58二、 项目技术工艺分析60三、 质量管理61四、 创新发展总结62第九章 运营管理模式63一、 公司经营宗旨63二、 公司的目标、主要职责63三、 各部门职责及权限64四、 财务会计制度67第十章 项目规划进度73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十一章 建筑工程方案分析75一、 项目工程设计总体要求75二、 建设方案76三、 建筑工程建设指标77建筑工程投资一览表77第十二章 建设方案与产品规划79
5、一、 建设规模及主要建设内容79二、 产品规划方案及生产纲领79产品规划方案一览表79第十三章 项目风险评估81一、 项目风险分析81二、 公司竞争劣势84第十四章 投资方案分析85一、 投资估算的依据和说明85二、 建设投资估算86建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90固定资产投资估算表92四、 流动资金92流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表95第十五章 项目经济效益97一、 基本假设及基础参数选取97二、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表99利
6、润及利润分配表101三、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103四、 财务生存能力分析104五、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106六、 经济评价结论106第十六章 总结说明108第十七章 附表附录111建设投资估算表111建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表119项目投资现金流量表120第一章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:河池碳化硅衬底
7、设备项目项目单位:xx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区,占地面积约51.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC
8、衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积34000.00(折合约51.00亩),预计场区规划总建筑面积58861.24。其中:生产工程40997.88,仓储工程8921.33,行政办公及生活服务设施4907.32,公共工程4034.71。项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设
9、进度结合该项目建设的实际工作情况,xx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资19648.36万元,其中:建设投资16203.16万元,占项目总投资的82.47%;建设期利息217.81万元,占项目总投资的1.11%;流动资金3227.39万元,占项目总投资的16.43%。(二)建设投资构成本期项目建设投资16203.16万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其
10、中:工程费用14443.96万元,工程建设其他费用1403.92万元,预备费355.28万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入35200.00万元,综合总成本费用29227.30万元,纳税总额2924.46万元,净利润4361.35万元,财务内部收益率16.54%,财务净现值3828.47万元,全部投资回收期6.11年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积34000.00约51.00亩1.1总建筑面积58861.241.2基底面积19720.001.3投资强度万元/亩309.902总投资万元19648.3
11、62.1建设投资万元16203.162.1.1工程费用万元14443.962.1.2其他费用万元1403.922.1.3预备费万元355.282.2建设期利息万元217.812.3流动资金万元3227.393资金筹措万元19648.363.1自筹资金万元10758.113.2银行贷款万元8890.254营业收入万元35200.00正常运营年份5总成本费用万元29227.306利润总额万元5815.137净利润万元4361.358所得税万元1453.789增值税万元1313.1110税金及附加万元157.5711纳税总额万元2924.4612工业增加值万元10527.3513盈亏平衡点万元142
12、87.46产值14回收期年6.1115内部收益率16.54%所得税后16财务净现值万元3828.47所得税后七、 主要结论及建议该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。第二章 市场预测一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率
13、)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于23
14、00C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法
15、)的延伸。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新
16、能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第三章 项目建设背景、必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。
17、国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占
18、据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英
19、寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5
20、060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达5
21、87万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长
22、器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产
23、,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 健全科技创新体制机制认真落实国家和自治区关于科技体制机制改革的各项政策,加强科技政策与产业、财政、金融等政策有机衔接,推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置。构建科技评价机制,优化科技奖励项目。健全以财政投入为引导、企业投入为主体、金融机构投入为支撑、社会投入为补充的多元化投入机制,促进新技术产业化规模化应用。加强知识产权保护,健全创新激励和保障机制,提高科技成果转移转化成效。发挥企业创新主体作用,激励中小企业高新技术产业创
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