年产xx万片碳化硅衬底项目资金申请报告(参考范文).docx
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1、泓域咨询/年产xx万片碳化硅衬底项目资金申请报告报告说明据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。根据谨慎财务估算,项目总投资5081.81万元,其中:建设投资4107.92万元,占项目总投资的80.84%;建设期利息52.91万元,占项目总投资的1.04%;流动资金920.98万元,占项目总投资的18.12%。项目正常运营每年营业收入8600.00万元,综合总成本费用6932.5
2、7万元,净利润1217.92万元,财务内部收益率17.95%,财务净现值1043.71万元,全部投资回收期5.94年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,该项目属于国家鼓励支持的项目,项目的经济和社会效益客观,项目的投产将改善优化当地产业结构,实现高质量发展的目标。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 背景、必要性分析7一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期7二、 新
3、能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期8三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越10四、 加快建设具有核心竞争力的科技创新引领区12五、 项目实施的必要性15第二章 行业、市场分析16一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心16二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%17三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临18第三章 项目概述21一、 项目名称及项目单位21二、 项目建设地点21三、 可行性研究范围21四、 编制依据和技术原则22五、 建设背景、规模23六、 项目建设进度24七、 环境影响24八、 建设投资估算24九、 项目主要技术经济指标
4、25主要经济指标一览表25十、 主要结论及建议27第四章 选址方案28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况28三、 大力优化营商环境30四、 项目选址综合评价31第五章 建筑工程方案分析32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表33第六章 运营模式35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 各部门职责及权限36四、 财务会计制度39第七章 发展规划45一、 公司发展规划45二、 保障措施51第八章 进度实施计划54一、 项目进度安排54项目实施进度计划一览表54二、 项目实施保障措施55第九章 项目节能方案56一、
5、项目节能概述56二、 能源消费种类和数量分析57能耗分析一览表57三、 项目节能措施58四、 节能综合评价59第十章 组织机构及人力资源配置60一、 人力资源配置60劳动定员一览表60二、 员工技能培训60第十一章 工艺技术说明63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理66四、 设备选型方案67主要设备购置一览表68第十二章 项目投资计划69一、 投资估算的编制说明69二、 建设投资估算69建设投资估算表71三、 建设期利息71建设期利息估算表72四、 流动资金73流动资金估算表73五、 项目总投资74总投资及构成一览表74六、 资金筹措与投资计划75项目投资计划与
6、资金筹措一览表76第十三章 经济效益及财务分析78一、 基本假设及基础参数选取78二、 经济评价财务测算78营业收入、税金及附加和增值税估算表78综合总成本费用估算表80利润及利润分配表82三、 项目盈利能力分析82项目投资现金流量表84四、 财务生存能力分析85五、 偿债能力分析86借款还本付息计划表87六、 经济评价结论87第十四章 风险分析89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十五章 项目总结94第十六章 补充表格95主要经济指标一览表95建设投资估算表96建设期利息估算表97固定资产投资估算表98流动资金估算表99总投资及构成一览表100项目投资计划与资金筹措一览表101营
7、业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表107建筑工程投资一览表108项目实施进度计划一览表109主要设备购置一览表110能耗分析一览表110第一章 背景、必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价
8、格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产
9、推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)
10、。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6
11、英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基
12、器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%
13、,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三
14、、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件
15、,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特
16、性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 加快建设具有核心竞争力的科技创新引领区面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,充分发挥创新的核心作用,以长株潭国家自主创新示范
17、区和国家创新型城市建设为抓手,大力实施关键核心技术攻关、基础研究发展、创新主体增量提质、中国动力谷人才行动、创新平台建设、创新生态优化、科技成果转化等“创新引领七大计划”,全面塑造创新发展新优势,在打造具有核心竞争力的科技创新高地中彰显更大担当。(一)加强关键技术攻关和成果转化实施关键核心技术攻关计划,聚焦轨道交通、航空、新能源汽车、IGBT、人工智能、新材料等领域,突破一批“卡脖子”技术,提升重点领域基础研究和应用能力。实施基础研究发展计划,依托现有优势,加大研发投入,提升原始创新能力,推动前沿性颠覆性技术创新。实施科技成果转化计划,完善成果转移转化机制,优化科技成果考核评价体系,提高科技成
18、果本地转化率。加快形成“产学研用”利益共同体,逐步健全“先确权、后转化”有效机制,打通基础研究、应用研究、产业转化的堵点,构建顺畅高效的技术创新和转移转化体系。(二)强化企业创新主体地位实施创新主体增量提质计划,大力培育高新技术企业、科技型中小微企业,有效发挥大企业引领支撑作用,支持创新型中小微企业快速成长壮大,推动产业链上中下游、大中小企业协同创新。鼓励企业加大研发设计力度,支持企业参与“揭榜挂帅”、开展核心技术零部件和元器件、先进基础工艺、关键基础材料、产业技术基础等工业“四基”攻关,促进创新要素向企业集聚。(三)加大创新人才引进和培养力度牢固确立人才引领发展的战略地位,全面聚集人才,着力
19、夯实高质量发展人才基础。实施中国动力谷人才计划,优化升级“人才30条”,建立与世界接轨的人才引培机制。紧贴重点产业链需求,实行柔性引才用才,建设创新型专业人才队伍和人才智库,大力吸引青年人才,发挥领军人才作用,着力培养创新型、应用型、技能型人才。尊重人才、尊重知识、尊重创新,努力为各类人才提供宜居、宜业、宜创的生活环境,着力营造良好的创新创业氛围。健全人才评价激励制度,加快形成以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。大力弘扬科学家精神、劳模精神、工匠精神,支持人才优先发展,打造中部地区创新人才汇聚新高地。(四)强化产学研合作和平台支撑能力推进产学研深度融合,鼓励各类企业、高校、科
20、研机构加强国际与区域科技合作,采用新技术、研发新产品、创造新模式、培育新业态,提高科技成果吸纳和专业化生产能力。实施创新平台建设计划,布局一批新型研发机构,加快国家先进轨道交通装备创新中心、湖南省新能源汽车协同创新研究院、国家永磁技术研究中心株洲基地等平台建设,争创国家功率半导体产业创新中心、国家中小航空发动机创新中心、国家轨道交通试验中心、国家新能源汽车监督检验中心等平台;优化组合现有国家级企业技术中心、国家级工程技术(研究)中心、国家级重点实验室、国家级监督检验中心等优质创新资源,运用科技创新券等方式,促进优质科研资源开放共享。培育建设一批创新型县市区,加快形成全域创新体系。(五)完善创新
21、体制机制实施创新生态优化计划,推动项目、基地、人才、资金一体化配置,打造一流创新环境。完善专利导航决策制度和政策,建立以运用为导向的高价值专利培育机制,提升产业核心竞争力。开展地理标志与专利、商标等多类型知识产权协同运用,支撑产业区域创新发展实践。改革科技投入方式,构建市场化多元化科技投入机制,完善金融支撑创新体系。强化知识产权运用和保护,积极推行职务发明创造知识产权归属和权益分享制度改革。加大科技奖励力度,完善科技奖励制度。五、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提
22、升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 行业、市场分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在
23、4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数
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