延边碳化硅项目实施方案【范文】.docx
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1、泓域咨询/延边碳化硅项目实施方案目录第一章 项目背景分析7一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%7二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期8三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心9四、 持续深化开发开放11第二章 项目概述13一、 项目名称及项目单位13二、 项目建设地点13三、 可行性研究范围13四、 编制依据和技术原则13五、 建设背景、规模14六、 项目建设进度15七、 环境影响16八、 建设投资估算16九、 项目主要技术经济指标16主要经济指标一览表17十、 主要结论及建议18第三章 行业、市场分析19一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越1
2、9二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期20第四章 项目承办单位基本情况23一、 公司基本信息23二、 公司简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第五章 建筑工程技术方案35一、 项目工程设计总体要求35二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表38第六章 产品方案与建设规划40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表40第七章 法人治理42一、 股东权利及义务42二、 董事47三
3、、 高级管理人员52四、 监事54第八章 SWOT分析说明57一、 优势分析(S)57二、 劣势分析(W)59三、 机会分析(O)59四、 威胁分析(T)60第九章 发展规划分析64一、 公司发展规划64二、 保障措施68第十章 组织架构分析71一、 人力资源配置71劳动定员一览表71二、 员工技能培训71第十一章 劳动安全评价74一、 编制依据74二、 防范措施77三、 预期效果评价82第十二章 项目进度计划83一、 项目进度安排83项目实施进度计划一览表83二、 项目实施保障措施84第十三章 工艺技术及设备选型85一、 企业技术研发分析85二、 项目技术工艺分析87三、 质量管理88四、
4、设备选型方案89主要设备购置一览表90第十四章 项目投资计划91一、 编制说明91二、 建设投资91建筑工程投资一览表92主要设备购置一览表93建设投资估算表94三、 建设期利息95建设期利息估算表95固定资产投资估算表96四、 流动资金97流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表100第十五章 经济效益102一、 基本假设及基础参数选取102二、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表104利润及利润分配表106三、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表108四、 财
5、务生存能力分析109五、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111六、 经济评价结论111第十六章 招标、投标113一、 项目招标依据113二、 项目招标范围113三、 招标要求114四、 招标组织方式116五、 招标信息发布116第十七章 项目总结分析118第十八章 附表附件120营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120固定资产折旧费估算表121无形资产和其他资产摊销估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还本付息计划表125建设投资估算表126建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成
6、一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中
7、SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、
8、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小
9、尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于
10、2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳
11、化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)
12、长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均
13、水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。四、 持续深化开发开放释放区域发展潜能,融入国内国际双循环格局。畅通开放通道。深化“滨海2号”等国际运输通道过境运输合作,用好扎鲁比诺港、斯拉夫扬卡港等周边港口。加强与宁波舟山港、青岛港深度合作,保持内贸外运航线常态化双向运输。突出延吉空港枢纽作用,适时增开延吉经武汉至西安等国内航线,积极恢复至俄罗斯、日本等国际航线,争取延吉至韩国仁川货运包机常态化运营。完成珲春铁路口岸扩能改造,启用圈河口岸新联检楼,完善南坪、双目峰口岸基础设施。推行提前申报、预约通关服
14、务,争取实行中俄海关货物监管结果互认。夯实开放平台。深化与宁波合作,加快珲春海洋经济发展示范区建设。完成开发区人事薪酬制度和招商工作改革试点任务,年底前全面铺开。支持敦化经开区建设省级医药高新区、汪清工业集中区晋升省级经开区。加快边境县(市)边合区和互贸区建设。争创延吉重点开发开放试验区和吉林自贸区延边片区。举办第二届图们江区域自由贸易区研讨会。确保延吉保税物流中心(B型)封关运行,延吉快件监管中心常态化运营。用足珲春综合保税区、跨境电商综试区政策。扩大珲春互市贸易进口商品落地加工规模。第二章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:延边碳化硅项目项目单位:xx有限公司二、 项目建设地点本期
15、项目选址位于xx(待定),占地面积约88.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求,对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证,以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人
16、民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要;2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);3、工业可行性研究编制手册;4、现代财务会计;5、工业投资项目评价与决策;6、国家及地方有关政策、法规、规划;7、项目建设地总体规划及控制性详规;8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据;9、国家公布的相关设备及施工标准。(二)技术原则1、立足于本地区产业发展的客观条件,以集约化、产业化、科技化为手段,组织生产建设,提高企业经济效益和社会效益,实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。五、 建设背景、规模(一)项目背景据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中
17、使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在
18、北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积58667.00(折合约88.00亩),预计场区规划总建筑面积117521.17。其中:生产工程79032.42,仓储工程19205.23,行政办公及生活服务设施10812.12,公共工程8471.40。项目建成后,形成年产xx吨碳化硅材料的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目的建设符合国家政策
19、,各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小,从环保角度分析,本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资39276.81万元,其中:建设投资31459.91万元,占项目总投资的80.10%;建设期利息393.65万元,占项目总投资的1.00%;流动资金7423.25万元,占项目总投资的18.90%。(二)建设投资构成本期项目建设投资31459.91万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用27544.74万元,工程建设其他费用3064.02万元,预备费851.15万元。九、 项
20、目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入69900.00万元,综合总成本费用57994.94万元,纳税总额5928.97万元,净利润8684.99万元,财务内部收益率15.66%,财务净现值993.18万元,全部投资回收期6.28年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积58667.00约88.00亩1.1总建筑面积117521.171.2基底面积36373.541.3投资强度万元/亩349.282总投资万元39276.812.1建设投资万元31459.912.1.1工程费用万元27544.742.1.2其他费用万元306
21、4.022.1.3预备费万元851.152.2建设期利息万元393.652.3流动资金万元7423.253资金筹措万元39276.813.1自筹资金万元23209.513.2银行贷款万元16067.304营业收入万元69900.00正常运营年份5总成本费用万元57994.946利润总额万元11579.997净利润万元8684.998所得税万元2895.009增值税万元2708.9010税金及附加万元325.0711纳税总额万元5928.9712工业增加值万元21304.2713盈亏平衡点万元29679.00产值14回收期年6.2815内部收益率15.66%所得税后16财务净现值万元993.18
22、所得税后十、 主要结论及建议项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。第三章 行业、市场分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁
23、带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受
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