开封碳化硅项目招商引资方案(参考范文).docx
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1、泓域咨询/开封碳化硅项目招商引资方案开封碳化硅项目招商引资方案xx有限公司目录第一章 行业发展分析8一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临8二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越9第二章 绪论12一、 项目名称及建设性质12二、 项目承办单位12三、 项目定位及建设理由13四、 报告编制说明14五、 项目建设选址16六、 项目生产规模16七、 建筑物建设规模16八、 环境影响17九、 项目总投资及资金构成17十、 资金筹措方案17十一、 项目预期经济效益规划目标18十二、 项目建设进度规划18主要经济指标一览表19第三章 项目建设背景及必要性分析21一、 大尺寸大势
2、所趋,衬底是SiC产业化降本的核心21二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期22三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期24四、 建设中原城市群一体化高质量发展引领区26五、 项目实施的必要性28第四章 建筑技术分析29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标30建筑工程投资一览表31第五章 产品方案与建设规划33一、 建设规模及主要建设内容33二、 产品规划方案及生产纲领33产品规划方案一览表33第六章 选址可行性分析35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 挖掘内需潜力,加速融入新发展格局40四、 强化创新驱动,建设郑州
3、都市圈重要的创新高地42五、 项目选址综合评价45第七章 发展规划46一、 公司发展规划46二、 保障措施50第八章 法人治理结构53一、 股东权利及义务53二、 董事56三、 高级管理人员62四、 监事64第九章 SWOT分析66一、 优势分析(S)66二、 劣势分析(W)68三、 机会分析(O)68四、 威胁分析(T)70第十章 节能可行性分析73一、 项目节能概述73二、 能源消费种类和数量分析74能耗分析一览表75三、 项目节能措施75四、 节能综合评价78第十一章 劳动安全评价79一、 编制依据79二、 防范措施80三、 预期效果评价86第十二章 组织架构分析87一、 人力资源配置8
4、7劳动定员一览表87二、 员工技能培训87第十三章 项目环保分析89一、 环境保护综述89二、 建设期大气环境影响分析90三、 建设期水环境影响分析94四、 建设期固体废弃物环境影响分析94五、 建设期声环境影响分析95六、 环境影响综合评价96第十四章 投资计划97一、 投资估算的依据和说明97二、 建设投资估算98建设投资估算表102三、 建设期利息102建设期利息估算表102固定资产投资估算表104四、 流动资金104流动资金估算表105五、 项目总投资106总投资及构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表107第十五章 经济收益分析109一、 经济评价
5、财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表114二、 项目盈利能力分析114项目投资现金流量表116三、 偿债能力分析117借款还本付息计划表118第十六章 招投标方案120一、 项目招标依据120二、 项目招标范围120三、 招标要求120四、 招标组织方式121五、 招标信息发布124第十七章 项目总结分析125第十八章 附表附录127建设投资估算表127建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131
6、营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表135项目投资现金流量表136第一章 行业发展分析一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(
7、OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model
8、3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025
9、年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续
10、布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象
11、,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第二章 绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称开封碳化硅项目(二
12、)项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xx有限公司(二)项目联系人陆xx(三)项目建设单位概况面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审
13、查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业
14、集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。三、 项目定位及建设理由SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速
15、度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、中国制造2025;2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划;3、工业绿色发展规划(2016-2020年);4、促进中小企业发展规划(20162020年);5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策;7、项目建设单位提供的相关技术参数;8、相关产业调研、市场分析等公开信息。(二)报告编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠,保证项目投产后,能安全、稳定、
16、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠,并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施,以降低投资,加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求,符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案,以最大程度减少投资,提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性,实事求是地作出研究结论。(二) 报告主要内容1、项目提出的背景及建设必要性;2、市场需求预测;3、建设规模及产品方案;4、建设地点与建设条
17、性;5、工程技术方案;6、公用工程及辅助设施方案;7、环境保护、安全防护及节能;8、企业组织机构及劳动定员;9、建设实施与工程进度安排;10、投资估算及资金筹措;11、经济评价。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约29.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅材料的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积36525.79,其中:生产工程25656.88,仓储工程5095.24,行政办公及生活服务设施4053.81,公共工程1719
18、.86。八、 环境影响本项目所选生产工艺及规模符合国家产业政策,在严格采取环评报告规定的环境保护对策后,各污染源所排放污染物可以达标排放,对环境影响较小,仅从环保角度来看本项目建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资12105.84万元,其中:建设投资9452.82万元,占项目总投资的78.08%;建设期利息94.50万元,占项目总投资的0.78%;流动资金2558.52万元,占项目总投资的21.13%。(二)建设投资构成本期项目建设投资9452.82万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备
19、费,其中:工程费用8257.81万元,工程建设其他费用915.55万元,预备费279.46万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资12105.84万元,其中申请银行长期贷款3857.08万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):23400.00万元。2、综合总成本费用(TC):19943.79万元。3、净利润(NP):2518.36万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):6.87年。2、财务内部收益率:12.34%。3、财务净现值:-794.61万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有
20、关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划12个月。十四、项目综合评价该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积19333.00约29.00亩1.1总建筑面积36525.791.2基底面积12373.121.3投资强度万元/亩315.712总投资万元12105.842.1建设投资万元9452.822.1.1工程费用万元8257.812.1.2其他费用万元91
21、5.552.1.3预备费万元279.462.2建设期利息万元94.502.3流动资金万元2558.523资金筹措万元12105.843.1自筹资金万元8248.763.2银行贷款万元3857.084营业收入万元23400.00正常运营年份5总成本费用万元19943.796利润总额万元3357.827净利润万元2518.368所得税万元839.469增值税万元819.8710税金及附加万元98.3911纳税总额万元1757.7212工业增加值万元5992.3513盈亏平衡点万元11399.43产值14回收期年6.8715内部收益率12.34%所得税后16财务净现值万元-794.61所得税后第三章
22、 项目建设背景及必要性分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造
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