光纤通信ppt课件概要.ppt
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1、 光接收机分为模拟光接收机和数字光接收机两种光接收机分为模拟光接收机和数字光接收机两种数字光接收机框图数字光接收机框图 数字光接收机分为光电检测器、前置放大数字光接收机分为光电检测器、前置放大器、主放大器、器、主放大器、AGC电路、均衡器、判决电路、均衡器、判决再生和时钟提取七个部分再生和时钟提取七个部分 光接收机也可以分为三部分:光检测器光接收机也可以分为三部分:光检测器和前置放大器合起来称为接收机前端,是和前置放大器合起来称为接收机前端,是光接收机的核心;主放大器、均衡滤波光接收机的核心;主放大器、均衡滤波器和自动增益控制组成光接收机的线性通器和自动增益控制组成光接收机的线性通道;判决器、
2、译码器和时钟恢复组成光道;判决器、译码器和时钟恢复组成光接收机的判决、再生部分接收机的判决、再生部分 光接收机主要的性能指标是误码率(光接收机主要的性能指标是误码率(BER)、灵敏度以及动态范围)、灵敏度以及动态范围 误码率是码元被错误判决的概率,可以用在一定的时间间隔内,发误码率是码元被错误判决的概率,可以用在一定的时间间隔内,发生差错的码元数和在这个时间间隔内传输的总码元数之比来表示生差错的码元数和在这个时间间隔内传输的总码元数之比来表示 接收机灵敏度的定义为:在满足给定能的误码率指标条件下,最低接收机灵敏度的定义为:在满足给定能的误码率指标条件下,最低接收的平均光功率接收的平均光功率Pm
3、in。在工程上常用。在工程上常用dBm来表示,即来表示,即 接收机的最低输出光功率(用接收机的最低输出光功率(用dBm来描述)和最大允许输入光功率来描述)和最大允许输入光功率(用(用dBm来描述)之差(来描述)之差(dB)就是光接收的动态范围)就是光接收的动态范围Pmax和和Pmin为保证系统误码率指标条件下,接收机允许的最大接收光为保证系统误码率指标条件下,接收机允许的最大接收光功率和最小接收光功率功率和最小接收光功率 min10-310lg10rPSmaxmin10lg(dB)PDP光纤通信中对光电检测器最重要的几点要光纤通信中对光电检测器最重要的几点要求如下:求如下: 在所用光源的波长范
4、围内有较高的响应在所用光源的波长范围内有较高的响应度;度; 较小的噪声;较小的噪声; 响应速度快;响应速度快; 对温度变化不敏感;对温度变化不敏感; 与光纤尺寸匹配;与光纤尺寸匹配; 工作寿命长工作寿命长 在光的照射下,使物在光的照射下,使物体中的电子脱出的现体中的电子脱出的现象叫做光电效应象叫做光电效应 右图为半导体右图为半导体PN结的结的形成形成 加反向偏压后光电二极管及其能带结构加反向偏压后光电二极管及其能带结构 PIN光电二极管的原理和结构光电二极管的原理和结构 (1)上截止波长)上截止波长 光电效应必须满足条件光电效应必须满足条件 hvEg 或或 c是真空中的光速, 是入射光的波长,
5、h是普朗克常量 ghcE也就是说,入射光的波长必须小于某个临界值,才会发生光电效应,这个临界值就叫做上截止波长,定义为(2)响应波长的下限 设x = 0时,光功率为p(0),材料吸收系数为 经过经过x距离后吸收的光功率可以表示为距离后吸收的光功率可以表示为 gg1.24chcEE( ) 0e xp xp1 常用量子效率和响应度衡量光电转换效率常用量子效率和响应度衡量光电转换效率当入射功率为当入射功率为P0时,光生电流可以表示为时,光生电流可以表示为w1是零电场的表面层的厚度,是零电场的表面层的厚度,w是耗尽区是耗尽区的厚度的厚度量子效率表示入射光子能够转换成光电流量子效率表示入射光子能够转换成
6、光电流的概率的概率 0011exp1 exp peIr pwwh0101exp1-exppI / e=-r-w-wp / h可以知道,要提高量子效率,必须采取如可以知道,要提高量子效率,必须采取如下措施:下措施: 尽量减小光子在表面层的反射率,增加尽量减小光子在表面层的反射率,增加入射到光电二极管中的光子数;入射到光电二极管中的光子数; 尽量减小中性区的厚度,增加耗尽区的尽量减小中性区的厚度,增加耗尽区的宽度,使光子在耗尽区被充分地吸收宽度,使光子在耗尽区被充分地吸收 光电转换效率也可以直接用光生电流光电转换效率也可以直接用光生电流Ip和和入射光功率入射光功率p0的比值来表示的比值来表示,称其
7、为响应度称其为响应度 00pIeRph响应速度常用响应时间(上升时间和下降响应速度常用响应时间(上升时间和下降时间)来表示时间)来表示 影响响应速度的主要因素有影响响应速度的主要因素有3点点 (1)光电二极管和它的负载电阻的)光电二极管和它的负载电阻的RC时时间常数间常数 结电容与耗尽区的宽度结电容与耗尽区的宽度w及结区面积及结区面积A有关有关 dAC = w(2)载流子在耗尽区里的渡越时间)载流子在耗尽区里的渡越时间下图为漂移速度与电场强度关系下图为漂移速度与电场强度关系若想使载流子能以极限漂移速度渡越耗尽区,反若想使载流子能以极限漂移速度渡越耗尽区,反向偏压须满足向偏压须满足 V Esw
8、(3)耗尽区外产生的载流子由于扩散而产)耗尽区外产生的载流子由于扩散而产生的时间延迟生的时间延迟 暗电流是指无光照时光电二极管的反向电暗电流是指无光照时光电二极管的反向电流流 APD载流子雪崩式倍增示意图(只画出电载流子雪崩式倍增示意图(只画出电子)子) 平均雪崩增益的定义为平均雪崩增益的定义为IM是雪崩增益后输出电流的平均值;是雪崩增益后输出电流的平均值;Ip是是未倍增时的初始光生电流未倍增时的初始光生电流 MpIGI光电二极管输出电流和反向偏压的关系光电二极管输出电流和反向偏压的关系 平均雪崩增益也用一较简单的式子表示为平均雪崩增益也用一较简单的式子表示为 SB11/mGVIRV光纤通信在
9、光纤通信在0.85 m波段常用的波段常用的APD有拉通有拉通型(型(RAPD)和保护环型()和保护环型(GAPD)两种)两种 另一种在长波长波段使用的另一种在长波长波段使用的APD的结构称的结构称为为SAM (Seperated Absorption and Multiplexing)结构)结构 APD的过剩噪声系数为的过剩噪声系数为在工程上,为简化计算,常用过剩噪声指在工程上,为简化计算,常用过剩噪声指数来表示过剩噪声系数,即数来表示过剩噪声系数,即 2222ggF GGg xF GG对噪声的分析应采用随机过程的分析方法对噪声的分析应采用随机过程的分析方法 电阻内部微观粒子的热骚动是一个随机
10、过电阻内部微观粒子的热骚动是一个随机过程程 对于随机噪声对于随机噪声XN来说,落在来说,落在x1和和x1+dx1之之间的概率是间的概率是P(x1XNx1+dx1)它的积分就是概率分布函数,为它的积分就是概率分布函数,为 F(x1, t1) = P(XNx1)= P(XNx1)表示表示XN是落在是落在(,x1)中的概率中的概率 111d111,dxxxf x t x1111,dxf x t x(1)均值)均值 设设 是一个随机过程,它的均值(数学是一个随机过程,它的均值(数学期望)期望) 为为均值也可以用时平均值(用符号均值也可以用时平均值(用符号表示)表示)来代替,即来代替,即 X xt,E
11、X x t, , dEXxtx fxtx, 1lim d2TTTE X tX tX ttT(2)标准差(均方差)标准差(均方差) 随机变量的方差随机变量的方差D (X)和标准差(均方差)和标准差(均方差) 分别为分别为 X 222 D XEXE XE XE X XDX设有时间函数设有时间函数x (t),假设,假设x (t)满足荻氏条满足荻氏条件,且绝对可积,那么件,且绝对可积,那么x (t)的傅里叶变换的傅里叶变换为为 和和 之间有以下的巴塞伐(之间有以下的巴塞伐(parseval)等式成立等式成立 j edwtxFwx tt x t xF w 22 1dd2xxttFww把函数把函数x (t
12、)限制在的限制在的 时间间隔里,时间间隔里,可以得到可以得到 左边表示平均功率,而左边表示平均功率,而就是此函数的双边平均功率谐密度,简称就是此函数的双边平均功率谐密度,简称功率谱密度,它表示功率谱密度,它表示1 Hz频带上平均功率频带上平均功率的大小。所谓的大小。所谓“双边双边”,是指对的正负频,是指对的正负频域都有意义域都有意义 , T T 22 111limd lim , d222TxTTTxttFTTT 2 1lim , 2xxTSFTT放大器噪声的概率密度函数可以表示为高放大器噪声的概率密度函数可以表示为高斯函数斯函数 对随机噪声,对随机噪声,m = 0时,上式可写成时,上式可写成
13、221exp22xmf x 221exp22xf x光接收机的等效电路光接收机的等效电路 带有热噪声的电阻可以有两种等效方式带有热噪声的电阻可以有两种等效方式 一种是等效为一个无噪声的电阻和一个噪一种是等效为一个无噪声的电阻和一个噪声电流源并联声电流源并联 这种等效下并联电流噪声源的功率谱密度这种等效下并联电流噪声源的功率谱密度为为 另一种等效方式是把带有噪声的电阻等效另一种等效方式是把带有噪声的电阻等效为一个理想的电阻和一个噪声电压源串联为一个理想的电阻和一个噪声电压源串联 电压噪声源的双边功率谱密度为电压噪声源的双边功率谱密度为 2bbd2dIRikKSfR2bbd2dEReSkK Rf放
14、大器输出噪声电压的均方值为放大器输出噪声电压的均方值为 ; ; 是放大器、均衡滤是放大器、均衡滤波器的传递函数,它表示输入电流与输出电压之间的传波器的传递函数,它表示输入电流与输出电压之间的传递关系,实为转移阻抗递关系,实为转移阻抗可以看出:可以看出:偏置电阻偏置电阻Rb越大,电阻的热噪声越小;越大,电阻的热噪声越小;输入电阻输入电阻Rt越大、输入电容越大、输入电容Ct越小,串联电压噪声源对越小,串联电压噪声源对总噪声的影响越小总噪声的影响越小 22 222na t2bt2d1d 22ITETkKvSZSZCRRtba/RRRtdsaCCCC TZ场效应管的主要噪声源有两个场效应管的主要噪声源
15、有两个 :n栅漏电流的散粒噪声栅漏电流的散粒噪声n沟道热噪声沟道热噪声 (1)散粒噪声)散粒噪声散粒噪声其功率谱密度为散粒噪声其功率谱密度为e0为电子电荷,为电子电荷, C,Igate是场效应管的栅是场效应管的栅漏电流漏电流(2)沟道热噪声)沟道热噪声 功率谱密度为功率谱密度为gm是场效应管的跨导;是场效应管的跨导; 是器件的数值系数,对是器件的数值系数,对Si FET, ;对;对GaAs FET,(3)输出瑞的总噪声功率)输出瑞的总噪声功率 当当Rb足够大时,上式中的第一项可以忽略,因此足够大时,上式中的第一项可以忽略,因此得到得到 0 gateISe I1901 .6 10e outd2d
16、mikK gf0.71.1 222 22tna0 gate 2bb221d2 d22TTmmCkKkKkKveIZZRggR 2tnamCvg散粒噪声散粒噪声基区电阻的热噪声基区电阻的热噪声分配噪声分配噪声(1)散粒噪声)散粒噪声 功率谱密度为功率谱密度为Ib是晶体管的基极工作电流是晶体管的基极工作电流(2)基区电阻的热噪声 基区电阻的热噪声在输入端作为串联电压噪声源,谱密度为2a1bbd2de kKrf2a0 bddi e If(3)分配噪声)分配噪声 功率谱密度为功率谱密度为将集电极回路里的噪声源等效到输入端,将集电极回路里的噪声源等效到输入端,可等效为一个串联电压噪声源,功率谱密可等效为
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