德阳碳化硅衬底设备项目申请报告模板.docx
《德阳碳化硅衬底设备项目申请报告模板.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《德阳碳化硅衬底设备项目申请报告模板.docx(127页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/德阳碳化硅衬底设备项目申请报告德阳碳化硅衬底设备项目申请报告xxx集团有限公司目录第一章 项目背景分析8一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越8二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心9三、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期11四、 加快建设世界级重大装备制造基地,构建现代产业体系12五、 项目实施的必要性14第二章 总论15一、 项目名称及投资人15二、 编制原则15三、 编制依据16四、 编制范围及内容16五、 项目建设背景17六、 结论分析19主要经济指标一览表21第三章 市场预测23一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%23二、 新
2、能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期24第四章 项目选址27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 健全规划制定和落实机制32四、 加快建设国家科技成果转移转化示范区32五、 项目选址综合评价36第五章 产品方案37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第六章 运营模式分析39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度43第七章 法人治理结构47一、 股东权利及义务47二、 董事50三、 高级管理人员54四、 监事56第八章 SWOT分析说明58一、 优势分析(S)58
3、二、 劣势分析(W)59三、 机会分析(O)60四、 威胁分析(T)60第九章 安全生产分析64一、 编制依据64二、 防范措施65三、 预期效果评价68第十章 原辅材料供应及成品管理69一、 项目建设期原辅材料供应情况69二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理69第十一章 节能方案71一、 项目节能概述71二、 能源消费种类和数量分析72能耗分析一览表73三、 项目节能措施73四、 节能综合评价76第十二章 工艺技术说明77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析80三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表83第十三章 进度计划方案84一、 项目进度安排84项目实施
4、进度计划一览表84二、 项目实施保障措施85第十四章 投资方案86一、 编制说明86二、 建设投资86建筑工程投资一览表87主要设备购置一览表88建设投资估算表89三、 建设期利息90建设期利息估算表90固定资产投资估算表91四、 流动资金92流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表95第十五章 经济效益分析97一、 经济评价财务测算97营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表98固定资产折旧费估算表99无形资产和其他资产摊销估算表100利润及利润分配表102二、 项目盈利能力分析102项目投资现金流
5、量表104三、 偿债能力分析105借款还本付息计划表106第十六章 风险风险及应对措施108一、 项目风险分析108二、 项目风险对策110第十七章 项目综合评价112第十八章 附表114主要经济指标一览表114建设投资估算表115建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表125本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息
6、;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3
7、)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关
8、断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降
9、本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.2
10、5倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工
11、艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。
12、其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,
13、国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。四、 加快建
14、设世界级重大装备制造基地,构建现代产业体系建设富有竞争力的先进制造业集群。保持制造业比重稳中有升,建设全国一流、西部领先的制造强市。实施产业基础再造工程,推动传统产业高端化、智能化、绿色化,发展服务型制造,壮大新兴产业,引导产业集聚集群集约发展,与成都共同打造万亿级装备制造产业集群,培育食品医药、先进材料、数字经济3个千亿级产业集群和通用航空五百亿级产业集群。坚持“一县一园区、一区一主业”,推进产业园区二次创业,优化功能布局,提升承载能力,创新体制机制,强化要素保障,加快创新发展、集约发展、专业发展、绿色发展,打造充满活力、富有竞争力的产业功能区。建设现代服务业强市。聚焦主导产业,推动生产性服
15、务业向专业化和价值链高端延伸、生活性服务业向高品质和多样化升级。坚持优结构、增主体、强供给、提质效,加快发展现代物流、金融服务、科技信息、工业设计等服务业,深化业务关联、链条延伸、技术渗透,建设先进制造业与现代服务业双向融合发展示范区。优质发展商业贸易、川派餐饮等传统服务业,积极培育新业态新模式新载体,引导平台经济、共享经济健康发展,建设特色领域、特定群体的时尚消费体验中心,分担和丰富成都国际消费中心城市功能。打造一批业态突出、特色鲜明、功能完善的现代服务业集聚区。提升农业质量效益和竞争力。深化农业供给侧结构性改革,加快建设现代都市农业,强化绿色导向、标准引领和质量安全监管,增加绿色、有机、生
16、态、安全、优质农产品供给。实施藏粮于地、藏粮于技战略,推进高标准农田建设,稳定粮食产能。高标准建设现代农业园区,培育壮大新型农业经营主体,促进一二三产业融合发展,推动优质品种产能扩大、质量提升、品牌塑造。建设西部数字经济重镇。加快推动数字产业化,大力发展大数据、电子信息、人工智能、电子竞技、软件信息服务等产业,打造具有全国竞争力的特色数字产业集群。深入推动产业数字化,利用数字技术全方位、全角度、全链条赋能传统产业,推动实体经济数字化、网络化、智能化,建设全国一流的“5G+工业互联网”先导区。加快数字社会、数字政府建设,全面提升政府公共服务水平和社会治理效能。高标准规划建设天府数谷,打造数字经济
17、产业功能区。建立数据流通制度规范,保障数据安全,加强个人信息保护。五、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称德阳碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xxx集团有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx。二、 编制原则1、坚持科学发展观,采用科学规划,合理布局,一次设计,分期实施的建设原则。
18、2、根据行业未来发展趋势,合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则,根据行业的现有格局和未来发展方向,优化设备选型和工艺方案,使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则,产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金,将先进性与实用性有机结合,做到投入少、产出多,效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则,对项目可能产生的污染源进行综合治理,使其达到国家规定的排放标准。三、 编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订
19、的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。四、 编制范围及内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析;2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述,确定建设规模;3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价;4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究;5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价;6、对项目实施进度和劳动定员的确定;7、投资估算和资金筹措和经济效益评价;8、提出本项目的研究
20、工作结论。五、 项目建设背景SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。当前和今后一个时期,我国发展仍然处于重要战略机遇期,但机遇和挑战都有新的发展变化。我国正处于实现中华民族伟大复兴的关键时期,已转向高质量发展阶段,面临的国内外环境发生深刻复杂变化,但经济发展健康稳定的基本面没有改变,支持高质量发展的生产要素条件没有改变,长期稳定向好的总体态势没有改变。在全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后,我国将进入全面建设社会主义现代化国家、向第二个百年奋斗目标进军的新
21、发展阶段。今后五年,是四川抢抓国家重大战略机遇、推动成渝地区双城经济圈建设成势见效的关键时期,发展的战略动能将更加强劲、战略位势将更加凸显、战略支撑将更加有力。“十四五”时期,是德阳发展的战略机遇落地期、转型发展关键期、蓄势突破窗口期。以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局加速形成,四川人口大省、市场腹地、开放门户、战略要地的优势进一步彰显,有利于我市抢抓国家重大生产力优化布局、市场预期向好的机遇,进一步夯实产业支撑、增强发展韧性;成渝地区双城经济圈建设、成德眉资同城化发展等国省战略深入实施,全省发展主干由成都拓展为成都都市圈,德阳在全省“一干多支”发展战略和双城经济圈大局中的
22、地位进一步提升,有利于我市在更高平台更大范围内登高望远、借势发展,重塑竞争新优势;新一轮科技革命和产业变革方兴未艾,一批传统优势企业加快数字赋能智能改造,一批新兴企业抢占先机蓬勃发展,带来经济地理的重塑、创新版图的重构、企业布局的优化,有利于我市集聚技术、资金、人才等优质资源,提升动能、跨越发展;我们仍处于新型工业化和城镇化快速发展阶段,将释放大量投资需求和消费需求,有利于我市从供需两端发力,优化城乡格局,增强内生动力,保持发展势能。同时,全市发展不平衡不充分的问题依然突出,产业结构偏重、产业规模偏小、新兴产业偏弱、创新资源不足、集群发展不够,基础设施、公共服务、生态建设欠账较多,开放程度不高
23、,城市吸引集聚优质资源的能力不够,与人民群众期盼有较大差距;县域之间、城乡之间发展不平衡;部分干部路径依赖、惰性思维、担当不足、能力不够的问题较为突出,党委政府自身建设还需持续加强。全市各级党组织和广大党员干部必须深刻认识发展环境变化带来的新特征新要求,深刻认识区域竞争加剧带来的新矛盾新挑战,增强机遇意识和风险意识,把握发展规律,保持战略定力,立足德阳实际,办好自己的事,努力在危机中育先机、于变局中开新局。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx,占地面积约24.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 德阳 碳化硅 衬底 设备 项目 申请报告 模板
限制150内