抚州碳化硅衬底项目实施方案(模板范本).docx
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1、泓域咨询/抚州碳化硅衬底项目实施方案抚州碳化硅衬底项目实施方案xxx集团有限公司目录第一章 绪论8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由9四、 报告编制说明10五、 项目建设选址12六、 项目生产规模12七、 建筑物建设规模12八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成13十、 资金筹措方案13十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划14主要经济指标一览表14第二章 市场分析17一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期17二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%18三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心19第三章
2、项目投资背景分析22一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越22二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期23三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临25四、 完善科技创新服务体系。27五、 实施双向开放战略,构筑高水平开放格局28六、 项目实施的必要性28第四章 公司基本情况30一、 公司基本信息30二、 公司简介30三、 公司竞争优势31四、 公司主要财务数据33公司合并资产负债表主要数据33公司合并利润表主要数据33五、 核心人员介绍34六、 经营宗旨35七、 公司发展规划36第五章 产品方案41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生
3、产纲领41产品规划方案一览表41第六章 选址可行性分析43一、 项目选址原则43二、 建设区基本情况43三、 打造高水平现代化产业平台45四、 全力推动先进制造业高质量发展46五、 项目选址综合评价48第七章 运营管理模式49一、 公司经营宗旨49二、 公司的目标、主要职责49三、 各部门职责及权限50四、 财务会计制度54第八章 法人治理结构61一、 股东权利及义务61二、 董事63三、 高级管理人员68四、 监事70第九章 人力资源配置分析72一、 人力资源配置72劳动定员一览表72二、 员工技能培训72第十章 节能方案说明75一、 项目节能概述75二、 能源消费种类和数量分析76能耗分析
4、一览表76三、 项目节能措施77四、 节能综合评价78第十一章 环保分析80一、 环境保护综述80二、 建设期大气环境影响分析81三、 建设期水环境影响分析81四、 建设期固体废弃物环境影响分析82五、 建设期声环境影响分析83六、 环境影响综合评价83第十二章 劳动安全生产分析84一、 编制依据84二、 防范措施85三、 预期效果评价91第十三章 投资估算及资金筹措92一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表99四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金
5、筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十四章 经济效益104一、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表109二、 项目盈利能力分析109项目投资现金流量表111三、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113第十五章 风险风险及应对措施115一、 项目风险分析115二、 项目风险对策117第十六章 项目总结120第十七章 附表附件122主要经济指标一览表122建设投资估算表123建设期利息估算表124固定资产投资估算表125流动资金估算表126总投资
6、及构成一览表127项目投资计划与资金筹措一览表128营业收入、税金及附加和增值税估算表129综合总成本费用估算表129固定资产折旧费估算表130无形资产和其他资产摊销估算表131利润及利润分配表132项目投资现金流量表133借款还本付息计划表134建筑工程投资一览表135项目实施进度计划一览表136主要设备购置一览表137能耗分析一览表137第一章 绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称抚州碳化硅衬底项目(二)项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx集团有限公司(二)项目联系人董xx(三)项目建设单位概况公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业
7、精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托
8、理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。三、 项目定位及建设理由据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。展望2035年,抚州将与全国、全省同步基本实现社会主义现代化,成为全省融入新发展格局的重要战略支点和高质量发展的重要增长极。到那时,全市经济总量和综合发展水平迈上新的大台阶,人均国内生产总值基本达到中等发达国家水平,综合竞争力进入长江中游城市群第一方阵;城
9、市功能更加优化,城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小,中等收入群体比例明显提高,公共服务优质化和均等化基本实现;基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,构筑以数字经济为引领、以创新发展为动力、以绿色生态为特色的现代经济体系;形成高质量对外开放新格局,深入参与区域经济合作,积极融入内陆开放型经济试验区建设,作为大南昌都市圈重要支撑城市功能不断增强;生态文明建设水平处于全国前列,绿水青山与金山银山的双向转换通道更加通畅,绿色生产生活方式日趋完善,成为国家生态文明先行示范市;社会事业全面发展,文化品牌享誉国内外,教育强市、人才强市、文化强市、健康抚州建设取得更大成效,居民素质和社会文明
10、程度达到新高度;基本建成法治政府和法治社会,共建共治共享的社会发展新局面基本形成,社会充满活力又和谐有序;人民生活更加美好,人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、中国制造2025;2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划;3、工业绿色发展规划(2016-2020年);4、促进中小企业发展规划(20162020年);5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策;7、项目建设单位提供的相关技术参数;8、相关产业调研、市场分析等公开信息。(二)报告编制原则为实现产业高质
11、量发展的目标,报告确定按如下原则编制:1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路:资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术,在保证产品质量的同时,力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。(二) 报告主要内容1、确定生产规模、产品方案;2、调研产品市场;3、确定工程技术方案;4、估算项目总投资,提出资金筹措方式及来源;5、测算项目投资效益,分析项目的抗风险能力。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx,占地面积约50.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排
12、水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后,形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积52038.00,其中:生产工程31524.50,仓储工程6913.27,行政办公及生活服务设施5011.52,公共工程8588.71。八、 环境影响拟建项目的建设满足国家产业政策的要求,项目选址合理。项目建成所有污染物达标排放后,周围环境质量基本能够维持现状。经落实污染防治措施后,“三废”产生量较少,对周围环境的影响较小。因此,本项目从环保的角度看,该项目的建设是可行的。九、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建
13、设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资20866.65万元,其中:建设投资15997.48万元,占项目总投资的76.67%;建设期利息390.45万元,占项目总投资的1.87%;流动资金4478.72万元,占项目总投资的21.46%。(二)建设投资构成本期项目建设投资15997.48万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用13817.54万元,工程建设其他费用1724.03万元,预备费455.91万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资20866.65万元,其中申请银行长期贷款7968.44万元,其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标(一)经
14、济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):41000.00万元。2、综合总成本费用(TC):33190.03万元。3、净利润(NP):5709.74万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):6.07年。2、财务内部收益率:20.17%。3、财务净现值:6730.07万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可
15、靠,投产后可保证达到预定的设计目标。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积33333.00约50.00亩1.1总建筑面积52038.001.2基底面积20333.131.3投资强度万元/亩312.402总投资万元20866.652.1建设投资万元15997.482.1.1工程费用万元13817.542.1.2其他费用万元1724.032.1.3预备费万元455.912.2建设期利息万元390.452.3流动资金万元4478.723资金筹措万元20866.653.1自筹资金万元12898.213.2银行贷款万元7968.444营业收入万元41000.00正常运营年份5总成本费用万元33
16、190.036利润总额万元7612.987净利润万元5709.748所得税万元1903.249增值税万元1641.6110税金及附加万元196.9911纳税总额万元3741.8412工业增加值万元12769.0513盈亏平衡点万元15670.69产值14回收期年6.0715内部收益率20.17%所得税后16财务净现值万元6730.07所得税后第二章 市场分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以
17、上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全
18、球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2
19、-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外
20、延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当
21、中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但
22、与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右
23、,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。第三章 项目投资背景分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于
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