昆明碳化硅项目商业计划书_范文参考.docx
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1、泓域咨询/昆明碳化硅项目商业计划书昆明碳化硅项目商业计划书xxx有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资7212.42万元,其中:建设投资5668.61万元,占项目总投资的78.60%;建设期利息83.09万元,占项目总投资的1.15%;流动资金1460.72万元,占项目总投资的20.25%。项目正常运营每年营业收入15800.00万元,综合总成本费用13202.08万元,净利润1894.79万元,财务内部收益率19.22%,财务净现值2308.74万元,全部投资回收期5.82年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSF
2、ET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 项目概况8一、 项目名称及投资人8二、 项目建设背景8三、 结论分析9主要经济指标
3、一览表11第二章 项目背景及必要性13一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越13二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临16四、 持续扩大有效投资17第三章 行业发展分析19一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期19二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%21第四章 项目建设单位说明23一、 公司基本信息23二、 公司简介23三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍27六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第五
4、章 法人治理结构31一、 股东权利及义务31二、 董事36三、 高级管理人员40四、 监事43第六章 SWOT分析说明46一、 优势分析(S)46二、 劣势分析(W)48三、 机会分析(O)48四、 威胁分析(T)49第七章 运营管理模式55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度59第八章 发展规划67一、 公司发展规划67二、 保障措施68第九章 创新驱动70一、 企业技术研发分析70二、 项目技术工艺分析72三、 质量管理74四、 创新发展总结75第十章 进度规划方案76一、 项目进度安排76项目实施进度计划一览表76二、 项目实施
5、保障措施77第十一章 风险风险及应对措施78一、 项目风险分析78二、 公司竞争劣势83第十二章 建设内容与产品方案84一、 建设规模及主要建设内容84二、 产品规划方案及生产纲领84产品规划方案一览表84第十三章 建筑工程方案86一、 项目工程设计总体要求86二、 建设方案87三、 建筑工程建设指标88建筑工程投资一览表88第十四章 投资计划90一、 投资估算的编制说明90二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表93四、 流动资金94流动资金估算表94五、 项目总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表97第十
6、五章 经济效益及财务分析99一、 基本假设及基础参数选取99二、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表101利润及利润分配表103三、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105四、 财务生存能力分析106五、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108六、 经济评价结论108第十六章 总结评价说明110第十七章 附表附件113建设投资估算表113建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表119固定资产折旧费
7、估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表121项目投资现金流量表122第一章 项目概况一、 项目名称及投资人(一)项目名称昆明碳化硅项目(二)项目投资人xxx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小
8、尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约17.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx吨碳化硅材料的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资7212.42万元,其中:建设投资5668.61万元,占
9、项目总投资的78.60%;建设期利息83.09万元,占项目总投资的1.15%;流动资金1460.72万元,占项目总投资的20.25%。(五)资金筹措项目总投资7212.42万元,根据资金筹措方案,xxx有限公司计划自筹资金(资本金)3820.83万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额3391.59万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):15800.00万元。2、年综合总成本费用(TC):13202.08万元。3、项目达产年净利润(NP):1894.79万元。4、财务内部收益率(FIRR):19.22%。5、全部投资回收期(Pt):5.82年(含建设期12个月)。6
10、、达产年盈亏平衡点(BEP):6779.76万元(产值)。(七)社会效益经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积
11、11333.00约17.00亩1.1总建筑面积22211.471.2基底面积7366.451.3投资强度万元/亩310.712总投资万元7212.422.1建设投资万元5668.612.1.1工程费用万元4762.052.1.2其他费用万元781.462.1.3预备费万元125.102.2建设期利息万元83.092.3流动资金万元1460.723资金筹措万元7212.423.1自筹资金万元3820.833.2银行贷款万元3391.594营业收入万元15800.00正常运营年份5总成本费用万元13202.086利润总额万元2526.397净利润万元1894.798所得税万元631.609增值税万
12、元596.1210税金及附加万元71.5311纳税总额万元1299.2512工业增加值万元4518.7813盈亏平衡点万元6779.76产值14回收期年5.8215内部收益率19.22%所得税后16财务净现值万元2308.74所得税后第二章 项目背景及必要性一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,
13、起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。
14、核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅
15、基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主
16、。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左
17、右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是Si
18、C功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增
19、加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),
20、续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。四、 持续扩大有效投资围绕补短板、强弱项、增动力,强化项目包装,完成不低于4000亿元投资项目储备,统筹3亿元项目前期工作经费,完善项目立项、土地、规划和环评等前期工作要件,提高项目成熟度,力争年度储备项目转化率达50%以上。以“两新一重”项目、补短板项目、产业集群项目为重点,切实抓好资金、用地、服务等要素保障,
21、实施好一批“十四五”开局重大项目,确保长龙高速、罗泊河水库(清水海二期)等240个重大新开工项目完成投资不低于700亿元,柴石滩灌区、轨道交通5号线等400个重大在建项目完成投资不低于1800亿元,中关村电子城(昆明)科技产业园二期、官渡区人民医院迁建等60个项目竣工。加快推进普洛斯环普产业园等30个重大工业项目建设,稳步提高工业投资占比。第三章 行业发展分析一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工
22、厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃
23、紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅
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