昆明碳化硅衬底设备项目商业计划书【参考模板】.docx
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1、泓域咨询/昆明碳化硅衬底设备项目商业计划书昆明碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx(集团)有限公司目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度10五、 建设投资估算10六、 项目主要技术经济指标11主要经济指标一览表11七、 主要结论及建议13第二章 市场预测14一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%14二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15第三章 背景、必要性分析17一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期17二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒18三、 持续扩大有效投资19
2、四、 项目实施的必要性20第四章 项目投资主体概况22一、 公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、 公司主要财务数据25公司合并资产负债表主要数据25公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍26六、 经营宗旨28七、 公司发展规划28第五章 法人治理30一、 股东权利及义务30二、 董事34三、 高级管理人员40四、 监事43第六章 SWOT分析说明46一、 优势分析(S)46二、 劣势分析(W)48三、 机会分析(O)48四、 威胁分析(T)50第七章 运营模式分析55一、 公司经营宗旨55二、 公司的目标、主要职责55三、 各部门职责及权限56四、 财务会计制度5
3、9第八章 创新发展67一、 企业技术研发分析67二、 项目技术工艺分析69三、 质量管理70四、 创新发展总结71第九章 发展规划72一、 公司发展规划72二、 保障措施73第十章 建筑技术分析76一、 项目工程设计总体要求76二、 建设方案77三、 建筑工程建设指标78建筑工程投资一览表78第十一章 进度计划方案80一、 项目进度安排80项目实施进度计划一览表80二、 项目实施保障措施81第十二章 产品方案分析82一、 建设规模及主要建设内容82二、 产品规划方案及生产纲领82产品规划方案一览表82第十三章 风险评估分析84一、 项目风险分析84二、 项目风险对策86第十四章 投资方案分析8
4、9一、 投资估算的编制说明89二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十五章 经济效益分析98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十六章 总结说明109第十七章 附表附件111主要经济
5、指标一览表111建设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建筑工程投资一览表124项目实施进度计划一览表125主要设备购置一览表126能耗分析一览表126报告说明据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,20
6、48年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。根据谨慎
7、财务估算,项目总投资24961.93万元,其中:建设投资19204.58万元,占项目总投资的76.94%;建设期利息394.12万元,占项目总投资的1.58%;流动资金5363.23万元,占项目总投资的21.49%。项目正常运营每年营业收入47900.00万元,综合总成本费用37669.50万元,净利润7491.13万元,财务内部收益率22.79%,财务净现值8135.61万元,全部投资回收期5.79年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了
8、公司可持续发展的基础。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:昆明碳化硅衬底设备项目项目单位:xxx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx,占地面积约58.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,
9、国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。(二)建设规
10、模及产品方案该项目总占地面积38667.00(折合约58.00亩),预计场区规划总建筑面积68163.98。其中:生产工程47794.75,仓储工程11765.98,行政办公及生活服务设施7295.10,公共工程1308.15。项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资
11、24961.93万元,其中:建设投资19204.58万元,占项目总投资的76.94%;建设期利息394.12万元,占项目总投资的1.58%;流动资金5363.23万元,占项目总投资的21.49%。(二)建设投资构成本期项目建设投资19204.58万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用16339.00万元,工程建设其他费用2376.73万元,预备费488.85万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入47900.00万元,综合总成本费用37669.50万元,纳税总额4758.86万元,净利润7491.13万元,财务内部收益率2
12、2.79%,财务净现值8135.61万元,全部投资回收期5.79年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积38667.00约58.00亩1.1总建筑面积68163.981.2基底面积24360.211.3投资强度万元/亩318.742总投资万元24961.932.1建设投资万元19204.582.1.1工程费用万元16339.002.1.2其他费用万元2376.732.1.3预备费万元488.852.2建设期利息万元394.122.3流动资金万元5363.233资金筹措万元24961.933.1自筹资金万元16918.753.2银行贷款万元8043.184营
13、业收入万元47900.00正常运营年份5总成本费用万元37669.506利润总额万元9988.177净利润万元7491.138所得税万元2497.049增值税万元2019.4910税金及附加万元242.3311纳税总额万元4758.8612工业增加值万元15993.0413盈亏平衡点万元15864.90产值14回收期年5.7915内部收益率22.79%所得税后16财务净现值万元8135.61所得税后七、 主要结论及建议本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第二章 市场预测一、 衬底为技
14、术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型Si
15、C衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化
16、硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二
17、)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长
18、晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。第三章 背景、必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等
19、。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙
20、头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设
21、备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:
22、碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。三、 持续扩大有效投资围绕补短板、强弱项、增动力,强化项目包装,完成不
23、低于4000亿元投资项目储备,统筹3亿元项目前期工作经费,完善项目立项、土地、规划和环评等前期工作要件,提高项目成熟度,力争年度储备项目转化率达50%以上。以“两新一重”项目、补短板项目、产业集群项目为重点,切实抓好资金、用地、服务等要素保障,实施好一批“十四五”开局重大项目,确保长龙高速、罗泊河水库(清水海二期)等240个重大新开工项目完成投资不低于700亿元,柴石滩灌区、轨道交通5号线等400个重大在建项目完成投资不低于1800亿元,中关村电子城(昆明)科技产业园二期、官渡区人民医院迁建等60个项目竣工。加快推进普洛斯环普产业园等30个重大工业项目建设,稳步提高工业投资占比。四、 项目实施
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