景德镇碳化硅衬底设备项目可行性研究报告【参考模板】.docx
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《景德镇碳化硅衬底设备项目可行性研究报告【参考模板】.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《景德镇碳化硅衬底设备项目可行性研究报告【参考模板】.docx(120页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/景德镇碳化硅衬底设备项目可行性研究报告目录第一章 市场分析6一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临6二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒7第二章 项目基本情况9一、 项目名称及投资人9二、 编制原则9三、 编制依据10四、 编制范围及内容11五、 项目建设背景11六、 结论分析12主要经济指标一览表14第三章 项目投资背景分析17一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越17二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期18三、 提升招商引资水平20第四章 项目选址可行性分析21一、 项目选址原则21二、 建设区基本情况21三、 对接
2、融入国家开放发展战略22四、 搭建创新平台22五、 项目选址综合评价23第五章 产品方案分析24一、 建设规模及主要建设内容24二、 产品规划方案及生产纲领24产品规划方案一览表24第六章 法人治理26一、 股东权利及义务26二、 董事31三、 高级管理人员36四、 监事38第七章 SWOT分析40一、 优势分析(S)40二、 劣势分析(W)42三、 机会分析(O)42四、 威胁分析(T)43第八章 运营模式分析47一、 公司经营宗旨47二、 公司的目标、主要职责47三、 各部门职责及权限48四、 财务会计制度51第九章 环保方案分析55一、 编制依据55二、 环境影响合理性分析56三、 建设
3、期大气环境影响分析58四、 建设期水环境影响分析61五、 建设期固体废弃物环境影响分析61六、 建设期声环境影响分析61七、 建设期生态环境影响分析63八、 清洁生产63九、 环境管理分析64十、 环境影响结论65十一、 环境影响建议66第十章 安全生产67一、 编制依据67二、 防范措施68三、 预期效果评价74第十一章 工艺技术及设备选型75一、 企业技术研发分析75二、 项目技术工艺分析77三、 质量管理78四、 设备选型方案79主要设备购置一览表80第十二章 原辅材料供应81一、 项目建设期原辅材料供应情况81二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理81第十三章 项目投资计划83一、 投
4、资估算的编制说明83二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表86四、 流动资金87流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表90第十四章 经济效益分析92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析100五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、 经济评价结论102第十五章 风险评估分析103一、 项目风险分析1
5、03二、 项目风险对策105第十六章 总结说明107第十七章 附表附件109建设投资估算表109建设期利息估算表109固定资产投资估算表110流动资金估算表111总投资及构成一览表112项目投资计划与资金筹措一览表113营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表117项目投资现金流量表118第一章 市场分析一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。
6、其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及
7、开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(
8、较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是
9、非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定
10、性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。第二章 项目基本情况一、 项目名称及投资人(一)项目名称景德镇碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准)。二、 编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令,符合国家
11、产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向,以提高竞争力为出发点,产品无论在质量性能上,还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计,同时建设,同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准,并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来,正确处理企业发展与节能减排的关系,以企业发展提高节能减排水平,以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设
12、模式进行规划建设,要统筹考虑未来的发展,为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心,加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求,尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下,实事求是地优化各成本要素,最大限度地降低项目的目标成本,提高项目的经济效益,增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度,公正、客观的反映本项目建设的实际情况,工程投资坚持“求是、客观”的原则。三、 编制依据1、中国制造2025;2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划;3、工业绿色发展规划(2016-2020年);4、促进中小企业发展规划(20162020年);5、中华人
13、民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策;7、项目建设单位提供的相关技术参数;8、相关产业调研、市场分析等公开信息。四、 编制范围及内容报告是以该项目建设单位提供的基础资料和国家有关法令、政策、规程等以及该项目相关内外部条件、城市总体规划为基础,针对项目的特点、任务与要求,对该项目建设工程的建设背景及必要性、建设内容及规模、市场需求、建设内外部条件、项目工程方案及环境保护、项目实施进度计划、投资估算及资金筹措、经济效益及社会效益、项目风险等方面进行全面分析、测算和论证,以确定该项目建设的可行性、效益的合理性。五、 项目建设背景
14、新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和
15、轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。地区生产总值保持8%左右中高速增长,财政收入增速稳定保持在全市前列,税收占比多年位列全市第一,固投、服务业、新增“四上”企业等均居全市前列。产业结构不断优化,第三产业占比达到79.2%,占全市三产37.4%,形成了具有鲜明城区特色的“3+1”产业体系。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约70.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(三
16、)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资31135.62万元,其中:建设投资24639.83万元,占项目总投资的79.14%;建设期利息506.07万元,占项目总投资的1.63%;流动资金5989.72万元,占项目总投资的19.24%。(五)资金筹措项目总投资31135.62万元,根据资金筹措方案,xx有限责任公司计划自筹资金(资本金)20807.62万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额10328.00万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):60900.00万元。2、
17、年综合总成本费用(TC):46480.56万元。3、项目达产年净利润(NP):10560.21万元。4、财务内部收益率(FIRR):25.85%。5、全部投资回收期(Pt):5.47年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):20127.50万元(产值)。(七)社会效益项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,
18、带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积46667.00约70.00亩1.1总建筑面积75832.061.2基底面积27066.861.3投资强度万元/亩329.402总投资万元31135.622.1建设投资万元24639.832.1.1工程费用万元20626.812.1.2其他费用万元3586.302.1.3预备费万元426.722.2建设期利息万元506.072.3流动资金万元5989.723资金筹措万元31135.62
19、3.1自筹资金万元20807.623.2银行贷款万元10328.004营业收入万元60900.00正常运营年份5总成本费用万元46480.566利润总额万元14080.287净利润万元10560.218所得税万元3520.079增值税万元2826.3210税金及附加万元339.1611纳税总额万元6685.5512工业增加值万元22552.6613盈亏平衡点万元20127.50产值14回收期年5.4715内部收益率25.85%所得税后16财务净现值万元18126.36所得税后第三章 项目投资背景分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子
20、材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。Si
21、C碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MO
22、SFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 参考模板 景德镇 碳化硅 衬底 设备 项目 可行性研究 报告 参考 模板
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内