杭州碳化硅衬底设备项目商业计划书参考范文.docx
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1、泓域咨询/杭州碳化硅衬底设备项目商业计划书杭州碳化硅衬底设备项目商业计划书xx投资管理公司目录第一章 项目绪论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划12十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 市场预测16一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%19第三章
2、 背景、必要性分析21一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期21二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临22三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越24四、 强化高端产业引领,建设具有国际竞争力的现代产业体系25五、 推动更高水平开放,构筑国内国际双循环的强大链接点28第四章 公司基本情况31一、 公司基本信息31二、 公司简介31三、 公司竞争优势32四、 公司主要财务数据33公司合并资产负债表主要数据33公司合并利润表主要数据34五、 核心人员介绍34六、 经营宗旨36七、 公司发展规划36第五章 发展规划分析38一、 公司发展规划38二、 保障措施39第
3、六章 SWOT分析42一、 优势分析(S)42二、 劣势分析(W)43三、 机会分析(O)44四、 威胁分析(T)44第七章 创新驱动52一、 企业技术研发分析52二、 项目技术工艺分析54三、 质量管理56四、 创新发展总结57第八章 运营管理模式58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第九章 法人治理结构66一、 股东权利及义务66二、 董事68三、 高级管理人员72四、 监事74第十章 建设内容与产品方案76一、 建设规模及主要建设内容76二、 产品规划方案及生产纲领76产品规划方案一览表77第十一章 进度计划方案79一、
4、项目进度安排79项目实施进度计划一览表79二、 项目实施保障措施80第十二章 建筑物技术方案81一、 项目工程设计总体要求81二、 建设方案81三、 建筑工程建设指标83建筑工程投资一览表83第十三章 项目风险防范分析85一、 项目风险分析85二、 项目风险对策87第十四章 投资计划方案90一、 投资估算的依据和说明90二、 建设投资估算91建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表95固定资产投资估算表97四、 流动资金97流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表100第十五章 经济收益分析102一、
5、经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表107二、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109三、 偿债能力分析110借款还本付息计划表111第十六章 项目总结113第十七章 附表115主要经济指标一览表115建设投资估算表116建设期利息估算表117固定资产投资估算表118流动资金估算表119总投资及构成一览表120项目投资计划与资金筹措一览表121营业收入、税金及附加和增值税估算表122综合总成本费用估算表122利润及利润分配表123项目投资现金流量表124借款还
6、本付息计划表126报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资31972.71万元,其中:建设投资25314.80万元,占项目总投资的79.18%;建设期利息731.77万元,占项目总投资的2.29%;流动资金5926.14万元,占项目总投资的18.53%。项目正常运营每年营业收入69300.00万元,综合总成本费用55306.73万元,净利润10230.23万元,财务内部收益率24.56%,财务净现值13130.54万元,全部投资回收期5.58年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材
7、料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报
8、告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目绪论一、 项目定位及建设理由据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。二、 项目名称及建设性质(一)项目名称杭州碳化硅衬底设备项目(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目三、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xx投资管理公司(二)项目联系人谭
9、xx(三)项目建设单位概况公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念,将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本,在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要,是我们不懈的追求”的企业观念,面对经济发展步入快车道的良好机遇,正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理
10、方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。公司不断建设和完善企业信息化服务平台,实施“互联网+”企业专项行动,推广适合企业需求的信息化产品和服务,促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用,业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台,培育产业链,打造创新链,提升价值链,促进带动产业链上下游企业协同发展。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约
11、96.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积98156.42,其中:生产工程58092.80,仓储工程19053.70,行政办公及生活服务设施9929.60,公共工程11080.32。七、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资31972.71万元,其中:建设投资25314.80万元,占项目总投资的79.18%;建设期利息731.77万
12、元,占项目总投资的2.29%;流动资金5926.14万元,占项目总投资的18.53%。(二)建设投资构成本期项目建设投资25314.80万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用22061.52万元,工程建设其他费用2721.30万元,预备费531.98万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资31972.71万元,其中申请银行长期贷款14934.20万元,其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):69300.00万元。2、综合总成本费用(TC):55306.73万元。3、净利润(NP):10230.23万元。(二
13、)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.58年。2、财务内部收益率:24.56%。3、财务净现值:13130.54万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划24个月。十一、 项目综合评价本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确
14、保最终产品的质量要求。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积64000.00约96.00亩1.1总建筑面积98156.421.2基底面积37120.001.3投资强度万元/亩259.582总投资万元31972.712.1建设投资万元25314.802.1.1工程费用万元22061.522.1.2其他费用万元2721.302.1.3预备费万元531.982.2建设期利息万元731.772.3流动资金万元5926.143资金筹措万元31972.713.1自筹资金万元17038.513.2银行贷款万元14934.204营业收入万元69300.00正常运营年份5总成本费用万元55306.73
15、6利润总额万元13640.307净利润万元10230.238所得税万元3410.079增值税万元2941.4310税金及附加万元352.9711纳税总额万元6704.4712工业增加值万元22518.8113盈亏平衡点万元28085.36产值14回收期年5.5815内部收益率24.56%所得税后16财务净现值万元13130.54所得税后第二章 市场预测一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万
16、辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球
17、产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSF
18、ET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场
19、空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅
20、基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,
21、但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅
22、生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的
23、条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第三章 背景、必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可
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