本溪碳化硅衬底设备项目投资计划书【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/本溪碳化硅衬底设备项目投资计划书目录第一章 背景、必要性分析7一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期7二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越9三、 支持非公有制经济高质量发展10四、 推进以科技创新为核心的全面创新,激活发展动力11第二章 行业发展分析14一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临14二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期15第三章 项目概况18一、 项目概述18二、 项目提出的理由20三、 项目总投资及资金构成21四、 资金筹措方案22五、 项目预期经济效益规划目标22六、 项目建设进度规划22七、 环境影响23八
2、、 报告编制依据和原则23九、 研究范围25十、 研究结论26十一、 主要经济指标一览表26主要经济指标一览表26第四章 建筑技术分析28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案30三、 建筑工程建设指标31建筑工程投资一览表32第五章 选址可行性分析34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 推动重大项目建设取得突破37四、 加强经济合作融入国内国际双循环37五、 项目选址综合评价38第六章 运营模式分析39一、 公司经营宗旨39二、 公司的目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度43第七章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事54三、 高
3、级管理人员58四、 监事61第八章 人力资源分析63一、 人力资源配置63劳动定员一览表63二、 员工技能培训63第九章 项目环境保护65一、 编制依据65二、 环境影响合理性分析66三、 建设期大气环境影响分析66四、 建设期水环境影响分析67五、 建设期固体废弃物环境影响分析68六、 建设期声环境影响分析68七、 环境管理分析69八、 结论及建议71第十章 工艺技术方案72一、 企业技术研发分析72二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理76四、 设备选型方案77主要设备购置一览表77第十一章 节能可行性分析79一、 项目节能概述79二、 能源消费种类和数量分析80能耗分析一览表80三、
4、项目节能措施81四、 节能综合评价82第十二章 劳动安全评价84一、 编制依据84二、 防范措施85三、 预期效果评价88第十三章 项目投资计划89一、 投资估算的编制说明89二、 建设投资估算89建设投资估算表91三、 建设期利息91建设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表93五、 项目总投资94总投资及构成一览表94六、 资金筹措与投资计划95项目投资计划与资金筹措一览表96第十四章 经济收益分析98一、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表99固定资产折旧费估算表100无形资产和其他资产摊销估算表101利润及利润分配表103二、 项目
5、盈利能力分析103项目投资现金流量表105三、 偿债能力分析106借款还本付息计划表107第十五章 项目招投标方案109一、 项目招标依据109二、 项目招标范围109三、 招标要求109四、 招标组织方式112五、 招标信息发布113第十六章 项目总结分析115第十七章 附表附件117主要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表1
6、27项目投资现金流量表128借款还本付息计划表129建筑工程投资一览表130项目实施进度计划一览表131主要设备购置一览表132能耗分析一览表132本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景、必要性分析一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂1
7、00万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆
8、发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信
9、息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%
10、-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电
11、子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳
12、化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT
13、的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 支持非公有制经济高质量发展全面落实支持非公有制经济各项政策措施,多措并举提升市场主体活力,持续提升非公有制经济规模和数量。支持引导民营企业围绕高端装备制造、生物医药、文化旅游等领域产业走“专精特新”发展之路,参与产业链供应链协同制造,推动民营企业做大做优做强。健全民营企业融资增信支持体系。依法平等保护民营企业产权和企业家权益。建立规范化机制化政企沟通渠道。大力弘扬企业家精神,加
14、强企业家队伍建设,促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长。四、 推进以科技创新为核心的全面创新,激活发展动力坚持创新在现代化建设全局中的核心地位,把科技创新作为本溪振兴发展的战略支撑,坚持“四个面向”,深入实施科教兴市战略、人才强市战略、创新驱动发展战略,完善科技创新体制机制,激发创新驱动内生动力,走符合本溪实际的资源型城市创新转型道路。加强科技创新平台建设。围绕冶金、生物医药、先进装备、智能制造、新材料、新能源等产业,统筹协调、优化整合各类科技资源,构建以企业为主体、市场为导向,科技、教育、产业紧密结合的创新发展体系。加强源头创新供给和技术支撑,积极争取国家级科技创新平台落户本溪
15、。以国家生物医药科技产业基地为依托,发挥驻溪高校和重点企业作用,推进药业研发中试和成果转化技术创新平台建设,创建生物医药辽宁实验室。强化企业创新主体作用。全面落实支持企业创新的优惠政策。推动创新要素向企业集聚,发挥企业家在技术创新的重要作用,鼓励企业加大研发投入,全面提升企业自主创新能力。促进驻溪高校、科研院所和国家、省级创新平台与企业深度合作,构建产学研市场化利益联结机制。实施科技型企业梯度培育计划,加强共性技术平台建设,推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。开展关键核心技术攻关。聚焦钢铁、高端装备制造及配套产业,生物医药、新材料和矿山开采等产业部署一批创新链,实行重点项目攻关“揭榜挂帅”
16、等制度,实施一批产业牵动力强、经济效益明显的重大科技项目,努力攻克一批关键核心技术,开发一批重大创新产品。推进创新成果转化应用。促进政产学研用协同创新,完善科技成果转化机制,探索借鉴先进地区设立引导基金、交易服务中心等成功经验,主动承接京津冀和东北地区科技成果转移转化,推动更多科技成果在本溪转化和产业化。全面优化创新生态。深化科技体制改革,推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置。健全创新激励和保障机制,构建充分体现知识和技术等创新要素价值的收益分配机制。完善科技评价机制,建设以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。完善知识产权保护体系。加强学风建设,坚守学术诚信。加强科普工
17、作,营造崇尚创新的社会氛围。激发人才创新活力。围绕本溪产业布局和市场需求抓好人才队伍建设,推进人才供需精准对接。深入开展“智汇本溪、聚力振兴”活动,建立“本溪智库”,吸引集聚各类人才投身本溪建设。创新“候鸟型”人才引进和使用机制,实施“项目+团队”的“带土移植”工程,引进科技领军人才和高水平创新团队。健全完善人才培养引进、评价激励、流动配置、生活保障等机制,营造引才聚才留才的良好环境。为驻溪高校大学生等年轻创业者在本溪创新创业搭建平台、创造条件。实施职业技能提升行动,加强高技能人才队伍建设,培养工匠精神。第二章 行业发展分析一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,20
18、20年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电
19、子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能
20、源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电
21、型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全
22、球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外
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