柳州碳化硅衬底设备项目招商引资方案（模板范本）.docx

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1、泓域咨询/柳州碳化硅衬底设备项目招商引资方案柳州碳化硅衬底设备项目招商引资方案xx集团有限公司目录第一章 行业发展分析8一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越8二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%9三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心10第二章 项目绪论13一、 项目名称及项目单位13二、 项目建设地点13三、 可行性研究范围13四、 编制依据和技术原则14五、 建设背景、规模15六、 项目建设进度16七、 环境影响16八、 建设投资估算16九、 项目主要技术经济指标17主要经济指标一览表17十、 主要结论及建议19第三章 项目投资背景分析20一、 竞争

2、格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期20二、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒21三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期22四、 强化科技创新支撑24五、 加强园区基础设施建设25第四章 选址方案26一、 项目选址原则26二、 建设区基本情况26三、 大力扶持中小企业发展28四、 培育壮大战略性新兴产业29五、 项目选址综合评价29第五章 产品方案分析31一、 建设规模及主要建设内容31二、 产品规划方案及生产纲领31产品规划方案一览表31第六章 发展规划分析33一、 公司发展规划33二、 保障措施34第七章 法人治理37一、 股东权利及义务37二、

3、董事39三、 高级管理人员43四、 监事45第八章 人力资源配置47一、 人力资源配置47劳动定员一览表47二、 员工技能培训47第九章 工艺技术说明50一、 企业技术研发分析50二、 项目技术工艺分析53三、 质量管理54四、 设备选型方案55主要设备购置一览表55第十章 原辅材料及成品分析57一、 项目建设期原辅材料供应情况57二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理57第十一章 环保方案分析58一、 环境保护综述58二、 建设期大气环境影响分析59三、 建设期水环境影响分析60四、 建设期固体废弃物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析61六、 环境影响综合评价62第十二章 安全生产分

4、析63一、 编制依据63二、 防范措施64三、 预期效果评价70第十三章 项目投资计划71一、 投资估算的依据和说明71二、 建设投资估算72建设投资估算表76三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表78四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十四章 项目经济效益83一、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表84固定资产折旧费估算表85无形资产和其他资产摊销估算表86利润及利润分配表88二、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90三

5、、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92第十五章 招标方案94一、 项目招标依据94二、 项目招标范围94三、 招标要求95四、 招标组织方式97五、 招标信息发布99第十六章 项目总结分析100第十七章 附表附件102主要经济指标一览表102建设投资估算表103建设期利息估算表104固定资产投资估算表105流动资金估算表106总投资及构成一览表107项目投资计划与资金筹措一览表108营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表109利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表113本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型

6、而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业发展分析一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，

7、近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程

8、中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%S

9、iC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频

10、器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底

11、价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：

12、SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小

13、时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。第二章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：柳州碳化硅衬底设备项目项目单位：xx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx，占地面积约46.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输

14、、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）技术原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观

15、地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范，努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计

16、上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。五、 建设背景、规模（一）项目背景成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积30667.00（折合约46.00亩），预计场区规划总建筑面积55002.95。其中

17、：生产工程38434.33，仓储工程8390.50，行政办公及生活服务设施4424.48，公共工程3753.64。项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目的建设符合国家政策，各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小，从环保角度分析，本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投

18、资18972.22万元，其中：建设投资15504.66万元，占项目总投资的81.72%；建设期利息162.52万元，占项目总投资的0.86%；流动资金3305.04万元，占项目总投资的17.42%。（二）建设投资构成本期项目建设投资15504.66万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用13209.46万元，工程建设其他费用1876.42万元，预备费418.78万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入32800.00万元，综合总成本费用27665.35万元，纳税总额2584.02万元，净利润3743.62万元，财务内部收益率

19、13.17%，财务净现值131.71万元，全部投资回收期6.65年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30667.00约46.00亩1.1总建筑面积55002.951.2基底面积18400.201.3投资强度万元/亩321.482总投资万元18972.222.1建设投资万元15504.662.1.1工程费用万元13209.462.1.2其他费用万元1876.422.1.3预备费万元418.782.2建设期利息万元162.522.3流动资金万元3305.043资金筹措万元18972.223.1自筹资金万元12338.583.2银行贷款万元6633.644营

20、业收入万元32800.00正常运营年份5总成本费用万元27665.356利润总额万元4991.497净利润万元3743.628所得税万元1247.879增值税万元1192.9910税金及附加万元143.1611纳税总额万元2584.0212工业增加值万元9185.2813盈亏平衡点万元15208.22产值14回收期年6.6515内部收益率13.17%所得税后16财务净现值万元131.71所得税后十、 主要结论及建议通过分析，该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构，改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。第三章 项目投资背景分析一、 竞争格局：国内外差距逐

21、步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。

22、（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内

23、企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。

24、因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的

25、切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。三、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年

26、Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESRe

27、search数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合

28、的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器

29、领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。四、 强化科技创新支撑增强柳州老工业基地自主创新能力，着力打造面向东盟的区域性国际科技创新中心。发挥数字产业化、产业数字化支撑高质量发展的新引擎作用，培育数字经济企业，争创自治区级数字经济示范区。实施百项工业领域重大科技攻关和成果转化项目，建设5家以上自治区级创新平台，培育认定1家以上国家级

30、企业技术中心、190家以上国家高新技术企业，年内科技服务业收入增长超过30%。大力实施质量强市战略，加快国家知识产权试点示范城市建设，打造一批知识产权标杆企业，建设国家汽车质检中心二期、螺蛳粉国家重点实验室。五、 加强园区基础设施建设支持阳和工业新区申报国家级经济技术开发区、柳江区新兴工业园申报自治区级经济技术开发区。规划布局河西高新区西扩建设，加快推进柳江区粤桂智能家电产业集聚区、中国东盟旅游装备产业园、广西柳州现代服装产业园建设，支持各县工业园区发展特色产业。第四章 选址方案一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区

31、域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况柳州，广西壮族自治区辖地级市，是批复确定的广西壮族自治区中部重要中心城市，广西副中心城市，总面积18596平方千米。截至2019年，全市下辖5个区、3个县、代管2个自治县。柳州地处广西中部偏东北，是沟通西南与中南、华东、华南地区的重要铁路枢纽，素有“桂中商埠”之称，是与东盟双向往来产品加工贸易基地和物流中转基地城市，西南出海大通道集散枢纽城市，“一带一路”有机衔接门户的重要节点和西部大开发战略中西江经济带的龙头城市和核心城市，是广西最大的工业基地，是面向东部、南部沿海和东南亚的区域性制造业城市，中国唯一同时拥有

32、四大汽车集团整车生产基地的城市。柳州是国家历史文化名城，是中国最早古人类之一的“柳江人”发祥地，有2100多年建置史，古属百越之地。秦始皇统一岭南后，属桂林郡。秦末汉初柳州属南越国地。西汉元鼎六年，在此设郁林等郡，置潭中县，为柳州建置之始。以柳州为圆心的250千米半径范围内，集中了广西80%以上的4A级旅游风景区，与毗邻的桂林市共同构成享誉世界的大桂林旅游风景区。柳州拥“柳州奇石甲天下”，被誉为“中华石都”。柳州是壮族歌仙刘三姐传歌圣地，传说刘三姐在鱼峰山唱歌感动上天而得道成仙，山歌世代在鱼峰山脚下缭绕。壮族的歌、侗族的楼、苗族的舞、瑶族的节堪称柳州民族风情四绝。“十四五”期柳州发展的主要目标

33、是：“三大建设”取得阶段性成果。面向东盟国际大通道的核心枢纽不断巩固，面向西南中南地区开放发展新的战略支点的实业引擎更加有力，“一带一路”有机衔接重要门户的开放高地更加凸显。初步构建形成“八大体系”。现代创新、现代产业、现代城镇、现代开放、现代文化、现代生态、现代民生、现代治理“八大体系”初步构建形成，全面推进社会主义现代化新征程的基础更加坚实，把柳州建设成为市区建成区面积三百平方公里、常住人口三百万的型大城市取得决定性进展。争做广西工业崛起的先行者、创新支撑产业高质量发展行动的主力军、扩大有效投资攻坚行动的排头兵，打造广西高质量发展先行区、制造业高质量发展示范区。深入推进国家重要的先进制造业

34、基地建设，在质量效益明显提升基础上实现经济持续健康较快发展，主要经济发展指标增速达到全区平均水平以上，力争二二三年工业总产值达到八千亿元、二二五年实现打造万亿工业强市目标。更加注重坚持发展第一要务，按照改革发展既定目标，勠力同心、只争朝夕、接续奋斗，努力推动经济增长高于全区平均水平。更加注重发挥工业基础优势，重振工业雄风、再创发展辉煌，全面推进工业高质量发展、建设现代制造城，做好传统产业改造提升、战略性新兴产业培育、生产性服务业发展三篇文章，培植好具有柳州特色的“工业树”“产业林”。更加注重推进项目建设、积蓄高质量发展新动能，把重大项目建设作为硬任务、硬指标、硬抓手，加强要素保障，扩大有效投资

35、，确保“十四五”时期固定资产投资年均增长15%以上。更加注重深化改革扩大开放、巩固提升中心城市地位，对标国内国际先进水平，全力营造一流的营商环境，促进产业集聚、要素集聚、人口集聚。更加注重绿色低碳发展、推进生态文明建设，以生态环境高水平建设促进经济高质量发展，实现人与自然和谐共生。更加注重坚持以人民为中心、让人民共享发展成果，着力补齐民生短板，改善人民生活品质，统筹发展和安全，不断增强人民群众的获得感、幸福感、安全感。三、 大力扶持中小企业发展实施高成长性中小企业培育计划，精准扶持一批骨干企业和高成长性企业，年内新增规模以上工业企业超过200家。深入开展中小企业服务月活动，完善“一企一策”工作

36、帮扶机制，清理拖欠民营企业中小企业账款，支持企业心无旁骛做好实业。四、 培育壮大战略性新兴产业大力发展新能源汽车产业，全力构建上汽通用五菱、东风柳汽新能源汽车产业生态链，加快广西汽车集团新能源整车基地建设。推动智能交通产业园实现低运量胶轮系统车辆组装生产。发展智能电网产业，争取南网科技产业园落地建设。实施机器人产业园二期项目，启动康养机器人产业园建设。推进装配式建筑新型材料研发。加快柳药股份健康产业园、馨海药业中药研制及生产基地建设。大力培育光电信息、高端装备和新材料等产业。力争战略性新兴产业产值占工业比重提高到20%。五、 项目选址综合评价项目选址所处位置交通便利、地势平坦、地理位置优越，有

37、利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷，水资源丰富，能源供应充裕。项目选址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。项目选址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全部由项目建设地提供，完全可以保障供应。第五章 产品方案分析一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积30667.00（折合约46.00亩），预计场区规划总建筑面积55002.95。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx套碳化硅设备，预

38、计年营业收入32800.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅设备套xx2碳化硅设备套xx3碳化硅设备套xx4.套5.套6.套合计xxx32800.00目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英

39、寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。第六章 发展规划分析一、 公司发展规划根据公司的发展规划，未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务和规模的快速发展，公司的管理水平将面临较大的考验，尤其在公司迅速扩大经营规模后，公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化，在战略规

40、划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外，公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求，公司需进一步提高管理应对能力，才能保持持续发展，实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式，来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面，公司将根据资金、市场的具体情况，择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案，进一步优化资本结构，筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养，同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制，确保公司发展规划和目标的实现。一方面，公司将继续加强员工培训

41、，加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才；对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训，对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面，不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才，要加大引进力度，保持核心人才的竞争力。其三，逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作，持续完善公司的法人治理结构，建立适应现代企业制度要求的决策和用人机制，充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度，强化各项

42、决策的科学性和透明度，保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化，及时调整组织结构和促进公司的机制创新。二、 保障措施(一)强化知识产权加强产业企业的知识产权创造、运用、保护和管理能力，支持企业发展名牌产品和创品牌活动，进一步加强对产业企业知识产权创造和保护的扶持力度。不断完善知识产权保护相关法规，研究制定适合产业发展的知识产权政策。推进高新技术企业实施知识产权战略，建立产业企业知识产权预警机制，积极开展应对知识产权侵权、国际知识产权保护等问题的研究。(二)开展宣传引导统一思想认识，充分认识产业发展的重要性，加强领导，明确责任。加大产业招商服务宣传，汇编产业相关文件，强化

43、产业法律法规和政策的宣贯，运用各种媒介，扩大区域产业知名度。(三)推动区域交流合作积极参与“一带一路”建设，采取园区共建、技术合作、资本合作和贸易换资源等多种方式，加强与市场需求大的沿线国家开展贸易合作。加强同区域内优势产业合作，在重点领域合作实现突破，合作取得积极成效。(四)人才培养持续支撑加强产业人才智库和人才教育培训师资力量建设；转变培训中心的职能，发挥院校和社会培训机构在产业培训方面的作用，大力推进产业职业教育；举办产业人才供需座谈会、洽谈会和招聘会，为企业和人才搭建双向选择平台；打造新媒体教学培训平台，推出全时在线视频教育和技能培训教学；进一步完善产业行业人员持证上岗机制，提高培训企

44、业和人员的主动性；组织“产业大讲堂”活动，提高产业从业人员的业务能力和综合素质。(五)加快推广应用步伐支持产业相关的企业技术中心、工程技术研究中心、重点实验室建设，推进成果产业化。选择产业重点领域推广应用，分步骤、分层次开展应用示范。鼓励有条件的地区和行业率先开展试点示范，形成一批可复制、可推广的经验、模式和案例加以提炼、总结，向全行业推广应用。(六)健全政策法规加强产业政策研究制定，完善涉及产业的地方立法，优化区域产业发展的政策环境。强化产业政策导向，进一步加强与产业政策、区域政策、科技政策、贸易政策、文化政策的衔接，健全区域市产业政策法规体系。建立科技重大专项和科技计划产业目标评估制度，促

45、进创新成果转移转化。第七章 法人治理一、 股东权利及义务1、公司召开股东大会、分配股利、清算及从事其他需要确认股东身份的行为时，由董事会或股东大会召集人确定股权登记日，股权登记日收市后登记在册的股东为享有相关权益的股东。2、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务

46、会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。3、公司股东大会、董事会决议内容违反法律、行政法规的，股东有权请求人民法院认定无效。4、董事、高级管理人员违反法律、行政法规或者本章程的规定，损害股东利益的，股东可以向人民法院提起诉讼。5、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；（2）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（3）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位