永州碳化硅项目投资计划书(模板).docx
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1、泓域咨询/永州碳化硅项目投资计划书永州碳化硅项目投资计划书xxx有限责任公司目录第一章 项目背景及必要性9一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%9二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临10三、 着力构建“一核两轴三圈”区域经济格局11四、 聚力产业强市,加快推动高质量发展12第二章 行业、市场分析14一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越15三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期17第三章 总论20一、 项目名称及建设性质20二、 项目承办单位20三、 项目定位及建设理由21四、 报告编制
2、说明22五、 项目建设选址24六、 项目生产规模24七、 建筑物建设规模24八、 环境影响24九、 项目总投资及资金构成25十、 资金筹措方案25十一、 项目预期经济效益规划目标25十二、 项目建设进度规划26主要经济指标一览表26第四章 项目选址方案29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 全力打造“三个高地”30四、 项目选址综合评价31第五章 产品方案分析32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第六章 发展规划分析34一、 公司发展规划34二、 保障措施38第七章 法人治理41一、 股东权利及义务41二、 董事43三、 高级
3、管理人员48四、 监事50第八章 组织机构及人力资源配置52一、 人力资源配置52劳动定员一览表52二、 员工技能培训52第九章 环保方案分析54一、 编制依据54二、 环境影响合理性分析55三、 建设期大气环境影响分析55四、 建设期水环境影响分析55五、 建设期固体废弃物环境影响分析56六、 建设期声环境影响分析56七、 建设期生态环境影响分析57八、 清洁生产58九、 环境管理分析59十、 环境影响结论61十一、 环境影响建议61第十章 项目规划进度63一、 项目进度安排63项目实施进度计划一览表63二、 项目实施保障措施64第十一章 工艺技术方案65一、 企业技术研发分析65二、 项目
4、技术工艺分析67三、 质量管理68四、 设备选型方案69主要设备购置一览表70第十二章 投资方案分析72一、 投资估算的依据和说明72二、 建设投资估算73建设投资估算表75三、 建设期利息75建设期利息估算表75四、 流动资金77流动资金估算表77五、 总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表80第十三章 经济效益81一、 基本假设及基础参数选取81二、 经济评价财务测算81营业收入、税金及附加和增值税估算表81综合总成本费用估算表83利润及利润分配表85三、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表87四、 财务生存能力分析89五、 偿债能力分
5、析89借款还本付息计划表90六、 经济评价结论91第十四章 项目招投标方案92一、 项目招标依据92二、 项目招标范围92三、 招标要求93四、 招标组织方式93五、 招标信息发布93第十五章 风险分析94一、 项目风险分析94二、 项目风险对策96第十六章 总结98第十七章 附表附件99建设投资估算表99建设期利息估算表99固定资产投资估算表100流动资金估算表101总投资及构成一览表102项目投资计划与资金筹措一览表103营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表107项目投资现金流量表10
6、8报告说明对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。根据谨慎财务估算,项目总投资13931.23万元,其中:建设投资11656.61万元,占项目总投资的83.67%;建设期利息310.88万元,占项目总投资的2.23%;流
7、动资金1963.74万元,占项目总投资的14.10%。项目正常运营每年营业收入23800.00万元,综合总成本费用19592.68万元,净利润3067.38万元,财务内部收益率15.47%,财务净现值3231.53万元,全部投资回收期6.55年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。本报告基于可信的公开资料,参
8、考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景及必要性一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆
9、盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代
10、将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成
11、SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,
12、成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。三、 着力构建“一核两轴三圈”区域经济格局一是壮大“一核”:加快推进零冷联城,打造市域核心增长极,辐射带动全市经济社会发展。二是做强“两轴”:着
13、力在市域北部打造以先进制造和高新技术产业为主的经济发展轴,在市域南部打造以高加工度工业和新兴工业为主的经济发展轴。三是优化“三圈”:加快推进中心城区与祁阳、东安、双牌一体化发展,打造30分钟“同城圈”;推进中心城区与县及县域之间的快速通道建设,提升相互之间经济协作、产业协同发展水平,推动公共服务设施配套共享,打造60分钟“协同圈”;利用高铁、航空快速通道,主动融入粤港澳大湾区、长江经济带、成渝地区双城经济圈、湖南自贸区、海南自贸港和东盟,形成90分钟“融入圈”。四、 聚力产业强市,加快推动高质量发展加快发展先进制造业。大力培育企业主体。建立“专精特新”中小微企业梯度培育体系,加快培育一批“小巨
14、人”企业、高成长性高新技术企业、“独角兽”企业。集中培育300家重点企业,力争3年内实现税收过500万元、产值过5亿元的企业数量倍增。大力推进产业强链。实施产业链供应链提升工程,围绕先进装备制造、电子信息、生物医药、新材料、轻纺箱包制鞋、农产品精深加工等优势产业,分行业做好产业链供应链设计,“一链一策”制定实施三年行动计划,加快构建各类配套企业集聚集合的产业发展生态,培育壮大优势产业集群。大力实施园区强基。实施“园区提质攻坚”三年行动,今年全市园区完成基础设施投资120亿元以上,新建标准厂房120万平方米以上,引进投资5000万元以上项目120个以上,新入统规模工业企业120家以上,实现税收过
15、200万元企业160家以上。中心城区园区要加压奋进,今年新增入统规模工业企业60家以上、产值过亿元企业30家以上。加快将永州经开区创建为国家级经开区。做强中国古巴生物技术联合创新中心。大力加强品牌建设。推进质量强市、品牌兴市,鼓励企业积极争创中国质量奖、中华老字号、省长质量奖等,打造一批知名企业品牌、产品品牌。积极推进数字产业化、产业数字化,实施中小企业“两上三化”行动,加快推动制造业数字化、网络化、智能化转型。第二章 行业、市场分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(
16、一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳
17、已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。
18、目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(G
19、a2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC
20、器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 新能源车带来百亿级市场空间,
21、光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括O
22、BC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左
23、右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需
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