武汉碳化硅衬底设备项目实施方案_参考模板.docx
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1、泓域咨询/武汉碳化硅衬底设备项目实施方案目录第一章 背景及必要性9一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临9二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心10三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越12四、 构建现代产业体系,提高经济质量效益和核心竞争力13五、 坚持更大力度改革,打造营商环境最优城市16六、 项目实施的必要性18第二章 绪论20一、 项目名称及建设性质20二、 项目承办单位20三、 项目定位及建设理由21四、 报告编制说明22五、 项目建设选址24六、 项目生产规模24七、 建筑物建设规模24八、 环境影响25九、 项目总投资及资金构成25十、 资
2、金筹措方案26十一、 项目预期经济效益规划目标26十二、 项目建设进度规划26主要经济指标一览表27第三章 项目承办单位基本情况29一、 公司基本信息29二、 公司简介29三、 公司竞争优势30四、 公司主要财务数据32公司合并资产负债表主要数据32公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍33六、 经营宗旨34七、 公司发展规划34第四章 建筑工程可行性分析41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案41三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表43第五章 项目选址可行性分析45一、 项目选址原则45二、 建设区基本情况45三、 强化“一主引领”龙头作用,推动区域协调发展47四、 项
3、目选址综合评价50第六章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员62四、 监事64第七章 运营模式分析66一、 公司经营宗旨66二、 公司的目标、主要职责66三、 各部门职责及权限67四、 财务会计制度70第八章 SWOT分析说明78一、 优势分析(S)78二、 劣势分析(W)80三、 机会分析(O)80四、 威胁分析(T)81第九章 环境保护分析85一、 环境保护综述85二、 建设期大气环境影响分析85三、 建设期水环境影响分析87四、 建设期固体废弃物环境影响分析87五、 建设期声环境影响分析88六、 环境影响综合评价88第十章 劳动安全生产分析90一、
4、编制依据90二、 防范措施93三、 预期效果评价98第十一章 建设进度分析99一、 项目进度安排99项目实施进度计划一览表99二、 项目实施保障措施100第十二章 组织机构、人力资源分析101一、 人力资源配置101劳动定员一览表101二、 员工技能培训101第十三章 原辅材料供应、成品管理103一、 项目建设期原辅材料供应情况103二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理103第十四章 投资计划105一、 投资估算的依据和说明105二、 建设投资估算106建设投资估算表110三、 建设期利息110建设期利息估算表110固定资产投资估算表112四、 流动资金112流动资金估算表113五、 项目总
5、投资114总投资及构成一览表114六、 资金筹措与投资计划115项目投资计划与资金筹措一览表115第十五章 项目经济效益分析117一、 基本假设及基础参数选取117二、 经济评价财务测算117营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表119利润及利润分配表121三、 项目盈利能力分析122项目投资现金流量表123四、 财务生存能力分析125五、 偿债能力分析125借款还本付息计划表126六、 经济评价结论127第十六章 风险风险及应对措施128一、 项目风险分析128二、 项目风险对策130第十七章 招标方案132一、 项目招标依据132二、 项目招标范围132三、 招标要求
6、132四、 招标组织方式134五、 招标信息发布138第十八章 项目总结139第十九章 附表附件141主要经济指标一览表141建设投资估算表142建设期利息估算表143固定资产投资估算表144流动资金估算表145总投资及构成一览表146项目投资计划与资金筹措一览表147营业收入、税金及附加和增值税估算表148综合总成本费用估算表148固定资产折旧费估算表149无形资产和其他资产摊销估算表150利润及利润分配表151项目投资现金流量表152借款还本付息计划表153建筑工程投资一览表154项目实施进度计划一览表155主要设备购置一览表156能耗分析一览表156报告说明目前行业内公司主要量产产品尺寸
7、集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。根据谨慎财务估算,项目总投资11217.49万元,其中:建设投资8562.02万元,占项目总投资的76.33%;建设期利息192.32万元,占项目总投资的1.71%;流动资金2463.15万元,占项目总投资的21.96%。项目正常运营每年营业收入22400.00万
8、元,综合总成本费用17746.38万元,净利润3403.10万元,财务内部收益率22.12%,财务净现值3994.03万元,全部投资回收期5.90年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行
9、业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景及必要性一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增
10、效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英
11、飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。二、 大尺寸大势所趋,衬底是Si
12、C产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬
13、底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术
14、难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷
15、化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电
16、压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、
17、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 构建现代产业体系,提高经济质量效益和核心竞争力坚持把发展经济的着力点放在实体经济上,推进产业基础高级化、产业链现代化,加快打造以战略性新兴产业为引领、先进制造业为支撑、现代服务业为主体的现代产业体系,实现产业有机更新、迭代发展,努力推动经济体系优化升级。(一)突破性发展数字经济全面实施数字经济“573”工程,创建国家数字经济创新发展试验区,打造数字武汉。促进数字经济与实体经济深度融合,加快推进数字产业化、产业数字化,推动大数据、云计算、人工
18、智能、区块链、物联网等新一代信息技术深度应用,加速建设国家新一代人工智能创新发展试验区,创建国家“5G+工业互联网”先导区,打造具有国际竞争力的数字产业集群。加强数字城市建设,提升公共服务、社会治理等数字化智能化水平。积极参与数据资源产权、交易流通、跨境传输和安全保护等国家、行业基础标准制定,推动数据资源安全有序开放和有效利用。(二)做大做强支柱产业集群强力推进制造强市战略,巩固壮大实体经济根基。实施支柱产业壮大工程,打造“光芯屏端网”新一代信息技术、汽车制造和服务、大健康和生物技术、高端装备制造、智能建造、商贸物流、现代金融、绿色环保、文化旅游等支柱产业,全面推进新一轮技改,促进钢铁、石化、
19、建材、食品、轻工、纺织等传统产业向高端化、智能化、绿色化转型升级。实施产业基础再造工程,聚焦核心基础零部件(元器件)、关键基础材料、先进基础工艺和产业技术基础等方面的短板弱项,集中资源攻关突破。实施产业链提升工程,大力“建链、补链、强链”,加快发展服务经济、头部经济、枢纽经济、信创经济、流量经济,发展服务型制造,推动技术进“链”、企业进“群”、产业进“园”。编制产业地图,促进区域错位协同发展。深入开展质量提升行动,锻造武汉质量、武汉标准、武汉品牌。(三)培育发展战略性新兴产业和未来产业实施战略性新兴产业倍增计划,构建一批新兴产业、未来产业增长引擎,形成发展新动能。高质量推进四大国家级产业新基地
20、和大健康产业基地建设,大力发展网络安全、航空航天、空天信息、人工智能、数字创意、氢能等新兴产业,超前布局电磁能、量子科技、超级计算、脑科学和类脑科学、深地深海深空等未来产业。促进平台经济、共享经济健康发展,加快培育新技术、新产品、新业态、新模式。(四)加快发展现代服务业推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸,大力发展研发设计、检验检测、商务会展、航运交易、法律服务等服务业,推动现代服务业同先进制造业、现代农业深度融合。推动生活性服务业向高品质和多样化升级,加快发展养老育幼、智慧教育、体育休闲、家政物业等服务业,加强公益性、基础性服务业供给。推进服务业数字化、标准化、品牌化建设,推进现代服务业
21、集聚区优化升级,打造中国服务名城。五、 坚持更大力度改革,打造营商环境最优城市坚持以经济体制改革为重点全面深化改革,充分发挥市场在资源配置中的决定性作用,推动有效市场和有为政府更好结合。(一)激发各类市场主体活力坚持两个“毫不动摇”,培育更多充满活力的市场主体。深化国资国企改革,加快国有经济布局优化和结构调整,做强做优做大国有资本和国有企业。推进区域性国资国企综合改革试验,深化混合所有制改革,实现资源集约整合,推动竞争性资源整体上市。坚持加强党的领导和完善公司治理相统一,加快完善现代企业制度。完善以管资本为主的国资管理体制,推动国有资本投资、运营公司更好发挥作用。全面推进民营经济高质量发展,坚
22、决破除制约市场公平竞争的各类障碍和隐性壁垒,完善促进民营经济发展的法律环境和政策体系。促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长,依法平等保护民营企业产权和企业家权益。(二)推进要素市场化配置改革争取要素市场化配置综合改革试点,加快推进土地、劳动力、资本、技术、数据等要素市场化配置改革。健全公平竞争审查机制,加强反不正当竞争执法,保障各种所有制主体依法平等使用资源要素。建立健全城乡统一的建设用地市场,深化产业用地市场化配置改革,实施新型工业用地(M0)政策,完善“标准地”制度,健全长期租赁、先租后让、弹性年期供应、作价出资(入股)等工业用地市场供应体系。深化农村宅基地制度改革试点,深入
23、推进建设用地整理,完善城乡建设用地增减挂钩政策体系。加快培育数据要素市场,提升社会数据资源价值,支持构建规范化数据开发利用场景。(三)加快建设区域金融中心深化武汉城市圈科技金融改革创新试验区建设。大力发展创投风投、产业金融、股权投资、金融科技等创新业态,完善融资对接服务平台,强化金融支持实体经济功能。深化投贷联动试点,大力推广科保贷,完善政策性融资担保服务体系,建设全国一流科技保险示范区,争创国家保险创新示范区。发展混合所有制金融组织,做强做大一批总部金融机构和头部金融企业。实施上市企业倍增计划,完善以股权、债权、金融资产交易为主的要素交易市场体系,支持武汉股权托管交易中心争取“四板”创新试点
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