江门碳化硅衬底设备项目商业计划书范文模板.docx
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1、泓域咨询/江门碳化硅衬底设备项目商业计划书江门碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx投资管理公司目录第一章 项目总论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位10四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 项目建设背景及必要性分析16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景
2、下性能优越19四、 抢抓“双区”重大历史机遇20五、 推动社会经济高质量发展23六、 项目实施的必要性23第三章 建设单位基本情况25一、 公司基本信息25二、 公司简介25三、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划31第四章 市场分析33一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%33二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒34三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期35第五章 创新驱动38一、 企业技术研发分析38二、 项目技术工艺分
3、析40三、 质量管理41四、 创新发展总结42第六章 SWOT分析44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)46四、 威胁分析(T)47第七章 运营模式53一、 公司经营宗旨53二、 公司的目标、主要职责53三、 各部门职责及权限54四、 财务会计制度57第八章 发展规划64一、 公司发展规划64二、 保障措施65第九章 法人治理68一、 股东权利及义务68二、 董事70三、 高级管理人员75四、 监事78第十章 项目规划进度79一、 项目进度安排79项目实施进度计划一览表79二、 项目实施保障措施80第十一章 产品方案分析81一、 建设规模及主要建设内容81二、
4、 产品规划方案及生产纲领81产品规划方案一览表81第十二章 风险风险及应对措施83一、 项目风险分析83二、 项目风险对策85第十三章 建筑工程方案87一、 项目工程设计总体要求87二、 建设方案88三、 建筑工程建设指标91建筑工程投资一览表92第十四章 投资计划方案94一、 投资估算的依据和说明94二、 建设投资估算95建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97四、 流动资金99流动资金估算表99五、 总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表102第十五章 项目经济效益评价103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经
5、济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十六章 总结评价说明114第十七章 附表附件115建设投资估算表115建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表1
6、23项目投资现金流量表124报告说明成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。根据谨慎财务估算,项目总投资17550.83万元,其中:建设投资13874.99万元,占项目总投资的79.06%;建设期利息137.71万元,占项目总投资的0.78%;流动资金3538.13万元,占项目总投资的20.16%。项目正常运营每年营业
7、收入37000.00万元,综合总成本费用29166.58万元,净利润5738.59万元,财务内部收益率25.82%,财务净现值8741.03万元,全部投资回收期5.13年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告
8、可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目总论一、 项目定位及建设理由据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理
9、,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 项目名称及建设性质(一)项目名称江门碳化硅衬底设备项目(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目三、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx投资管理公司(二)项目联系人汤xx(三)项目建设单位概况本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念,将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本,在服务社会、方便大众中赢得信誉、
10、赢得市场。“满足社会和业主的需要,是我们不懈的追求”的企业观念,面对经济发展步入快车道的良好机遇,正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育
11、一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。未来,在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。四、 项目建设选址本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约35.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积44089.27,其中:生产工程27130.94,仓储工程9270.34,行政办公及生活服务设施4107.33,公共工程3
12、580.66。七、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资17550.83万元,其中:建设投资13874.99万元,占项目总投资的79.06%;建设期利息137.71万元,占项目总投资的0.78%;流动资金3538.13万元,占项目总投资的20.16%。(二)建设投资构成本期项目建设投资13874.99万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用12129.54万元,工程建设其他费用1368.96万元,预备费376.49万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资17550.83万元,其中申请银行长期
13、贷款5620.98万元,其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):37000.00万元。2、综合总成本费用(TC):29166.58万元。3、净利润(NP):5738.59万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.13年。2、财务内部收益率:25.82%。3、财务净现值:8741.03万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划12个月。十一、 项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投
14、资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积23333.00约35.00亩1.1总建筑面积44089.271.2基底面积13766.471.3投资强度万元/亩385.042总投资万元17550.832.1建设投资万元13874.992.1.1工程费用万元12129.542.1.2其他费用万元1368.962.1.3预备费万元376.492.2建设期利息万元137.712.3流动资金万元3538.133资金筹措万元17550.833.1自筹资金万元11929.853.2银行贷款万元5620.984营业收入万元37000.00正常运营年
15、份5总成本费用万元29166.586利润总额万元7651.457净利润万元5738.598所得税万元1912.869增值税万元1516.4210税金及附加万元181.9711纳税总额万元3611.2512工业增加值万元12057.3113盈亏平衡点万元11754.59产值14回收期年5.1315内部收益率25.82%所得税后16财务净现值万元8741.03所得税后第二章 项目建设背景及必要性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公
16、司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%
17、。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级
18、为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfs
19、peed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左
20、右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为
21、半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组
22、成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1
23、/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 抢抓“双区”重大历史机遇举全市之力投身“双区”建设,强化与大湾区及周边城市“软”“硬”联通,建设粤港澳大湾区重要节点城市,为大湾区建设国际一流湾区和世界级城市群作出江门贡献。(一)建设大湾区综合交通枢纽城市全力构建集高铁、城市轨道、高速公路、港口、机场“五位一体”的珠西综合交通枢纽,大力发展廊道经济和流量经济。全面融入轨道上
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