汉中碳化硅衬底项目商业计划书(范文模板).docx
《汉中碳化硅衬底项目商业计划书(范文模板).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《汉中碳化硅衬底项目商业计划书(范文模板).docx(118页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/汉中碳化硅衬底项目商业计划书汉中碳化硅衬底项目商业计划书xxx(集团)有限公司目录第一章 项目概述8一、 项目名称及项目单位8二、 项目建设地点8三、 建设背景、规模8四、 项目建设进度9五、 建设投资估算9六、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表10七、 主要结论及建议12第二章 行业、市场分析13一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越13二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期16第三章 项目建设背景、必要性19一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心19二、 衬底为技术壁垒最高
2、环节,价值量占比46%20三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临21四、 坚持把创新引领、改革开放、共同富裕作为动力源泉23五、 坚持把系统观念、问题导向、底线思维作为重要方法23第四章 项目承办单位基本情况24一、 公司基本信息24二、 公司简介24三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第五章 运营管理模式32一、 公司经营宗旨32二、 公司的目标、主要职责32三、 各部门职责及权限33四、 财务会计制度36第六章 法人治理结构40一、 股东权利及义务4
3、0二、 董事45三、 高级管理人员49四、 监事51第七章 发展规划分析54一、 公司发展规划54二、 保障措施55第八章 创新发展58一、 企业技术研发分析58二、 项目技术工艺分析60三、 质量管理61四、 创新发展总结62第九章 SWOT分析说明63一、 优势分析(S)63二、 劣势分析(W)64三、 机会分析(O)65四、 威胁分析(T)65第十章 风险防范69一、 项目风险分析69二、 公司竞争劣势72第十一章 项目进度计划73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十二章 建筑工程技术方案75一、 项目工程设计总体要求75二、 建设方案75三、
4、建筑工程建设指标76建筑工程投资一览表76第十三章 建设规模与产品方案78一、 建设规模及主要建设内容78二、 产品规划方案及生产纲领78产品规划方案一览表78第十四章 投资计划方案80一、 投资估算的依据和说明80二、 建设投资估算81建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85固定资产投资估算表87四、 流动资金87流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表90第十五章 经济效益92一、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表93固定资产折旧费估算表94无形资产和
5、其他资产摊销估算表95利润及利润分配表97二、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表99三、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101第十六章 项目总结分析103第十七章 附表附件105主要经济指标一览表105建设投资估算表106建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表116报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资38107.71万元,其中:建设投资28658.06万元,占项目总投资
6、的75.20%;建设期利息420.63万元,占项目总投资的1.10%;流动资金9029.02万元,占项目总投资的23.69%。项目正常运营每年营业收入75400.00万元,综合总成本费用60476.33万元,净利润10911.40万元,财务内部收益率21.45%,财务净现值15924.28万元,全部投资回收期5.62年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基
7、器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:汉中碳化硅衬底项目项目单位:xxx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以选址意见书为准),占地面积约89.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规
8、划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积59333.00(折合约89.00亩),预计场区规划总建筑面积84166.68。其中:生产工程54
9、159.03,仓储工程12090.58,行政办公及生活服务设施8785.72,公共工程9131.35。项目建成后,形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资38107.71万元,其中:建设投资28658.06万元,占项目总投资的75.20%;建设期利息420.63万元,占项目总投
10、资的1.10%;流动资金9029.02万元,占项目总投资的23.69%。(二)建设投资构成本期项目建设投资28658.06万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用24111.79万元,工程建设其他费用3804.66万元,预备费741.61万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入75400.00万元,综合总成本费用60476.33万元,纳税总额7138.46万元,净利润10911.40万元,财务内部收益率21.45%,财务净现值15924.28万元,全部投资回收期5.62年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目
11、单位指标备注1占地面积59333.00约89.00亩1.1总建筑面积84166.681.2基底面积33819.811.3投资强度万元/亩298.952总投资万元38107.712.1建设投资万元28658.062.1.1工程费用万元24111.792.1.2其他费用万元3804.662.1.3预备费万元741.612.2建设期利息万元420.632.3流动资金万元9029.023资金筹措万元38107.713.1自筹资金万元20939.233.2银行贷款万元17168.484营业收入万元75400.00正常运营年份5总成本费用万元60476.336利润总额万元14548.537净利润万元109
12、11.408所得税万元3637.139增值税万元3126.1910税金及附加万元375.1411纳税总额万元7138.4612工业增加值万元23920.7713盈亏平衡点万元30224.92产值14回收期年5.6215内部收益率21.45%所得税后16财务净现值万元15924.28所得税后七、 主要结论及建议该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。第二章 行业、市场分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场
13、景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、
14、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更
15、高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公
16、司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%
17、。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级
18、为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFE
19、T只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光
20、伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变
21、器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分
22、别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。第三章 项目建设背景、必要性一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美
23、国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 汉中 碳化硅 衬底 项目 商业 计划书 范文 模板
限制150内