江苏碳化硅项目商业计划书_范文模板.docx
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1、泓域咨询/江苏碳化硅项目商业计划书江苏碳化硅项目商业计划书xx(集团)有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资32871.89万元,其中:建设投资24938.16万元,占项目总投资的75.86%;建设期利息299.23万元,占项目总投资的0.91%;流动资金7634.50万元,占项目总投资的23.23%。项目正常运营每年营业收入66900.00万元,综合总成本费用58312.93万元,净利润6237.53万元,财务内部收益率10.82%,财务净现值1201.06万元,全部投资回收期7.15年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的
2、主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,
3、小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 绪论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 项目背景、必要性1
4、6一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越19四、 全面畅通经济循环积极拓展内需市场21五、 坚持科技自立自强,加快建设科技强省23六、 项目实施的必要性27第三章 项目建设单位说明29一、 公司基本信息29二、 公司简介29三、 公司竞争优势30四、 公司主要财务数据32公司合并资产负债表主要数据32公司合并利润表主要数据32五、 核心人员介绍33六、 经营宗旨34七、 公司发展规划34第四章 行业发展分析40一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期40二、
5、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临41三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%43第五章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事47三、 高级管理人员52四、 监事54第六章 发展规划分析56一、 公司发展规划56二、 保障措施60第七章 创新驱动63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理67四、 创新发展总结68第八章 运营模式69一、 公司经营宗旨69二、 公司的目标、主要职责69三、 各部门职责及权限70四、 财务会计制度73第九章 SWOT分析说明81一、 优势分析(S)81二、 劣势分析(W)83三、 机会分析(O)83四、 威胁
6、分析(T)84第十章 风险评估90一、 项目风险分析90二、 项目风险对策92第十一章 建设方案与产品规划94一、 建设规模及主要建设内容94二、 产品规划方案及生产纲领94产品规划方案一览表94第十二章 进度实施计划96一、 项目进度安排96项目实施进度计划一览表96二、 项目实施保障措施97第十三章 建筑工程方案分析98一、 项目工程设计总体要求98二、 建设方案98三、 建筑工程建设指标100建筑工程投资一览表100第十四章 项目投资分析102一、 编制说明102二、 建设投资102建筑工程投资一览表103主要设备购置一览表104建设投资估算表105三、 建设期利息106建设期利息估算表
7、106固定资产投资估算表107四、 流动资金108流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表111第十五章 项目经济效益分析113一、 经济评价财务测算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表118二、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量表120三、 偿债能力分析121借款还本付息计划表122第十六章 项目总结124第十七章 附表126主要经济指标一览表126建设投资估算表127建设期利息估算表128固
8、定资产投资估算表129流动资金估算表130总投资及构成一览表131项目投资计划与资金筹措一览表132营业收入、税金及附加和增值税估算表133综合总成本费用估算表133固定资产折旧费估算表134无形资产和其他资产摊销估算表135利润及利润分配表136项目投资现金流量表137借款还本付息计划表138建筑工程投资一览表139项目实施进度计划一览表140主要设备购置一览表141能耗分析一览表141第一章 绪论一、 项目定位及建设理由半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电
9、子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。二、 项目名称及建设性质(一)项目名称江苏碳化硅项目(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目三、 项目承办单位(一)项目承办单位名称x
10、x(集团)有限公司(二)项目联系人林xx(三)项目建设单位概况公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变
11、。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区,占地面积约73.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅材料的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积8378
12、2.59,其中:生产工程56856.31,仓储工程13270.91,行政办公及生活服务设施8284.87,公共工程5370.50。七、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资32871.89万元,其中:建设投资24938.16万元,占项目总投资的75.86%;建设期利息299.23万元,占项目总投资的0.91%;流动资金7634.50万元,占项目总投资的23.23%。(二)建设投资构成本期项目建设投资24938.16万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用21275.58万元,工程建设其他费
13、用2911.64万元,预备费750.94万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资32871.89万元,其中申请银行长期贷款12213.57万元,其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正常经营年份)1、营业收入(SP):66900.00万元。2、综合总成本费用(TC):58312.93万元。3、净利润(NP):6237.53万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):7.15年。2、财务内部收益率:10.82%。3、财务净现值:1201.06万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划1
14、2个月。十一、 项目综合评价本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积48667.00约73.00亩1.1总建筑面积83782.591.2基底面积27740.191.3投资强度万元/亩324.222总投资万元32871.892.1建设投
15、资万元24938.162.1.1工程费用万元21275.582.1.2其他费用万元2911.642.1.3预备费万元750.942.2建设期利息万元299.232.3流动资金万元7634.503资金筹措万元32871.893.1自筹资金万元20658.323.2银行贷款万元12213.574营业收入万元66900.00正常运营年份5总成本费用万元58312.936利润总额万元8316.717净利润万元6237.538所得税万元2079.189增值税万元2253.0210税金及附加万元270.3611纳税总额万元4602.5612工业增加值万元16472.3913盈亏平衡点万元35033.30产
16、值14回收期年7.1515内部收益率10.82%所得税后16财务净现值万元1201.06所得税后第二章 项目背景、必要性一、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特
17、斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来S
18、iC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASARes
19、earch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐
20、公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业
21、龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目
22、前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材
23、料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理
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