河北碳化硅衬底设备项目投资计划书_模板范本.docx
《河北碳化硅衬底设备项目投资计划书_模板范本.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《河北碳化硅衬底设备项目投资计划书_模板范本.docx(123页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/河北碳化硅衬底设备项目投资计划书目录第一章 项目投资背景分析7一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心7二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越8三、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期10四、 开创“两翼”发展新局面11第二章 项目概况14一、 项目名称及项目单位14二、 项目建设地点14三、 可行性研究范围14四、 编制依据和技术原则15五、 建设背景、规模16六、 项目建设进度17七、 环境影响17八、 建设投资估算17九、 项目主要技术经济指标18主要经济指标一览表18十、 主要结论及建议20第三章 行业发展分析21一、 SiC衬底设备:与传统
2、晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒21二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期22第四章 选址可行性分析25一、 项目选址原则25二、 建设区基本情况25三、 加快发展现代产业体系和推动经济体系优化升级27四、 依托强大国内市场构建新发展格局30五、 项目选址综合评价32第五章 建设内容与产品方案34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表34第六章 建筑技术分析36一、 项目工程设计总体要求36二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标37建筑工程投资一览表37第七章 发展规划分析39一、 公司发展规划39二、 保障措施40第八章 运营管
3、理模式42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务会计制度46第九章 SWOT分析50一、 优势分析(S)50二、 劣势分析(W)52三、 机会分析(O)52四、 威胁分析(T)53第十章 项目节能分析59一、 项目节能概述59二、 能源消费种类和数量分析60能耗分析一览表61三、 项目节能措施61四、 节能综合评价62第十一章 安全生产分析63一、 编制依据63二、 防范措施64三、 预期效果评价68第十二章 原辅材料成品管理70一、 项目建设期原辅材料供应情况70二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理70第十三章 环境影响分析72一、 环境保
4、护综述72二、 建设期大气环境影响分析73三、 建设期水环境影响分析77四、 建设期固体废弃物环境影响分析77五、 建设期声环境影响分析78六、 环境影响综合评价79第十四章 组织机构、人力资源分析80一、 人力资源配置80劳动定员一览表80二、 员工技能培训80第十五章 投资方案分析83一、 投资估算的编制说明83二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表86四、 流动资金87流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表90第十六章 经济效益评价92一、 经济评价财务测算92营业收入、税
5、金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表93固定资产折旧费估算表94无形资产和其他资产摊销估算表95利润及利润分配表97二、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表99三、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101第十七章 风险分析103一、 项目风险分析103二、 项目风险对策105第十八章 项目招标及投标分析107一、 项目招标依据107二、 项目招标范围107三、 招标要求108四、 招标组织方式108五、 招标信息发布108第十九章 总结说明109第二十章 附表附录111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资
6、产摊销估算表113利润及利润分配表114项目投资现金流量表115借款还本付息计划表116建设投资估算表117建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目投资背景分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、
7、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺
8、呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的
9、长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅
10、(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电
11、压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源
12、、轨道交通、智能电网等。三、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公
13、司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会
14、更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。四、 开创“两翼”发展新局面深入实施“两翼”带动发展战略,以承接北京非首都功能疏解为“牛鼻子”推进京津冀协同发展向深度广度拓展,以建设雄安新区带动冀中南乃至整个河北发展,以筹办北京冬奥会为契机推进张北地区建设。(一)积极构建京津冀协同发展新格局持续落实“三区一基地”功能定位,加快建设全国
15、现代商贸物流重要基地、产业转型升级试验区、新型城镇化与城乡统筹示范区、京津冀生态环境支撑区。加大产业转移、交通一体化和生态环境建设力度,努力实现新突破,着力打造“轨道上的京津冀”,基本建成安全、便捷、智能、高效、绿色的一体化综合交通运输体系。深化联建联防联治,完善区域生态环境保护协作机制和流域生态补偿机制。抓好北京大兴国际机场临空经济区、曹妃甸区、芦台汉沽、渤海新区、正定新区、北戴河新区、邢东新区、冀南新区、滨湖新区等承接平台建设,推动与京津产业协作互补。支持廊坊市北三县与北京市通州区协同发展。促进京津优质教育、医疗资源向河北延伸,加快基本公共服务共建共享。完善京津冀各层次对接合作长效机制,推
16、进人流、物流、信息流等要素市场一体化。(二)高标准高质量推进雄安新区建设发展坚持世界眼光、国际标准、中国特色、高点定位,深入落实规划体系,努力创造“雄安质量”。统筹推进启动区、起步区和重点片区建设,抓好智慧城市、海绵城市、交通路网、水利防洪、市政基础设施、生态环保、公共服务等领域重大工程项目。加强白洋淀生态环境治理和保护,抓好“千年秀林”建设。大力发展高端高新产业,打造全球创新高地。对接和落实疏解项目清单,推动北京高校、医疗机构、企业总部、金融机构、事业单位等一批标志性项目落地实施。深化体制机制创新,构建雄安标准体系,逐步赋予雄安新区省级经济社会管理权限。(三)精心办好2022年北京冬奥会和冬
17、残奥会全面落实“四个办奥”理念,携手北京举办一届精彩、非凡、卓越的奥运盛会,实现办赛精彩、参赛出彩。打造一流冬奥场馆设施,构建平赛结合、适度超前、互联共享的基础设施支撑体系。高水平筹办“相约北京”系列测试赛,搞好赛事服务保障和冬奥宣传推介。深入推进冬奥遗产计划,加强场馆赛后综合利用,发展赛事经济、会展经济、论坛经济等。加大冰雪运动普及力度,大力发展冰雪产业。因势发展奥运经济,建设张家口国家可再生能源示范区、国家级氢能产业示范城市,打造河北发展重要一翼,努力交出“两份优异答卷”。第二章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:河北碳化硅衬底设备项目项目单位:xx(集团)有限公司二、 项目建设地
18、点本期项目选址位于xx(待定),占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定;2、建设项目经济评价方法与参数;3、投资项目可行性研究指南;4、项目建设地国民经济发展规划;5、其他相关资料。
19、(二)技术原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低
20、程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。五、 建设背景、规模(一)项目背景SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是S
21、i的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积60667.00(折合约91.00亩),预计场区规划总建筑面积92529.57。其中:生产工程61130.50,仓储工程15135.20,行政办公及生活服务设施8033.78,公共工程8230.09。项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等
22、。七、 环境影响项目符合国家产业政策,符合城乡规划要求,符合国家土地供地政策,运营期间产生的废气、废水、噪声、固体废弃物等在采取相应的治理措施后,均能达到相应的国家标准要求,对外环境影响较小。因此,该项目在认真贯彻执行国家的环保法律、法规,认真落实污染防治措施的基础上,从环保角度分析,该项目的实施是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资35970.78万元,其中:建设投资29736.33万元,占项目总投资的82.67%;建设期利息728.17万元,占项目总投资的2.02%;流动资金5506.28万元,占项
23、目总投资的15.31%。(二)建设投资构成本期项目建设投资29736.33万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用24381.83万元,工程建设其他费用4534.85万元,预备费819.65万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入61800.00万元,综合总成本费用51306.78万元,纳税总额5140.41万元,净利润7662.07万元,财务内部收益率15.37%,财务净现值4631.07万元,全部投资回收期6.55年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60667.00约91.00亩
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 河北 碳化硅 衬底 设备 项目 投资 计划书 模板 范本
限制150内