海南碳化硅衬底项目商业计划书(模板).docx
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1、泓域咨询/海南碳化硅衬底项目商业计划书海南碳化硅衬底项目商业计划书xx有限责任公司目录第一章 项目概述9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 建设背景、规模9四、 项目建设进度11五、 建设投资估算11六、 项目主要技术经济指标12主要经济指标一览表12七、 主要结论及建议14第二章 行业、市场分析15一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临18第三章 项目背景及必要性20一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%20二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景
2、下性能优越21三、 加强开放合作交流22四、 坚持创新驱动发展,努力打造发展新动能23第四章 项目投资主体概况26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨31七、 公司发展规划31第五章 法人治理33一、 股东权利及义务33二、 董事40三、 高级管理人员46四、 监事49第六章 运营管理51一、 公司经营宗旨51二、 公司的目标、主要职责51三、 各部门职责及权限52四、 财务会计制度55第七章 发展规划59一、 公司发展规划59二、 保障措施60第八章
3、 创新发展63一、 企业技术研发分析63二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理67四、 创新发展总结68第九章 SWOT分析说明69一、 优势分析(S)69二、 劣势分析(W)70三、 机会分析(O)71四、 威胁分析(T)71第十章 建设规模与产品方案77一、 建设规模及主要建设内容77二、 产品规划方案及生产纲领77产品规划方案一览表77第十一章 项目规划进度79一、 项目进度安排79项目实施进度计划一览表79二、 项目实施保障措施80第十二章 项目风险防范分析81一、 项目风险分析81二、 项目风险对策83第十三章 建筑工程可行性分析86一、 项目工程设计总体要求86二、 建设方案88
4、三、 建筑工程建设指标91建筑工程投资一览表92第十四章 项目投资计划94一、 投资估算的编制说明94二、 建设投资估算94建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表97四、 流动资金98流动资金估算表98五、 项目总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表101第十五章 项目经济效益分析103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力
5、分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十六章 总结说明114第十七章 附表116建设投资估算表116建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表124项目投资现金流量表125报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资37222.68万元,其中:建设投资29968.19万元,占项目总投资的80.51%;建设期利息770.45万元,占项目总投资的2.07%;流动资
6、金6484.04万元,占项目总投资的17.42%。项目正常运营每年营业收入63200.00万元,综合总成本费用52500.51万元,净利润7796.42万元,财务内部收益率14.14%,财务净现值185.61万元,全部投资回收期6.80年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差
7、距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:海南碳化硅衬底项目项目单位:xx有限责任公司二、 项目建设地点本期项
8、目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约93.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模(一)项目背景展望2035年,海南在社会主义现代化建设上走在全国前列,自由贸易港的制度体系和运作模式更加成熟,国际影响力和辐射作用更加凸显,营商环境跻身全球前列,成为我国开放型经济新高地;经济总量和城乡居民人均收入迈上新的大台阶,全体人民共同富裕迈出坚实步伐,优质公共服务和创新创业环境达到国际先进水平;基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,建成现代化经济体系,形成互联网、消费(含免税购物)、大健康和教
9、育、旅游文化体育等一批万亿级产业;生态环境质量和资源利用效率居于世界领先水平,成为在国际上展示我国积极参与应对全球气候变化和生态文明建设成果的靓丽名片;基本实现农业农村现代化;全民素质和社会文明程度达到新高度,建成展示我国文化软实力的重要窗口;法律法规体系更加健全,风险防控体系更加严密,现代社会治理格局基本形成,社会充满活力又和谐有序;初步建成经济繁荣、社会文明、生态宜居、人民幸福的美好新海南。2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林
10、工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望
11、加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积62000.00(折合约93.00亩),预计场区规划总建筑面积95087.85。其中:生产工程57954.62,仓储工程14509.49,行政办公及生活服务设施13804.86,公共工程8818.88。项目建成后,形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。四、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调
12、试、试车投产等。五、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资37222.68万元,其中:建设投资29968.19万元,占项目总投资的80.51%;建设期利息770.45万元,占项目总投资的2.07%;流动资金6484.04万元,占项目总投资的17.42%。(二)建设投资构成本期项目建设投资29968.19万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用25876.96万元,工程建设其他费用3206.55万元,预备费884.68万元。六、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年
13、营业收入63200.00万元,综合总成本费用52500.51万元,纳税总额5438.58万元,净利润7796.42万元,财务内部收益率14.14%,财务净现值185.61万元,全部投资回收期6.80年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62000.00约93.00亩1.1总建筑面积95087.851.2基底面积34720.001.3投资强度万元/亩318.122总投资万元37222.682.1建设投资万元29968.192.1.1工程费用万元25876.962.1.2其他费用万元3206.552.1.3预备费万元884.682.2建设期利息万元770.4
14、52.3流动资金万元6484.043资金筹措万元37222.683.1自筹资金万元21499.053.2银行贷款万元15723.634营业收入万元63200.00正常运营年份5总成本费用万元52500.516利润总额万元10395.227净利润万元7796.428所得税万元2598.809增值税万元2535.5110税金及附加万元304.2711纳税总额万元5438.5812工业增加值万元19140.3413盈亏平衡点万元30229.71产值14回收期年6.8015内部收益率14.14%所得税后16财务净现值万元185.61所得税后七、 主要结论及建议本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场
15、需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。第二章 行业、市场分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更
16、成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭
17、的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 竞争
18、格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光
19、、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋
20、势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱
21、动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能
22、够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端
23、SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。第三章 项目背景及必要性一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半
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