云浮MOSFET功率器件项目实施方案【范文】.docx
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1、泓域咨询/云浮MOSFET功率器件项目实施方案云浮MOSFET功率器件项目实施方案xx投资管理公司目录第一章 行业发展分析9一、 功率半导体市场规模与竞争格局9二、 功率器件应用发展机遇9第二章 项目绪论15一、 项目名称及建设性质15二、 项目承办单位15三、 项目定位及建设理由17四、 报告编制说明18五、 项目建设选址19六、 项目生产规模20七、 建筑物建设规模20八、 环境影响20九、 项目总投资及资金构成20十、 资金筹措方案21十一、 项目预期经济效益规划目标21十二、 项目建设进度规划22主要经济指标一览表22第三章 公司基本情况25一、 公司基本信息25二、 公司简介25三、
2、 公司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨30七、 公司发展规划30第四章 项目投资背景分析37一、 中国半导体行业发展概况37二、 MOSFET器件概述37三、 坚持创新驱动发展战略,发展现代产业体系42第五章 建设内容与产品方案43一、 建设规模及主要建设内容43二、 产品规划方案及生产纲领43产品规划方案一览表43第六章 建筑工程方案45一、 项目工程设计总体要求45二、 建设方案47三、 建筑工程建设指标49建筑工程投资一览表49第七章 SWOT分析说明51一、 优势分析(S)51二、 劣势分
3、析(W)52三、 机会分析(O)53四、 威胁分析(T)54第八章 运营模式分析62一、 公司经营宗旨62二、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第九章 发展规划分析74一、 公司发展规划74二、 保障措施80第十章 环保分析83一、 编制依据83二、 环境影响合理性分析84三、 建设期大气环境影响分析86四、 建设期水环境影响分析90五、 建设期固体废弃物环境影响分析90六、 建设期声环境影响分析90七、 环境管理分析91八、 结论及建议92第十一章 工艺技术分析94一、 企业技术研发分析94二、 项目技术工艺分析97三、 质量管理98四、 设备选型方案
4、99主要设备购置一览表100第十二章 进度计划方案101一、 项目进度安排101项目实施进度计划一览表101二、 项目实施保障措施102第十三章 劳动安全评价103一、 编制依据103二、 防范措施104三、 预期效果评价107第十四章 项目投资分析108一、 投资估算的依据和说明108二、 建设投资估算109建设投资估算表113三、 建设期利息113建设期利息估算表113固定资产投资估算表115四、 流动资金115流动资金估算表116五、 项目总投资117总投资及构成一览表117六、 资金筹措与投资计划118项目投资计划与资金筹措一览表118第十五章 项目经济效益评价120一、 经济评价财务
5、测算120营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表121固定资产折旧费估算表122无形资产和其他资产摊销估算表123利润及利润分配表125二、 项目盈利能力分析125项目投资现金流量表127三、 偿债能力分析128借款还本付息计划表129第十六章 招标及投资方案131一、 项目招标依据131二、 项目招标范围131三、 招标要求131四、 招标组织方式132五、 招标信息发布133第十七章 项目总结134第十八章 附表附件135营业收入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表135固定资产折旧费估算表136无形资产和其他资产摊销估算表137利润及利润分配表138
6、项目投资现金流量表139借款还本付息计划表140建设投资估算表141建设投资估算表141建设期利息估算表142固定资产投资估算表143流动资金估算表144总投资及构成一览表145项目投资计划与资金筹措一览表146报告说明根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。根据谨慎财务估算,项目总投资26443.59万元,其中:建设投资20443.47万元,占项目总投资的77.31%;建设期利
7、息471.61万元,占项目总投资的1.78%;流动资金5528.51万元,占项目总投资的20.91%。项目正常运营每年营业收入60600.00万元,综合总成本费用52290.96万元,净利润6051.11万元,财务内部收益率15.48%,财务净现值5945.56万元,全部投资回收期6.66年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持,使其早日建成发挥效益。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板
8、用途。第一章 行业发展分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%
9、。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展,充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加,高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩(1)发展机遇2020年,充电桩被列入国家七大“新基建”领
10、域之一。2020年5月两会期间,政府工作报告中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆,与2019年年底相比增加36万辆,增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止2019年12月,全国充电基础设施累计数量为121.9万个,其中公共桩51.6万个,私人桩70.3万个,充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办,服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年,全国公共充电桩的数量由5.8万个
11、增长至51.6万个,复合年增长率达到了72.9%。近几年来,我国充电站同样有快速发展,充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座,复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高,电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面:驱动公共桩建设提质且区域均衡发展,直流桩占比将持续提升,省份间差异有望缩小。推动优质场站建设,完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。(2)超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类,以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和
12、直流桩,交流充电桩需要借助车载充电机,充电速度较慢,一辆纯电动汽车(普通电池容量)完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”,固定安装在电动汽车外,与交流电网连接,通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛,对应的充电功率分为3.5kW和7kW,其中,公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW,但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看,平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器(Power
13、FactorCorrection,“PFC”),其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据,公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大,从69.23kW提高到91.65kW,而到了2019年虽然维持上涨趋势,但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求,故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高,达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下,其采用的功率器件以高压MOSFET为
14、主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品,具体应用于充电桩的功率因数校正(PowerFactorCorrection,“PFC”)、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计,100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元,预计随着充电桩的不断建设,功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站(1)5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上,工业和信息化部发言人指出,中国已累计建成5G基站71.8万个,推动共建
15、共享5G基站33万个。2020年12月28日,工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示,2021年将有序推进5G网络建设及应用,加快主要城市5G覆盖,推进共建共享,新建5G基站60万个以上。(2)5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求,包括:1)5G基站功率更高、建设更为密集,带来更大的电源供应需求;2)射频端功率半导体用量提升;3)雾计算为功率半导体带来增量市场;以及4)云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出,指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统,可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线,
16、可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下,提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上,传统网络天线的通道数为2/4/8个,而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上,传统MIMO为2D覆盖,信号只能在水平方向移动,不能在垂直方向移动,类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束,可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段,即毫米波频段(mmWave)。因接收功率与波长的平方成正比,毫米波的信号衰减严重,而发射功率又受到限制,所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量,使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计,传统MIMO天线
17、需要的功率半导体价值大约为25美元,而过渡为MassvieMIMO天线阵列后,所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元,达到原来的4倍。与云计算相比,雾计算所采用的架构呈分布式,更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中,数据的存储及处理更依赖本地设备,本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第二章 项目绪论一、 项目名称及建设性质(一)项目名称云浮MOSFET功率器件项目(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xx投资管理公司(二)项目联系人陆xx(三)项目建设单位概况公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一
18、步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的
19、内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障,坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念,确立了合规管理的战略定位,进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项
20、的合规论证审查,加强合规风险防控,确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求,重点领域合规管理不断强化,各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立,广大员工合规意识普遍增强,合规文化氛围更加浓厚。三、 项目定位及建设理由超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结
21、MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。“十四五”时期是我国全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后,乘势而上开启全面建设社会主义现代化国家新征程、向第二个百年奋斗目标进军的第一个五年。面对
22、新形势、新要求、新任务,我们要增强坐不住、等不起、慢不得的紧迫感和危机感,保持战略定力,奋发有为,努力实现更高质量、更有效率、更加公平、更可持续、更为安全的发展。展望二三五年,云浮将与全国全省同步基本实现社会主义现代化。经济高质量发展迈上新的台阶,经济实力、科技实力、综合竞争力明显增强,经济总量和城乡居民人均收入大幅增长,基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化。四、 报告编制说明(一)报告编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等
23、;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)报告编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件,以集约化、产业化、科技化为手段,组织生产建设,提高企业经济效益和社会效益,实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。(二) 报告主要内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究
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