MOSFET功率器件项目立项报告_模板参考.docx
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1、泓域咨询/MOSFET功率器件项目立项报告目录第一章 项目投资背景分析6一、 功率半导体市场规模与竞争格局6二、 MOSFET器件概述6三、 积极融入新发展格局11四、 全力推进“城市功能”突破,打造四省交界区域崭新城市13第二章 项目概述17一、 项目名称及投资人17二、 编制原则17三、 编制依据18四、 编制范围及内容18五、 项目建设背景18六、 结论分析21主要经济指标一览表23第三章 产品方案25一、 建设规模及主要建设内容25二、 产品规划方案及生产纲领25产品规划方案一览表25第四章 项目选址分析28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况28三、 全力推进“重点产业”突破,
2、加快构建现代产业体系31四、 实施创新驱动发展战略,以科技创新催生发展新动能33五、 项目选址综合评价35第五章 发展规划分析36一、 公司发展规划36二、 保障措施40第六章 运营管理模式43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第七章 建设进度分析54一、 项目进度安排54项目实施进度计划一览表54二、 项目实施保障措施55第八章 劳动安全生产分析56一、 编制依据56二、 防范措施57三、 预期效果评价61第九章 节能方案63一、 项目节能概述63二、 能源消费种类和数量分析64能耗分析一览表64三、 项目节能措施65四、 节
3、能综合评价67第十章 环境保护方案68一、 编制依据68二、 建设期大气环境影响分析68三、 建设期水环境影响分析72四、 建设期固体废弃物环境影响分析73五、 建设期声环境影响分析73六、 环境管理分析74七、 结论77八、 建议77第十一章 投资估算及资金筹措79一、 投资估算的编制说明79二、 建设投资估算79建设投资估算表81三、 建设期利息81建设期利息估算表82四、 流动资金83流动资金估算表83五、 项目总投资84总投资及构成一览表84六、 资金筹措与投资计划85项目投资计划与资金筹措一览表86第十二章 经济效益88一、 基本假设及基础参数选取88二、 经济评价财务测算88营业收
4、入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表90利润及利润分配表92三、 项目盈利能力分析93项目投资现金流量表94四、 财务生存能力分析96五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97六、 经济评价结论98第十三章 项目风险防范分析99一、 项目风险分析99二、 项目风险对策101第十四章 项目招标方案103一、 项目招标依据103二、 项目招标范围103三、 招标要求104四、 招标组织方式106五、 招标信息发布108第十五章 总结说明109第十六章 补充表格110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资
5、及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125第一章 项目投资背景分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,
6、全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿
7、美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名
8、第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSF
9、ET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费
10、、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流
11、同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化
12、、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT
13、被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年
14、为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是
15、电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 积极融入新发展格局融入新发展格局是我市适应新发展阶段要求、塑造竞争新优势的必由之路。坚持把扩大内需作为战略基点,全面扩大高水平开放,在融入新发展格局中育新机、开新局。深挖潜释放内需潜力。加快培育新一代消费热点,鼓励发展新零售、宅经济等新业态新模式,适当增加公共消费。推动线上线下消费融合发展,规划建设一批步行街,规范发展夜经济,开拓城乡消费市场。推行错峰休假和弹性作息制度,落实带薪休假制度。优化投资结构,充分发挥地方政府专项债券的稳投资作用,推动有效投资较快增长。加快补齐基础设施、公共卫生
16、、物资储备等领域短板,支持民营企业等各类市场主体参与建设“两新一重”项目。深化“要素跟着项目走”机制,强化资金、土地、能耗等要素统筹和精准对接。发挥政府投资撬动作用,激发民间投资活力,形成市场主导的投资内生增长机制。宽领域扩大对外开放。积极培育新型贸易业态,提升出口质量,增加优质产品进口。完善外贸运营机制,推动国际产能合作、境外市场开发、“海外仓”建设。优化外商投资环境,扩大利用外资规模,提高制造业利用外资质量。积极申建综合保税区,提升济铁菏泽物流园海关监管场站、菏泽保税物流中心和东明石化原油保税仓库运营水平,打造加工贸易梯度转移重点承接地,形成多层次、宽领域开放格局。高水平办好世界牡丹大会、
17、中国林交会等重要展会,提高客商和群众参与度、体验度,提升城市美誉度和影响力。大力发展跨境电商、外贸供应链管理等新模式,创建国家级跨境电子商务综合试验区。积极融入“一带一路”建设,主动对接重大区域发展战略,全面融入中原经济区、淮海经济区、鲁南经济圈,打造全省向西融合发展和中西部地区向东开放的桥头堡。大力度推进交通基础设施建设。建成国家综合性立体交通枢纽城市,形成“1小时济郑、2小时进京、3小时抵沪、4小时到达全国主要城市、12小时通达世界主要城市”的便捷交通圈,从根本上提升交通通达能力。加快高速铁路建设,建成鲁南高铁曲菏段、菏兰段和雄商高铁菏泽段,规划建设沪太高铁菏泽段、青延高铁菏泽段,构建米字
18、型高铁枢纽,形成“一主七副”高铁站布局。开工建设菏泽至徐州、郓城至巨野至成武地方铁路,规划建设一批铁路专线,铁路通车里程、路网密度和保障水平进入全省前列。建成牡丹机场二期工程,开通国内主要城市航班,积极开通国际航线,开工建设曹县、单县、郓城县、市高新区通用机场。加快推进高速公路建设,建成阳新高速菏泽段、德单高速郓城段、郓鄄高速、沿黄高等级公路,完成日兰高速和济广高速改扩建工程,规划建设单曹高速、济单高速、枣菏高速西延,构建“四纵四横四连”高速网,路网密度高于全省平均水平。统筹推进港口、航道建设,规划建设洙水河、新万福河二期、郓城新河等内河航道,建设巨野、郓城、成武等六个港区,建成通江达海的内河
19、航运体系。提升输油管线运输能力,加大天然气管网和调峰储气设施建设力度,构建安全高效绿色油气运输体系。高质量布局高效泛在的信息网络。加快建设一批“新基建”项目,推动企业基础设施、平台系统和工业设备联网上云,推动传统基础设施数字化升级。加强关键数字技术应用,加快大数据产业发展,提升产业数字化水平。提高数字化政务效能,推动公共服务便捷化,构建信息服务体系,打造覆盖鲁苏豫皖四省交界地区的大数据中心城市。四、 全力推进“城市功能”突破,打造四省交界区域崭新城市城市功能决定城市的未来。加快推进城市空间拓展优化、功能提档升级、生态修复保护,不断提升城市建设管理质量和水平,加快建设“本地人留恋、外地人向往”的
20、鲁苏豫皖四省交界区域性中心城市。提升中心城区带动能力。充分放大牡丹机场、高速铁路和高速公路等重大交通设施带动效应,强化主城区、定陶区一体化发展,打造沿京九铁路、巨野至东明两条发展主轴,推动工业企业退城入园,科学构建市域空间格局。积极发展城市轻轨、快速通道等大容量交通设施,提高城区路网密度,提升通行效率。强化历史文化保护、城市风貌塑造,基本消除城区棚户区,加强城镇老旧小区改造和社区建设,推动海绵城市、韧性城市建设。转变经营城市理念,优化用地结构,盘活存量建设用地,推动土地利用方式由增量规模扩张向存量效益提升转变,提高土地综合利用效率。持续提升城市精细化管理水平,促进新一代信息技术与城市发展深度融
21、合。积极争创国家节水型城市、全国绿化模范城市等荣誉称号,努力保持全国双拥模范城、国家园林城市等荣誉称号,全力创建全国文明城市。加大县城建设力度。总结推广郓城县国家级新型城镇化建设示范县经验,加快推进单县、鄄城县省级新型城镇化综合试点建设,建成一批型小城市。扩大县域经济社会管理权限,优化县城规划设计,把县城打造成集聚产业、吸纳就业、推动公共服务向农村延伸的重要平台。加大行政区划调整力度,加快推动成熟的县设区、县改市。加快重点镇建设。健全重点镇工作机制,全面落实支持政策,深入推进“扩权强镇”,全力推动重点镇高质量发展。科学编制重点镇国土空间规划,持续拓展发展空间,提高承载能力。加快培育特色产业,做
22、大做强财源支撑,努力打造一批特色鲜明、产城融合、环境优美、宜居宜业的现代化经济强镇和县域副中心,形成全市经济新一轮发展的强劲增长极。高标准建设省级新区。对标国内一流新区,选取地理区位中心位置,充分发挥交通枢纽、政策叠加、产业完备、要素集聚等独特优势,高标准建设菏泽新区。积极融入新发展格局,主动对接长江经济带、京津冀协同发展和中原经济区,串联山东半岛城市群和中原城市群,推动产能有效合作,发展贸易新业态,建设高能级开放平台,打造国内大循环新节点、内陆开放新高地。坚持创新驱动、高端引领、融合发展,加快农业转移人口市民化、城镇化进程,培育壮大现代高效农业,大力发展战略性新兴产业,创建新型城镇化、新型工
23、业化融合发展试验区。布局建设一批重点实验室、产业创新中心、工程研究中心,搭建战略性新兴产业合作平台。力争通过五年努力,将菏泽新区建设成为菏泽全域发展的主引擎,塑造传统农业区突破发展、后来居上的崭新城市,实现由地理区位中心到发展动力中心的蝶变。第二章 项目概述一、 项目名称及投资人(一)项目名称MOSFET功率器件项目(二)项目投资人xxx(集团)有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx(以最终选址方案为准)。二、 编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规,认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定;2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线,提高项目的竞争力和市场适应性;3、设备
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