南京功率器件项目实施方案_模板范本.docx

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1、泓域咨询/南京功率器件项目实施方案报告说明2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。根据谨慎财务估算，项目总投资24757.59万元，其中：建设投资19010.49万元，占项目总投资的76.79%；建设期利息198.47万元，占项目总投资的0.80%；流动资金5548.63万元，占项目总投资的22.41%。项目正常运营每年营业收入55100.00万元，综合总成本费用43502.42万元，净利润8498.01万元，财务内

2、部收益率26.27%，财务净现值16123.20万元，全部投资回收期5.15年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目概况8一、 项目名称及投资人8二、 编制原则8三、 编制依据9四、 编制范围及内容9

3、五、 项目建设背景10六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 项目背景分析14一、 MOSFET器件概述14二、 全球半导体行业发展概况18三、 发挥“双区”联动优势推动国家级新区再跨越19四、 坚持创新驱动发展提升创新名城建设的全球影响力22五、 项目实施的必要性26第三章 市场分析27一、 中国半导体行业发展概况27二、 功率半导体市场规模与竞争格局27三、 功率器件应用发展机遇28第四章 项目选址可行性分析34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 项目选址综合评价41第五章 建筑工程方案分析42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标4

4、3建筑工程投资一览表44第六章 产品规划与建设内容46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表46第七章 发展规划48一、 公司发展规划48二、 保障措施49第八章 运营管理模式52一、 公司经营宗旨52二、 公司的目标、主要职责52三、 各部门职责及权限53四、 财务会计制度56第九章 SWOT分析60一、 优势分析（S）60二、 劣势分析（W）61三、 机会分析（O）62四、 威胁分析（T）62第十章 法人治理66一、 股东权利及义务66二、 董事69三、 高级管理人员73四、 监事76第十一章 劳动安全分析79一、 编制依据79二、 防范措施80

5、三、 预期效果评价86第十二章 项目环保分析87一、 编制依据87二、 建设期大气环境影响分析88三、 建设期水环境影响分析92四、 建设期固体废弃物环境影响分析93五、 建设期声环境影响分析93六、 环境管理分析94七、 结论97八、 建议98第十三章 进度规划方案99一、 项目进度安排99项目实施进度计划一览表99二、 项目实施保障措施100第十四章 节能说明101一、 项目节能概述101二、 能源消费种类和数量分析102能耗分析一览表103三、 项目节能措施103四、 节能综合评价104第十五章 投资计划105一、 投资估算的编制说明105二、 建设投资估算105建设投资估算表107三、

6、 建设期利息107建设期利息估算表108四、 流动资金109流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表112第十六章 经济效益及财务分析114一、 经济评价财务测算114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表119二、 项目盈利能力分析119项目投资现金流量表121三、 偿债能力分析122借款还本付息计划表123第十七章 风险评估分析125一、 项目风险分析125二、 项目风险对策127第十八章 项目综合评价1

7、29第十九章 附表130主要经济指标一览表130建设投资估算表131建设期利息估算表132固定资产投资估算表133流动资金估算表134总投资及构成一览表135项目投资计划与资金筹措一览表136营业收入、税金及附加和增值税估算表137综合总成本费用估算表137利润及利润分配表138项目投资现金流量表139借款还本付息计划表141第一章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称南京功率器件项目（二）项目投资人xx投资管理公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（待定）。二、 编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必

8、须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。三、 编制依据1、中国制造2025；2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划；3、工业绿色发展规划(2016-2020年)；4、促进中小企业发展规划（201

9、62020年）；5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策；7、项目建设单位提供的相关技术参数；8、相关产业调研、市场分析等公开信息。四、 编制范围及内容1、确定生产规模、产品方案；2、调研产品市场；3、确定工程技术方案；4、估算项目总投资，提出资金筹措方式及来源；5、测算项目投资效益，分析项目的抗风险能力。五、 项目建设背景近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善

10、。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约67.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx件功率器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资24757.59万元，其中：建设投资19010.49万元，占项目总投资的76.79%；建设期利息198.47万元，占项目总投资的0.80%；流动资金5548.63万元，占项目总投资的22.41%。（五）资金筹措项目总投资24757.59万元，根据资金筹措方案，xx投资管理公司计划自筹资金（资本金

11、）16656.89万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8100.70万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：55100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：43502.42万元。3、项目达产年净利润（NP）：8498.01万元。4、财务内部收益率（FIRR）：26.27%。5、全部投资回收期（Pt）：5.15年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：17681.79万元（产值）。（七）社会效益该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本项目实施后，可满足国内市场需

12、求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积44667.00约67.00亩1.1总建筑面积71663.781.2基底面积24566.851.3投资强度万元/亩273.222总投资万元24757.592.1建设投资万元19010.492.1.1工程费用万元16352.152.1.2其他费用万元2184.332.1.3预备费万元474.012.2建设期利息万元198.472.3流动资金万元5548.633

13、资金筹措万元24757.593.1自筹资金万元16656.893.2银行贷款万元8100.704营业收入万元55100.00正常运营年份5总成本费用万元43502.426利润总额万元11330.687净利润万元8498.018所得税万元2832.679增值税万元2224.1710税金及附加万元266.9011纳税总额万元5323.7412工业增加值万元17782.7313盈亏平衡点万元17681.79产值14回收期年5.1515内部收益率26.27%所得税后16财务净现值万元16123.20所得税后第二章 项目背景分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导

14、体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华

15、润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用

16、市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压

17、的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺

18、杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与20

19、25年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军

20、工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“

21、CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 全球半导体行业发展概况

22、半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。三、 发挥“双区”联动优势推动国家级新区再跨越发挥国家级新区、自由贸易试验区“双区”联动优势，加快“三区一平台

23、”建设，积极培育新动能、激发新活力、塑造新优势，高质量建设产城融合的现代化新主城。（一）打造自主创新策源地建设创新名城重要承载区。加强科技创新前瞻谋划和资源共享，争取建设一批国家和省重大科技创新平台。建设新区主导产业协同服务创新平台和工程数据中心，大力发展研创型产业，提升剑桥大学南京科技创新中心等新型研发机构能级，发展集成电路设计服务产业创新中心、国家健康医疗大数据（东部）中心、中欧创新中心等创新中心。鼓励高校、科研院所优先在新区设立分支机构、科研中心或研发机构等，加快实施南大江北国际科教创新区、“中国气象谷”和南工大科技园等校地合作项目。深度链接国际创新网络。积极对接全球创新资源，鼓励企业和

24、科研机构参与国际创新，深化与顶尖科研机构和重大创新功能型平台合作。探索有利于人才、资本、信息、技术等创新要素跨境流动和区域融通的政策举措，探索放宽海外留学人员引进直接落户审批机制，推进中国北欧创新合作示范园等国别化创新园区建设，加快建设长三角离岸数据中心。支持新区企业到海外设立研发机构和创新孵化基地，设立一批海外“飞地”创新中心。（二）推进“两城一中心”建设建设芯片之城。抢抓“数字时代”新机遇，以产业技术研创园、南京智能制造产业园、浦口经开区为主要载体，发展具有国际影响力的千亿级集成电路产业集群。构建具有根植性的集成电路产业生态网络，促进人工智能、5G、IPv6、智能网联汽车、智能制造系统等新

25、兴产业发展，推进信息技术应用创新产业新高地建设。建设基因之城。以南京生物医药谷、国际健康城、新材料科技园为主要载体，发展新药研发及生产、高端医疗器械、健康服务、第三方检测等产业，前瞻布局基因技术、细胞治疗、脑科学等前沿领域，建设前沿医疗服务中心、综合健康服务中心和精准医疗创新和服务高地。支持国际健康城建设医疗特区，在进口医疗器械、诊断试剂和药品定点试用、简化审批方面先行先试。建设新金融中心。以扬子江国际基金街区为核心，聚焦科技金融、自贸金融、数字金融、绿色金融、民生金融，加快发展区块链金融、数字货币等金融科技应用，创新知识产权证券化等金融新模式新机制，提升金融服务实体经济能力，支持创建国家绿色

26、金融改革创新试验区。1（三）建设美丽古都新主城提升现代城市品质。强化与浦口、六合联动发展，完善一体化发展体制机制和政策体系，实现深度融合发展。优化江北核心区、大厂片区和三桥片区“带状组团”空间结构，构建高效紧凑、功能复合、山水相融的城市功能布局。完善核心区市政路网配套，优化交通组织，建设“小街区、密路网”先行区。加快中央商务区地下空间综合开发利用和综合管廊示范区建设。推进“城市智能体”建设，加快5G、物联网、人工智能等新型基础设施建设，全面提升城市精细化管理水平。彰显美丽城市特质。推进滨江风光带建设，高品质打造定山、绿水湾城市客厅，加快扬子江数字金融港等建设，塑造美丽滨江天际线。发挥老山生态功

27、能，依托“青龙绿带”贯通城市绿廊，构筑山水相依、山城相融的生态格局。深化历史文化空间整体性保护和当代创新利用，加强六合文庙、定山寺等遗址的保护和修复，加快浦口老火车站历史风貌街区保护利用，推动大厂老工业基地改造升级。强化幸福城市本质。健全便捷畅达的综合交通体系，加快过江通道、城市轨道交通、城市路网建设。完善文化休闲娱乐等配套设施建设。高水平推进长三角区域医疗中心建设，完成鼓楼医院江北国际医院二期、中大医院新院区建设及省肿瘤医院迁建，提升医疗服务国际化水平，构建全生命周期健康服务体系。推进学前教育、基础教育等均衡化供给，深化国际化特色办学，逐步建成服务创新型产业发展的人才供给体系。（四）构建对外

28、开放强支点全面加强开放平台和开放能力建设，充分发挥自贸区南京片区牵引集成作用，加快建立与国际通行规则相衔接的开放制度体系，推进商品和要素开放向规则和制度开放转变。推动西坝港向多功能、综合型现代物流贸易服务聚集区转型升级，完善口岸开放体系，大力发展临港产业。推进中国（南京）跨境电子商务综合试验区建设，培育跨境电商产业园。加快推进法治园区建设，积极构建自贸区国际化商事法治体系，引进律所、仲裁、公证等境内外高质量法律服务机构，设立国际商事法律服务中心。创建高水平国际社区，加快接轨国际人才评价机制，推动重点领域国际标准和国际职业资格互认，提高国际人才综合服务水平。四、 坚持创新驱动发展提升创新名城建设

29、的全球影响力（一）建设综合性国家科学中心和科技产业创新中心坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，持续推进创新驱动发展“121”战略，实施基础研究领航支撑、重大创新平台突破和关键核心技术攻坚“三大计划”，深入推进苏南国家自主创新示范区建设，成为国家科技自立自强不可或缺的重要力量，在全球创新网络中发挥重要节点作用。1、实施基础研究领航支撑计划面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，加快原始性引领性科技攻关，促进基础研究与应用研究融通发展，提升创新名城建设的源头创新供给能力。组织实施市级重大科技专项，支持开展重大科技基础和应用基础研究、前沿技术和战略性先导技术研究，加快

30、实现重大原创成果突破。持续建设一批新型研究大学和高水平学科，鼓励在宁高校、科研院所和各类企业联合开展基础研究和应用基础研究，支持麒麟科技城联合中科院建设基础研究创新基地。建立企业、金融机构、社会资本等多渠道投入机制，逐年提高政府对基础研究和应用基础研究的投入比重。2、实施重大创新平台突破计划建设标志性重大科技创新基地。推动网络通信与安全紫金山实验室建成国家实验室，围绕未来网络、普适通信、内生安全等领域，开展具有重大引领作用的跨学科、大协同科学研究。推动扬子江生态文明创新中心建成国家技术创新中心，聚焦科学问题、工程技术和生态产业化等领域，形成长江污染防治和生态保护修复技术的重要输出地。3、实施关

31、键核心技术攻坚计划聚焦重点产业集群、产业链安全和民生保障，加快构建市场经济条件下关键核心技术攻关的新型机制。实施自主创新登峰行动，每年制定八大产业链关键技术攻关清单，增强前瞻技术储备，加快形成一批重大原始创新成果。确立企业在关键核心技术攻关中的主体地位，支持有条件的龙头企业联合高校、科研院所、新型研发机构和行业上下游力量，组建体系化、任务型的创新联盟。建立健全部省市联合、军地协同等创新机制，综合运用“揭榜挂帅”、定向委托、招标等科技项目组织管理方式，提高技术创新的精准化程度和组织化水平。到2025年，产业链关键核心技术产品自主化率达到90%以上。（二）培育充满活力的科创森林实施科创森林成长计划

32、，加强创新主体多元化培育，促进各类创新要素向企业集聚，建立全周期全要素支持体系，推动创新链和产业链有效对接。1、提升新型研发机构发展质效实施新型研发机构提质增效行动，强化新型研发机构“专业+研发+孵化”功能叠加，加速向技术源头和产业应用“双向拓展”。支持新型研发机构建设公共技术服务平台、工程化研究（试验）平台和概念验证中心，加大新型研发机构孵化企业投资力度，增强孵化培育企业能力。引导领域相近的新型研发机构兼并重组，构建高效运作机制，推动建立现代企业制度，完善以研发投入、技术服务、高企孵化等为主要依据的新型研发机构绩效考核机制。支持高校、科研院所、社会资本参与新型研发机构建设，鼓励人才（团队）持

33、有多数股份设立新型研发机构，鼓励对外股权融资，探索特殊股权结构。到2025年，培育40家有国际影响力的新型研发机构，累计引进孵化科技企业达到2万家。2、梯次培育科创企业矩阵促进各类创新要素向企业集聚，形成以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系。支持高新技术企业、创新型领军企业和科技型中小企业与各类创新主体融通创新。3、激发“高、海、苏、军”双创主体活力全面提升在宁高校、科研院所创新创业能力。发挥大院大所优势和高端人才牵引作用，推动科教资源优势转化为服务地方经济社会发展的优势。建立在宁高校、科研院所科技成果转化基金和高校企业协同创新中心，鼓励校校、校所、校企间加强合作，支持高校、

34、科研院所围绕优势细分领域建立特色化众创空间。深入实施“百校对接”计划，探索“校友经济”实施路径方式，推动相关产业化项目和人才回宁发展。（三）提升创新载体发展能级以强化创新活力和成效为目标，构筑多层次立体化创新空间，推动创新载体向市场化、专业化、精细化方向发展，形成创新的规模效应和集聚效应。（四）厚植人才发展优势充分发挥人才第一资源作用，建设支撑创新名城高质量发展的优秀人才队伍，构筑与高质量发展相适应的人才治理体系，推动人才总量实现翻番。（五）完善创新生态系统建设深化科技体制综合改革试点，不断优化创新的制度性供给，全面提升创新创业服务能力，形成具有区域辐射带动力的创新创业环境。五、 项目实施的必

35、要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 市场分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的

36、复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根

37、据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同

38、时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩

39、，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我

40、国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动

41、汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器

42、件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、

43、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆

44、在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和

45、信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMI

46、MO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第四章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则项目选址应符合城市发展总体规划和对市政公共服务设施的布局要求；依托选址的地理条件，交通状况，进行建址分析；避免不良地质地段(如溶洞、断层、软土、湿陷土等)；公用工程如城市电力、供排水管网等市政设施配套完善；场址要求交通方便，环境安静，地形比较平整，能够充分利.用城市基础设施，远离污染源和易燃易爆的生产、储存场所，便于生活和服务设施合理布局；场址上空无高压输电线路等障碍物通过，与其他公共建筑不造成相互干扰。二、 建设区基本情况南京，简称宁，江苏省省会，位于江苏省西南部、长江下游，南起北纬3114，北抵北纬3237，西起东经11822，东迄东经11914，东西最大横距约70千米，南北最大纵距约150千米，市域平面呈南北长东西窄展开，面积6587.02平方千米。南京是中国东部地区重要