关于成立MOSFET功率器件公司策划方案【模板范文】.docx
《关于成立MOSFET功率器件公司策划方案【模板范文】.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《关于成立MOSFET功率器件公司策划方案【模板范文】.docx(117页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/关于成立MOSFET功率器件公司策划方案关于成立MOSFET功率器件公司策划方案xxx集团有限公司报告说明xxx集团有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中:xx(集团)有限公司出资594.00万元,占xxx集团有限公司45%股份;xx集团有限公司出资726万元,占xxx集团有限公司55%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资15181.34万元,其中:建设投资11569.12万元,占项目总投资的76.21%;建设期利息275.09万元,占项目总投资的1.81%;流动资金3337.13万元,占项目总投资的21.98%。项目正常运营每年营业收入30700.00
2、万元,综合总成本费用26270.56万元,净利润3229.52万元,财务内部收益率13.94%,财务净现值507.15万元,全部投资回收期6.89年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子
3、领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 行业、市场分析15一、 MOSFET器件概述15二、 中国半导体行业
4、发展概况19三、 全球半导体行业发展概况20第三章 公司筹建方案21一、 公司经营宗旨21二、 公司的目标、主要职责21三、 公司组建方式22四、 公司管理体制22五、 部门职责及权限23六、 核心人员介绍27七、 财务会计制度28第四章 项目建设背景、必要性34一、 功率MOSFET的行业发展趋势34二、 功率半导体市场规模与竞争格局35三、 坚持创新驱动发展36四、 健全规划制定和落实机制37第五章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施42第六章 法人治理结构45一、 股东权利及义务45二、 董事49三、 高级管理人员54四、 监事56第七章 环保分析59一、 环境保护综述59
5、二、 建设期大气环境影响分析59三、 建设期水环境影响分析60四、 建设期固体废弃物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析61六、 环境影响综合评价62第八章 项目风险评估63一、 项目风险分析63二、 项目风险对策65第九章 选址可行性分析68一、 项目选址原则68二、 建设区基本情况68三、 突出重点经济区建设,在新发展格局中展现新作为72四、 项目选址综合评价76第十章 经济效益分析77一、 基本假设及基础参数选取77二、 经济评价财务测算77营业收入、税金及附加和增值税估算表77综合总成本费用估算表79利润及利润分配表81三、 项目盈利能力分析81项目投资现金流量表83四、 财务生
6、存能力分析84五、 偿债能力分析85借款还本付息计划表86六、 经济评价结论86第十一章 项目实施进度计划88一、 项目进度安排88项目实施进度计划一览表88二、 项目实施保障措施89第十二章 投资方案分析90一、 投资估算的依据和说明90二、 建设投资估算91建设投资估算表93三、 建设期利息93建设期利息估算表93四、 流动资金95流动资金估算表95五、 总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表98第十三章 总结99第十四章 附表附件101主要经济指标一览表101建设投资估算表102建设期利息估算表103固定资产投资估算表104流动资金估算表
7、105总投资及构成一览表106项目投资计划与资金筹措一览表107营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表111项目投资现金流量表112借款还本付息计划表113建筑工程投资一览表114项目实施进度计划一览表115主要设备购置一览表116能耗分析一览表116第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx集团有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1320万元三、 注册地址xxx四、 主要经营范围经营范围:从事MOSFET功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目
8、,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx集团有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx集团有限公司发起成立。(一)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通
9、过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额6211.034968.824658.27负债总额2187.641750.111640.73股东权益合计4023.393218.713017.54公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度20
10、18年度营业收入21480.6517184.5216110.49营业利润4702.843762.273527.13利润总额4174.943339.953131.20净利润3131.202442.342254.46归属于母公司所有者的净利润3131.202442.342254.46(二)xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决
11、方案,满足高端市场高品质的需求。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额6211.034968.824658.27负债总额2187.641750.111640.73股东权益合计4023.393218.713017.54公司合并利润表
12、主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入21480.6517184.5216110.49营业利润4702.843762.273527.13利润总额4174.943339.953131.20净利润3131.202442.342254.46归属于母公司所有者的净利润3131.202442.342254.46六、 项目概况(一)投资路径xxx集团有限公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面:驱动公共桩建设提质且区域均衡发展,直流桩占比将持续提升,省份间差异有望缩小。推动优质场站建设,完善配套设施
13、申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。(三)项目选址项目选址位于xx,占地面积约33.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积38103.21,其中:生产工程28780.18,仓储工程3603.60,行政办公及生活服务设施3552.98,公共工程2166.45。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资15181.34万元,其中:建设投资11569.12万元,占项目总投资的76.
14、21%;建设期利息275.09万元,占项目总投资的1.81%;流动资金3337.13万元,占项目总投资的21.98%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):30700.00万元。2、综合总成本费用(TC):26270.56万元。3、净利润(NP):3229.52万元。4、全部投资回收期(Pt):6.89年。5、财务内部收益率:13.94%。6、财务净现值:507.15万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。
15、第二章 行业、市场分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%
16、,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动
17、助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用
18、,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂
19、移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,
20、高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关
21、电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增
22、长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,
23、随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模板范文 关于 成立 MOSFET 功率 器件 公司 策划 方案 模板 范文
限制150内