大连MOSFET功率器件项目招商引资方案_范文.docx

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1、泓域咨询/大连MOSFET功率器件项目招商引资方案大连MOSFET功率器件项目招商引资方案xxx有限公司报告说明2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。根据谨慎财务估算，项目总投资9418.20万元，其中：建设投资7497.62万元，占项目总投资的79.61%；建设期利息199.53万元，占项

2、目总投资的2.12%；流动资金1721.05万元，占项目总投资的18.27%。项目正常运营每年营业收入16800.00万元，综合总成本费用13814.94万元，净利润2179.25万元，财务内部收益率16.51%，财务净现值847.69万元，全部投资回收期6.48年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而

3、进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 绪论9一、 项目概述9二、 项目提出的理由10三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划13七、 环境影响13八、 报告编制依据和原则14九、 研究范围15十、 研究结论16十一、 主要经济指标一览表16主要经济指标一览表16第二章 项目背景、必要性19一、 功率器件应用发展机遇19二、 全球半导体行业发展概况23三、 中国半导体行业发展概况24四、 深度融入“一带一路”25五、 加快建设东北亚科技创新创业创投中心25第三章 市

4、场预测29一、 功率半导体市场规模与竞争格局29二、 功率半导体行业概述29三、 MOSFET器件概述31第四章 项目选址36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 服务构建国内国际双循环，全方位融入新发展格局37四、 项目选址综合评价39第五章 建筑技术分析40一、 项目工程设计总体要求40二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标44建筑工程投资一览表44第六章 法人治理结构46一、 股东权利及义务46二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事57第七章 运营模式59一、 公司经营宗旨59二、 公司的目标、主要职责59三、 各部门职责及权限60四、 财务会计制度63第八章 发

5、展规划70一、 公司发展规划70二、 保障措施71第九章 节能说明74一、 项目节能概述74二、 能源消费种类和数量分析75能耗分析一览表76三、 项目节能措施76四、 节能综合评价78第十章 项目实施进度计划79一、 项目进度安排79项目实施进度计划一览表79二、 项目实施保障措施80第十一章 环境保护分析81一、 编制依据81二、 环境影响合理性分析82三、 建设期大气环境影响分析83四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析84六、 建设期声环境影响分析85七、 建设期生态环境影响分析87八、 清洁生产87九、 环境管理分析88十、 环境影响结论91十一、 环境影响

6、建议91第十二章 工艺技术方案92一、 企业技术研发分析92二、 项目技术工艺分析95三、 质量管理96四、 设备选型方案97主要设备购置一览表98第十三章 投资计划99一、 投资估算的依据和说明99二、 建设投资估算100建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104固定资产投资估算表106四、 流动资金106流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表109第十四章 经济效益评价111一、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估

7、算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表116二、 项目盈利能力分析116项目投资现金流量表118三、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120第十五章 项目招投标方案122一、 项目招标依据122二、 项目招标范围122三、 招标要求123四、 招标组织方式125五、 招标信息发布127第十六章 项目综合评价说明128第十七章 附表130建设投资估算表130建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134营业收入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表136固定资产折旧费估算表137

8、无形资产和其他资产摊销估算表138利润及利润分配表138项目投资现金流量表139第一章 绪论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：大连MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xxx有限公司3、项目性质：新建4、项目建设地点：xxx（以选址意见书为准）5、项目联系人：宋xx（二）主办单位基本情况公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构

9、建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（以选址意见书

10、为准），占地面积约27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MO

11、SFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。当前和今后一个时期，我国发展仍然处于重要战略机遇期，大连振兴发展面临重大机遇，也面临各种矛盾叠加、风险隐患增多的严峻挑战。从国际看，世界百年未有之大变局加速演

12、变，新一代科技革命和产业变革深入发展，和平与发展仍然是时代主题，同时国际环境日趋复杂，经济全球化遭遇逆流,新冠疫情影响广泛深远，发展的不稳定性不确定性明显增加。从国内看，我国已转向高质量发展阶段，制度优势显著，治理效能提升，经济长期向好，物质基础雄厚，人力资源丰富，市场空间广阔，发展韧性强大，社会大局稳定，继续发展具有多方面优势和条件，同时发展不平衡不充分问题仍然突出，实现高质量发展还有短板弱项。从大连看，产业、科教、人才、生态、基础设施等方面具有较强支撑能力，内生发展动能持续增强，具备迈向高质量发展的有利条件。我市编制了大连2049城市愿景规划，明确了城市发展目标愿景，凝聚了发展共识，形成了

13、人心思齐、人心思进、人心思上的良好局面。同时，我市经济社会发展也存在一些矛盾和问题，关键领域改革不够深入，新动能培育不足，产业结构调整还不到位，要素成本偏高，资源环境约束趋紧，民营经济发展不充分，人口老龄化程度较重，民生领域还存在短板，防范化解债务风险任重道远，党员干部思想作风和能力水平有待提升。全市上下要胸怀“两个大局”，深刻认识我国社会主要矛盾变化带来的新特征新要求，深刻认识错综复杂的国际环境带来的新矛盾新挑战，深刻认识构建新发展格局带来的新机遇新任务，保持战略定力，遵循发展规律，准确识变、科学应变、主动求变，在危机中育先机、于变局中开新局，不断开创新时代“两先区”建设新局面。三、 项目总

14、投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资9418.20万元，其中：建设投资7497.62万元，占项目总投资的79.61%；建设期利息199.53万元，占项目总投资的2.12%；流动资金1721.05万元，占项目总投资的18.27%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资9418.20万元，根据资金筹措方案，xxx有限公司计划自筹资金（资本金）5346.12万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额4072.08万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：16800.00

15、万元。2、年综合总成本费用（TC）：13814.94万元。3、项目达产年净利润（NP）：2179.25万元。4、财务内部收益率（FIRR）：16.51%。5、全部投资回收期（Pt）：6.48年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：6873.57万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本项目的建设符合国家政策，各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小，从环保角度分析，本项目的建设是可行的。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南

16、；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）编制原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、

17、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大

18、市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。九、 研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。十、 研究结论该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18000.00约27.00亩1.1总建筑面

19、积26325.281.2基底面积10260.001.3投资强度万元/亩269.852总投资万元9418.202.1建设投资万元7497.622.1.1工程费用万元6456.512.1.2其他费用万元842.412.1.3预备费万元198.702.2建设期利息万元199.532.3流动资金万元1721.053资金筹措万元9418.203.1自筹资金万元5346.123.2银行贷款万元4072.084营业收入万元16800.00正常运营年份5总成本费用万元13814.946利润总额万元2905.667净利润万元2179.258所得税万元726.419增值税万元661.7310税金及附加万元79.4

20、011纳税总额万元1467.5412工业增加值万元5190.3013盈亏平衡点万元6873.57产值14回收期年6.4815内部收益率16.51%所得税后16财务净现值万元847.69所得税后第二章 项目背景、必要性一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、

21、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有

22、量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过

23、交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOS

24、FET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件

25、应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会

26、议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线

27、的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET

28、等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约

29、12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的

30、出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 深度融入“一带一路”加强与“一带一路”沿线国家在文化、产业、贸易投资、园区建设等方面的合作，构建辽宁中东欧“17+1”经贸合作示范区核心载体城市。加快境外经济合作区建设，积极参

31、与国际产能和装备制造合作，推进优势产业在“一带一路”国家投资布局。推进与俄远东地区陆海联运合作，推动以大连为起点、贯穿北冰洋的“冰上丝绸之路”航线商业化运行，丰富拓展中欧班列产品和路线。建设对外投资合作公共服务平台，为企业对外投资提供综合服务。加强政银企合作，争取“丝路基金”、中非基金等国家级基金参与我市境外投资项目。五、 加快建设东北亚科技创新创业创投中心坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康，提升大连创新策源能力，激活大连创新动力，加速成为创新技术策源地、创新企业培育地、创新人才向往地、创新空间展现地和创新氛围示范地,为强

32、化国家战略科技力量提供支撑。加强创新策源能力建设。高水平规划建设英歌石科学城，打造洁净能源、新一代信息技术、智能制造、生命安全等领域的科学技术发源地和新兴产业策源地。积极推进洁净能源创新研究院、辽宁实验室精细化工与催化研究中心、智能制造研究中心建设，争创国家实验室。加快先进光源大科学装置落地，布局一批国家、省、市级创新平台，形成重大科技创新平台集群。大力发展新型研发机构，支持在连高校、科研院所、企业科研力量优化配置和资源共享，联合开展关键核心技术攻关，提高创新链整体效能。统筹推进自创区“一区、多园、多点”建设，打造自创区升级版。强化企业创新主体地位。加大对企业技术创新支持力度，推动创新要素向企

33、业集聚。鼓励行业领军企业设立高水平研发机构，打造一批具有国际竞争力的科技型企业，形成一批“雏鹰”“瞪羚”和“隐形冠军”“单项冠军”企业,培育催生“独角兽”企业。加强共性技术平台建设，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。鼓励企业加大研发投入，对企业投入基础研究实行税收优惠。提高科技成果转化应用能力。完善科技成果转化服务体系，支持企业牵头组建创新联合体和产学研联盟，构建企业与高校、科研机构的契约关系。健全多元化科创投融资体系，做大做强政府引导基金，集聚发展创业投资和股权投资基金，推动创新、产业和资本无缝衔接，促进新技术产业化规模化应用。创建国家科技成果转移转化示范区,发展技术产权交易市场，吸引

34、国内外高校、科研院所在大连建立技术转移分支机构和产业化基地。加强知识产权保护，探索知识产权交易中心建设,加快建设知识产权强市。建立健全科技成果常态化路演和发布机制。打造人才集聚新优势。深化人才发展体制机制改革，持续创新人才政策，赋予用人单位更大自主权。构建“双招双引”工作机制，以引进高层次人才和吸引高校毕业生留连为重点，集聚各方面优秀人才。实施重点人才工程计划，充分发挥大连海外学子创业周、大连创业就业博览会等重大引才平台引领示范作用，引进和造就更多科技领军人才、创新团队和青年科技人才后备军。加快建设人才管理改革试验区，鼓励支持金普新区、高新区大胆创新、先行先试。提高人才服务精细化水平，增强人才

35、获得感。加强人才政治引领吸纳，落实党委联系服务专家工作制度。完善科技人才评价体系，构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制。加强创新型、应用型、技能型人才培养，壮大高水平工程师和高技能人才队伍，打造“大连工匠”品牌。完善科技创新体制机制。创新科技项目组织管理方式，实行重大科技项目“揭榜挂帅”等制度。完善科技评价机制和科技奖励制度。完善国际国内科技合作体系，鼓励支持跨国公司、国际研究机构、国内大公司和科研机构来连设立研发中心，广泛汇聚各方创新资源。建立科技工作管理体系，完善科技决策制度。积极发展科技服务机构，健全创新公共服务平台体系。加强科技创新创业孵化载体建设，打造科技创新创业赛事平

36、台。弘扬科学精神和工匠精神，倡导学术诚信，加强科普工作，营造良好创新生态。第三章 市场预测一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英

37、飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能

38、源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的

39、应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.3

40、5微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。三、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车

41、电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美

42、元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华

43、润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结

44、MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低

45、电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增

46、长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。