太原MOSFET功率器件项目招商引资方案（模板参考）.docx

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1、泓域咨询/太原MOSFET功率器件项目招商引资方案太原MOSFET功率器件项目招商引资方案xx集团有限公司目录第一章 项目背景、必要性7一、 中国半导体行业发展概况7二、 MOSFET器件概述7三、 功率器件应用发展机遇12四、 全方位融入国家区域发展战略17五、 项目实施的必要性17第二章 项目基本情况19一、 项目名称及投资人19二、 编制原则19三、 编制依据19四、 编制范围及内容20五、 项目建设背景21六、 结论分析21主要经济指标一览表23第三章 市场分析26一、 功率半导体行业概述26二、 全球半导体行业发展概况27三、 功率MOSFET的行业发展趋势28第四章 选址方案31一

2、、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 聚焦“六新”突破，全力打造一流创新生态34四、 项目选址综合评价38第五章 建设方案与产品规划39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表39第六章 运营模式41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42四、 财务会计制度45第七章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事63第八章 发展规划分析65一、 公司发展规划65二、 保障措施69第九章 项目规划进度72一、 项目进度安排72项目实施进度计划一览表72二、 项目实

3、施保障措施73第十章 原辅材料分析74一、 项目建设期原辅材料供应情况74二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理74第十一章 环境影响分析75一、 编制依据75二、 环境影响合理性分析76三、 建设期大气环境影响分析78四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析82六、 建设期声环境影响分析82七、 环境管理分析83八、 结论及建议85第十二章 投资估算及资金筹措86一、 投资估算的编制说明86二、 建设投资估算86建设投资估算表88三、 建设期利息88建设期利息估算表89四、 流动资金90流动资金估算表90五、 项目总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计

4、划92项目投资计划与资金筹措一览表93第十三章 项目经济效益分析95一、 基本假设及基础参数选取95二、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表97利润及利润分配表99三、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表101四、 财务生存能力分析102五、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104六、 经济评价结论104第十四章 风险风险及应对措施106一、 项目风险分析106二、 项目风险对策108第十五章 项目综合评价111第十六章 附表附录113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资

5、产摊销估算表115利润及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表118建设投资估算表119建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124第一章 项目背景、必要性一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显

6、著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金

7、属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土

8、成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有

9、着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻

10、随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在

11、N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，20

12、20年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空

13、航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电

14、子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率器件应

15、用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止

16、2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，

17、直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电

18、功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由

19、于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值

20、量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更

21、大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束

22、，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用

23、量提升。四、 全方位融入国家区域发展战略精准对接京津冀协同发展、推动中部地区崛起、长江经济带发展、粤港澳大湾区建设、黄河流域生态保护和高质量发展等国家重大战略，推动构建“太郑西”成长金三角，完善交流机制，创新合作模式，全面加强科技、产业、人才、会展、能源、文化旅游等各领域深度合作，实现优势互补、互利双赢。差异化承接东部、沿海地区及北京非首都功能产业转移，努力构建全方位、多领域、常态化的区域合作发展格局。积极推进我市与港澳台开展交流合作。主动融入“一带一路”建设，构建纵向二湛国家综合运输大通道、横向丝绸之路二通道和京太西通道，形成六向联系的放射型国家综合运输大通道，建设“一带一路”国际物流大通道

24、重要节点，鼓励企业开拓“一带一路”新型市场和东南亚市场。全面融入京津冀建设，加强与京津冀地区在生态联防联治、能源保障供应、产业转移承接、基础设施互联、医疗教育共享等方面的深度融合，强化与北京、雄安方向的链接通道建设，承接京津冀高新技术产业，共享优质公共资源。五、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 项目基本情况一、 项目名称及

25、投资人（一）项目名称太原MOSFET功率器件项目（二）项目投资人xx集团有限公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的

26、有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。四、 编制范围及内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景与云计算相比，雾计算所

27、采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。“十四五”时期我国进入了新发展阶段，虽然我们面临国际环境变化以及国内经济发展结构性、体制性、周期性问题相互交织带来的困难和挑战，但继续发展仍具有多方面的优势和条件。同时也要清醒认识到，我市发展不平衡不充分的问题尚未根本解决，经济总量不大、产业结构不优、创新能力不强、综合承载力不高等问题依然突出，生态环境保护、重点领域改革、民生福祉改善等任务仍然艰巨。增强机遇意识，保持战略定力，发扬斗争精神，努力在危机中育先机、于变局中开新局，在

28、率先转型发展蹚新路中彰显省会担当。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx，占地面积约54.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资23705.40万元，其中：建设投资18395.43万元，占项目总投资的77.60%；建设期利息416.43万元，占项目总投资的1.76%；流动资金4893.54万元，占项目总投资的20.64%。（五）资金筹措项目总投资23705.40万元，根据资金筹措方案，x

29、x集团有限公司计划自筹资金（资本金）15206.83万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8498.57万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：46100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：36099.74万元。3、项目达产年净利润（NP）：7319.96万元。4、财务内部收益率（FIRR）：23.65%。5、全部投资回收期（Pt）：5.69年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：17080.70万元（产值）。（七）社会效益综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标

30、。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积36000.00约54.00亩1.1总建筑面积61616.051.2基底面积20880.001.3投资强度万元/亩319.612总投资万元23705.402.1建设投资万元18395.432.1.1工程费用万元15456.392.1.2其他费用万元2491.912.1.3预备费万元447.132.2建设期利息万元416.432

31、.3流动资金万元4893.543资金筹措万元23705.403.1自筹资金万元15206.833.2银行贷款万元8498.574营业收入万元46100.00正常运营年份5总成本费用万元36099.746利润总额万元9759.957净利润万元7319.968所得税万元2439.999增值税万元2002.5110税金及附加万元240.3111纳税总额万元4682.8112工业增加值万元15541.6013盈亏平衡点万元17080.70产值14回收期年5.6915内部收益率23.65%所得税后16财务净现值万元11170.78所得税后第三章 市场分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导

32、体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，

33、沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功

34、率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心

35、，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的

36、性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VD

37、MOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院

38、发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%

39、，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。第四章 选址方案一、 项目选址原则节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地；应充分利用天然地形，选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。二、 建设区基本情况太原，古称晋阳，别称并州、龙城，山西省辖地级市、省会、太原都市圈核心城市，是批复确定的中国中部地区重要的中心城市。太原位于山西省中部、晋中盆地北部地区，总面积6988平方千米。截至2020年6月，太原市辖6个区、3个县，代管1个县级市，另辖1个县级单位。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，太原市常住人口为530.4061万人。2020年，太原

40、市实现地区生产总值（GDP）4153.25亿元。太原是山西省政治、经济、文化和国际交流中心，国家可持续发展议程创新示范区，是中国北方军事、文化重镇，世界晋商都会，也是中国重要的能源、重工业基地之一，是中国优秀旅游城市、国家园林城市。曾成功举办第二届全国青年运动会、中国中部博览会和中国电视华鼎奖等重要大型活动。太原是国家历史文化名城，一座有2500多年建城历史的古都，“控带山河，踞天下之肩背”，“襟四塞之要冲，控五原之都邑”的历史古城。全市三面环山，黄河第二大支流汾河自北向南流经，自古就有“锦绣太原城”的美誉，太原的城市精神是包容、尚德、崇法、诚信、卓越。2019年8月13日，太原市入选全国城市

41、医疗联合体建设试点城市。2019年10月31日，太原市入选首批5G商用城市名单。2021年7月30日，交通运输部决定命名太原市为国家公交都市建设示范城市到二三五年，太原在实现第一个五年“转型出雏型”重要阶段性目标的基础上，引领全省实现全面转型，基本实现社会主义现代化，再现“锦绣太原城”盛景。经济综合实力再迈上新的大台阶，人均地区生产总值达到省会城市中上游水平；科技创新能力明显增强，优势领域创新水平全国领先，建成特色鲜明的国家创新型城市；现代产业体系全面形成，产业基础能力和产业链现代化水平显著提高，主导产业向价值链中高端迈进；新型城镇化建设取得重大突破，国家综合交通枢纽地位全面提升，太原都市区辐

42、射带动作用凸显，太原成为具有国际影响力的国家区域中心城市；绿色生产生活方式广泛形成，生态环境根本好转，山光凝翠、川容如画的美丽太原基本建成；支撑高质量转型发展的体制机制更加完善，高水平对外开放格局全面形成；文化事业和文化产业繁荣兴盛，国家历史文化名城知名度、影响力显著提升，市民素质和城市文明程度达到新高度；城乡居民人均收入大幅提升，基本公共服务实现更高水平均等化，城乡发展差距和居民生活水平差距显著缩小，共同富裕取得显著进展；法治政府、法治社会基本建成，市域治理体系和治理能力现代化基本实现。“十三五”时期是我市发展极不平凡的五年。“十三五”前四年，地区生产总值年均增长7.6%，总量迈上4千亿元台

43、阶，人均地区生产总值在全国省会城市的排名由“十二五”末的第18位上升到第15位，在全省的首位度由21.4%提高到23.7%。一般公共预算收入年均增长9%。固定资产投资年均增长10.4%，增速持续保持在全国省会城市第一方阵。产业结构持续优化。太钢高端碳纤维、长城智能制造基地、中电科碳化硅、清徐精细化工循环产业园等重大转型项目建成投产，高端装备制造、新材料、信息技术等新兴产业规模不断扩大，信创产业布局进入全国前列，制造业增加值占规模以上工业增加值的比重达到70%以上，战略性新兴产业增加值年均增长12.0%左右；现代服务业集聚态势加速形成，入选首批国家物流枢纽建设名单，以华润万象城、华宇百花谷等城市

44、综合体为引领的大型商圈格局基本形成，连锁便利化发展指数位居全国前列；都市现代农业加速发展，形成南部城郊农业、北部有机旱作特色农业新格局。创新动力更加强劲。深入实施创新驱动战略，连续三年投入10亿元科技专项资金、10亿元人才发展资金，新增10亿元工业转型升级资金、5亿元新动能发展资金；创新平台建设取得实效，中科院山西先进计算中心等一批国字号创新载体落地投运，中国科学院大学太原能源材料学院开工建设，山西智创城、太原同创谷等品牌双创载体多点布局；与中科院、同济大学等高端智库合作成果丰硕，在全国42所一流大学建立“太原市学子归巢工作站”；人才引进力度前所未有，启动建设人才公寓，近两年累计迁入各类人才及

45、家属8.9万人；科技型中小企业由2017年的321家猛增到8700家，在全国省会城市居第3位，高新技术企业由2015年的380家增加到2137家。三、 聚焦“六新”突破，全力打造一流创新生态坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，把“六新”作为转型发展蹚新路的方向目标、路径要求和战略举措，以建设国家可持续发展议程创新示范区为引领，全面实施创新驱动战略、人才兴市战略，着力营造鼓励大胆创新、勇于创新、包容创新的良好氛围，打造特色鲜明的国家创新型城市。（一）坚决打赢“六新”攻坚战。围绕“六新”抓项目、建生态、优服务、定标准，充分发挥太原作为全省战略性新兴产业创新策源地的作用。抢占新基建先机，加快“AI

46、+5G”与高端制造、城市管理、交通物流、远程医疗、远程教育、文化旅游等应用场景深度融合，实现5G网络及商用全覆盖。强化新技术攻关，围绕新一代信息技术、生命科学技术、先进制造技术、能源技术、新材料技术等领域，集中突破一批关键共性技术、前沿引领技术，抢占科技创新制高点。做大新材料优势，聚焦特种金属、碳基、生物基等新材料，强化产品、工艺和技术攻关，力争在产业链高端环节和价值链高附加值环节取得明显突破。提升新装备水平，促进采煤机械、轨道交通、通用航空、机器人、微电子、高端工程机械等向成套化、系列化方向发展，推动高端装备制造业成链成群。做优新产品品牌，以高端化、智能化、绿色化、个性化、品牌化为引领，大力开发市场竞争力强、附加值高的拳头产品，实现由“太原产品”向“太原品牌”转变、由“地方品牌”向“全国品牌”“国际品牌”跃升。扩大新业态规模，聚焦智能制造、智慧物流、智慧农业、智慧交通和智慧城市等领域，大力推进跨界融合，不断创造新需求，培育新业态，推动创新成果与经济社会各领域深度融合。（二）大力培育战略科技力量。实施重大科技创新平台建设行动，集中力量建设创新策源地。积极融入国家创新战略布局，争取国家信创技术创新中心、国家碳纤维及其复合材料技术创新中心落地我市，着力打造信息技术应用创新“全生态”，建成国际领先的高性能碳纤维