宝鸡关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告_范文模板.docx
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1、泓域咨询/宝鸡关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告宝鸡关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xx有限责任公司目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 背景及必要性15一、 全球半导体行业发展概况15二、 MOSFET器件概述15三、 加速壮大县域经济20四、 加快新兴产业发展20五、 项目实施的必要性21第三章 公司筹建方案23一、 公司经营宗旨23二、 公司的目标、主要职责2
2、3三、 公司组建方式24四、 公司管理体制24五、 部门职责及权限25六、 核心人员介绍29七、 财务会计制度30第四章 行业、市场分析38一、 功率半导体行业概述38二、 功率MOSFET的行业发展趋势39第五章 发展规划42一、 公司发展规划42二、 保障措施46第六章 法人治理49一、 股东权利及义务49二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事57第七章 选址方案分析59一、 项目选址原则59二、 建设区基本情况59三、 提升工业优势,努力打造制造业高地61四、 做活开放型经济62五、 项目选址综合评价62第八章 项目环保分析64一、 环境保护综述64二、 建设期大气环境影响分析6
3、5三、 建设期水环境影响分析67四、 建设期固体废弃物环境影响分析67五、 建设期声环境影响分析67六、 环境影响综合评价68第九章 风险分析69一、 项目风险分析69二、 公司竞争劣势72第十章 经济收益分析73一、 经济评价财务测算73营业收入、税金及附加和增值税估算表73综合总成本费用估算表74固定资产折旧费估算表75无形资产和其他资产摊销估算表76利润及利润分配表78二、 项目盈利能力分析78项目投资现金流量表80三、 偿债能力分析81借款还本付息计划表82第十一章 投资计划84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表87三、 建设期利息87建设期利息估算表8
4、7四、 流动资金89流动资金估算表89五、 总投资90总投资及构成一览表90六、 资金筹措与投资计划91项目投资计划与资金筹措一览表91第十二章 项目进度计划93一、 项目进度安排93项目实施进度计划一览表93二、 项目实施保障措施94第十三章 项目总结95第十四章 附表附件96主要经济指标一览表96建设投资估算表97建设期利息估算表98固定资产投资估算表99流动资金估算表100总投资及构成一览表101项目投资计划与资金筹措一览表102营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表106项目投资现金
5、流量表107借款还本付息计划表108建筑工程投资一览表109项目实施进度计划一览表110主要设备购置一览表111能耗分析一览表111报告说明半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。xx有限责任公司主要由xxx投资管理公司和xx投资管理公司共同出资成立。其中:xxx投资管理公司出资166.50万元,占xx有限责任公司15%股份;xx投资管理公司出资944万元,占xx有限责任公司85%股份。根据谨慎财务估算,
6、项目总投资6388.90万元,其中:建设投资4798.13万元,占项目总投资的75.10%;建设期利息104.87万元,占项目总投资的1.64%;流动资金1485.90万元,占项目总投资的23.26%。项目正常运营每年营业收入14100.00万元,综合总成本费用11331.59万元,净利润2024.66万元,财务内部收益率23.02%,财务净现值2180.43万元,全部投资回收期5.84年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进,即提高了产品质量,又增加了产品附加值,具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势,主要原材
7、料从本地市场采购,保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述,项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义,本期项目的建设,是十分必要和可行的。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx有限责任公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1110万元三、 注册地址宝鸡xxx四、 主要经营范围经营范围:从事MOSFET功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx有限责任公司主要由xxx投资管理公司和xx投资管理公司发起成立。(一)xxx投资管理公司基本情况
8、1、公司简介当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以
9、及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心
10、,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2734.692187.752051.02负债总额1240.01992.01930.01股东权益合计1494.681195.741121.01公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入10596.868477.497947.65营业利润2581.802065.441936.35利润总额2293.211834.571719.91净利润1719.911341.531238.34归属于母公司所有者的净利润171
11、9.911341.531238.34(二)xx投资管理公司基本情况1、公司简介公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2734.692
12、187.752051.02负债总额1240.01992.01930.01股东权益合计1494.681195.741121.01公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入10596.868477.497947.65营业利润2581.802065.441936.35利润总额2293.211834.571719.91净利润1719.911341.531238.34归属于母公司所有者的净利润1719.911341.531238.34六、 项目概况(一)投资路径xx有限责任公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由功率半导体是电子装
13、置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。(三)项目选址项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约12.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积15222.92,其中:生产工程9451.51,仓储工程2955.96,行政办公及生活
14、服务设施1484.89,公共工程1330.56。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资6388.90万元,其中:建设投资4798.13万元,占项目总投资的75.10%;建设期利息104.87万元,占项目总投资的1.64%;流动资金1485.90万元,占项目总投资的23.26%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):14100.00万元。2、综合总成本费用(TC):11331.59万元。3、净利润(NP):2024.66万元。4、全部投资回收期(Pt):5.84年。5、财务内部收益率:23.02%。6、财务净现值:2180.43万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。
15、(九)项目综合评价由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。第二章 背景及必要性一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.1%。过去五年,随着智能手
16、机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望
17、恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接
18、口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二
19、氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更
20、淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件
21、系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于
22、MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的
23、统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前
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