年产xxx件MOSFET功率器件项目计划书模板参考.docx
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1、泓域咨询/年产xxx件MOSFET功率器件项目计划书年产xxx件MOSFET功率器件项目计划书xx公司目录第一章 项目建设背景、必要性8一、 MOSFET器件概述8二、 功率半导体市场规模与竞争格局12三、 功率MOSFET的行业发展趋势13四、 切实加强区域合作交流15五、 积极促进对外开放15六、 项目实施的必要性16第二章 项目总论17一、 项目名称及项目单位17二、 项目建设地点17三、 可行性研究范围17四、 编制依据和技术原则18五、 建设背景、规模19六、 项目建设进度20七、 环境影响20八、 建设投资估算20九、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表21十、 主要结论及
2、建议23第三章 项目选址方案24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 着力提升创新能力26四、 激发人才创新活力26五、 项目选址综合评价27第四章 产品规划方案28一、 建设规模及主要建设内容28二、 产品规划方案及生产纲领28产品规划方案一览表29第五章 发展规划30一、 公司发展规划30二、 保障措施34第六章 SWOT分析说明37一、 优势分析(S)37二、 劣势分析(W)38三、 机会分析(O)39四、 威胁分析(T)39第七章 法人治理45一、 股东权利及义务45二、 董事50三、 高级管理人员54四、 监事56第八章 项目环保分析58一、 编制依据58二、 环境影响
3、合理性分析58三、 建设期大气环境影响分析59四、 建设期水环境影响分析62五、 建设期固体废弃物环境影响分析63六、 建设期声环境影响分析63七、 建设期生态环境影响分析64八、 清洁生产64九、 环境管理分析66十、 环境影响结论67十一、 环境影响建议67第九章 项目实施进度计划69一、 项目进度安排69项目实施进度计划一览表69二、 项目实施保障措施70第十章 投资估算及资金筹措71一、 编制说明71二、 建设投资71建筑工程投资一览表72主要设备购置一览表73建设投资估算表74三、 建设期利息75建设期利息估算表75固定资产投资估算表76四、 流动资金77流动资金估算表78五、 项目
4、总投资79总投资及构成一览表79六、 资金筹措与投资计划80项目投资计划与资金筹措一览表80第十一章 经济效益评价82一、 基本假设及基础参数选取82二、 经济评价财务测算82营业收入、税金及附加和增值税估算表82综合总成本费用估算表84利润及利润分配表86三、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88四、 财务生存能力分析89五、 偿债能力分析90借款还本付息计划表91六、 经济评价结论91第十二章 招标方案93一、 项目招标依据93二、 项目招标范围93三、 招标要求94四、 招标组织方式94五、 招标信息发布98第十三章 项目风险分析99一、 项目风险分析99二、 项目风险对策101第
5、十四章 总结说明104第十五章 附表附录105建设投资估算表105建设期利息估算表105固定资产投资估算表106流动资金估算表107总投资及构成一览表108项目投资计划与资金筹措一览表109营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表113项目投资现金流量表114本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设背景、必要性一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器
6、件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的
7、安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领
8、域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于M
9、OSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和
10、P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yol
11、e的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费
12、电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶
13、持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展
14、期。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产
15、业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到
16、成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技
17、术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了
18、功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。四、 切实加强区域合作交流与长春市协同推进哈长城市群建设,积极承接引进特色产业链条,支持城市群内骨干企业及主要产业基地在我市
19、开展合作生产和研发。高标准推进吉温对口合作,促进产品与市场、资源与资本、制造与创造深度对接,推进化工、先进材料、医养健康等产业合作,鼓励浙商共同参与开发;发挥吉温两地商会桥梁作用,加快推进签约项目落地建设;建立多点合作干部双向挂职交流机制,支持中高端人才互认共享;以“冰雪吉林”和“山水温州”为主题,构建旅游市场营销推广合作新机制。抓好长三角、珠三角和京津冀的产业转移承接。五、 积极促进对外开放围绕共建“一带一路”、构建我国向北开放的重要窗口和东北亚地区合作枢纽,主动承接产业转移等国际合作项目,深度融入中蒙俄经济走廊。积极参与长吉图开发开放先导区建设,找准吉林市定位,将特色资源和内需市场转化为国
20、际合作和竞争新优势。着力稳外资拓外贸,加快外贸结构调整,重点推进高新技术产品出口;加强外贸主体建设,重点提升吉林化纤、吉林炭素等骨干企业外贸水平,积极培育新兴外贸企业;加大对出口产业的培育扶持力度,做好申报出口基地建设储备工作。积极参与“中国国际进口博览会”“中国-东北亚博览会”等经贸活动。加强外派劳务管理和服务,发挥我市劳动者在促进双循环中的积极作用。六、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资
21、源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称:年产xxx件M
22、OSFET功率器件项目项目单位:xx公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区,占地面积约38.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定
23、员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托;2、国家和地方有关政策、法规、规划;3、现行有关技术规范、标准和规定;4、相关产业发展规划、政策;5、项目承办单位提供的基础资料。(二)技术原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令,符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向,以提高竞争力为出发点,产品无论在质量性能上,还是在价格上均应
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