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1、泓域咨询/朔州MOSFET功率器件项目招商引资方案朔州MOSFET功率器件项目招商引资方案xx有限公司目录第一章 建设单位基本情况8一、 公司基本信息8二、 公司简介8三、 公司竞争优势9四、 公司主要财务数据11公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11五、 核心人员介绍12六、 经营宗旨13七、 公司发展规划13第二章 项目概述16一、 项目概述16二、 项目提出的理由18三、 项目总投资及资金构成18四、 资金筹措方案18五、 项目预期经济效益规划目标19六、 项目建设进度规划19七、 环境影响19八、 报告编制依据和原则20九、 研究范围21十、 研究结论21十一、 主要
2、经济指标一览表22主要经济指标一览表22第三章 行业、市场分析24一、 MOSFET器件概述24二、 功率MOSFET的行业发展趋势28第四章 项目背景分析31一、 全球半导体行业发展概况31二、 中国半导体行业发展概况31三、 实施科教兴市和人才强市行动计划32四、 聚焦“六新”突破,培育壮大转型发展产业链32第五章 产品规划与建设内容35一、 建设规模及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表35第六章 项目选址分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 实施“一核一园一带一路”行动计划38四、 项目选址综合评价39第七章 发展规划40一、 公司发
3、展规划40二、 保障措施41第八章 运营管理模式44一、 公司经营宗旨44二、 公司的目标、主要职责44三、 各部门职责及权限45四、 财务会计制度49第九章 SWOT分析说明56一、 优势分析(S)56二、 劣势分析(W)58三、 机会分析(O)58四、 威胁分析(T)59第十章 人力资源配置65一、 人力资源配置65劳动定员一览表65二、 员工技能培训65第十一章 原材料及成品管理68一、 项目建设期原辅材料供应情况68二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理68第十二章 技术方案分析70一、 企业技术研发分析70二、 项目技术工艺分析72三、 质量管理73四、 设备选型方案74主要设备购置
4、一览表75第十三章 环境影响分析76一、 编制依据76二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析79四、 建设期固体废弃物环境影响分析80五、 建设期声环境影响分析80六、 环境管理分析81七、 结论82八、 建议82第十四章 项目投资分析84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89固定资产投资估算表91四、 流动资金91流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十五章 项目经济效益评价96一、 基本假设及基础参数选取96二、 经
5、济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表98利润及利润分配表100三、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表102四、 财务生存能力分析103五、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105六、 经济评价结论105第十六章 项目风险防范分析107一、 项目风险分析107二、 项目风险对策109第十七章 项目综合评价112第十八章 附表114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表119建设投资估算表120建
6、设投资估算表120建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125第一章 建设单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xx有限公司2、法定代表人:余xx3、注册资本:730万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2016-1-217、营业期限:2016-1-21至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事MOSFET功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从
7、事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。三、 公司竞争优势(一)工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新
8、,通过引入国际先进的设备,不断加大自主技术研发和工艺改进力度,形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点,制定相应的工艺技术参数,以满足客户需求,已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发,公司已经建立了丰富完整的产品生产线,配备了行业先进的设备,形成了门类齐全、品种丰富的工艺,可为客户提供一体化综合服务。(二)节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念,依托科技创新,注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放,实现污染的源头和过程控制,通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产,提高三废末端治理水平,保障环境绩效。经过持续加大环保投入,公司
9、已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的竞争优势。(三)智能生产优势近年来,公司着重打造 “智慧工厂”,通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统,将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合,搭建完整的现代化生产平台,智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化,在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期,提高了公司的竞争力,增强了对客户的服务能力。(四)区位优势公司地处产业集聚区,在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验,能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。(五)经营管
10、理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队,主要高级管理人员长期专注于印染行业,对行业具有深刻的洞察和理解,对行业的发展动态有着较为准确的把握,对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式,建立了一支团结进取的核心管理团队,形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解,能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整,为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2578.942063.151934.20负债总额121
11、9.31975.45914.48股东权益合计1359.631087.701019.72公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入9267.807414.246950.85营业利润1397.781118.221048.34利润总额1283.001026.40962.25净利润962.25750.56692.82归属于母公司所有者的净利润962.25750.56692.82五、 核心人员介绍1、余xx,1974年出生,研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司;2006年8月至2011年3月,任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历
12、任公司监事、销售部副部长、部长;2019年8月至今任公司监事会主席。2、韦xx,中国国籍,无永久境外居留权,1958年出生,本科学历,高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长;2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理;2019年3月至今任公司董事。3、廖xx,1957年出生,大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司;2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。4、石xx,中国国籍,无永久境外居留权,1959年出生,大专学历,高级工程师职称。2
13、003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问;2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。5、毛xx,中国国籍,1976年出生,本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理;2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司执行董事、总经理;2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。6、魏xx,中国国籍,1977年出生,本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任,2017年8月至今任公司监事。7、雷xx,中国
14、国籍,无永久境外居留权,1961年出生,本科学历,高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。8、苏xx,中国国籍,无永久境外居留权,1970年出生,硕士研究生学历。2012年4月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。六、 经营宗旨以市场经济为导向,立足主业,引进新项目、开发新技术、开辟新市场,以求高信誉、高效率、高效益,为用户提供一流的产品和服务,为股东和投资者获得更多的利益,实现社会效益和经济效益的最大化。七、 公司发展规划根据公司的发展规划,未来几年内公司的资产规模、业务规模、人员规模、资金运用规模都将有较大幅度的增长。随着业务
15、和规模的快速发展,公司的管理水平将面临较大的考验,尤其在公司迅速扩大经营规模后,公司的组织结构和管理体系将进一步复杂化,在战略规划、组织设计、资源配置、营销策略、资金管理和内部控制等问题上都将面对新的挑战。另外,公司未来的迅速扩张将对高级管理人才、营销人才、服务人才的引进和培养提出更高要求,公司需进一步提高管理应对能力,才能保持持续发展,实现业务发展目标。公司将采取多元化的融资方式,来满足各项发展规划的资金需求。在未来融资方面,公司将根据资金、市场的具体情况,择时通过银行贷款、配股、增发和发行可转换债券等方式合理安排制定融资方案,进一步优化资本结构,筹集推动公司发展所需资金。公司将加快对各方面
16、优秀人才的引进和培养,同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制,确保公司发展规划和目标的实现。一方面,公司将继续加强员工培训,加快培育一批素质高、业务强的营销人才、服务人才、管理人才;对营销人员进行沟通与营销技巧方面的培训,对管理人员进行现代企业管理方法的教育。另一方面,不断引进外部人才。对于行业管理经验杰出的高端人才,要加大引进力度,保持核心人才的竞争力。其三,逐步建立、完善包括直接物质奖励、职业生涯规划、长期股权激励等多层次的激励机制,充分调动员工的积极性、创造性,提升员工对企业的忠诚度。公司将严格按照公司法等法律法规对公司的要求规范运作,持续完善公司的法人治理结构,建立适应现代企业制
17、度要求的决策和用人机制,充分发挥董事会在重大决策、选择经理人员等方面的作用。公司将进一步完善内部决策程序和内部控制制度,强化各项决策的科学性和透明度,保证财务运作合理、合法、有效。公司将根据客观条件和自身业务的变化,及时调整组织结构和促进公司的机制创新。第二章 项目概述一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:朔州MOSFET功率器件项目2、承办单位名称:xx有限公司3、项目性质:技术改造4、项目建设地点:xxx(以最终选址方案为准)5、项目联系人:余xx(二)主办单位基本情况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则
18、对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织
19、架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(以最终选
20、址方案为准),占地面积约16.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。大力实施“生态立市、稳煤促新”战略
21、,全市经济在爬坡过坎中奋力前行,转型在夯基垒台中厚积成势,“十三五”规划纲要确定的目标任务基本完成,我市与全国、全省同步全面建成小康社会胜利在望。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资7199.39万元,其中:建设投资5417.00万元,占项目总投资的75.24%;建设期利息147.13万元,占项目总投资的2.04%;流动资金1635.26万元,占项目总投资的22.71%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资7199.39万元,根据资金筹措方案,xx有限公司计划自筹资金(资本金)4196.78万元。(二)申请银行
22、借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额3002.61万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):16100.00万元。2、年综合总成本费用(TC):12923.42万元。3、项目达产年净利润(NP):2321.56万元。4、财务内部收益率(FIRR):23.60%。5、全部投资回收期(Pt):5.78年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):6618.39万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响该项目投入运营后产生废气、废水、噪声和固体废物等污染物,对周
23、围环境空气的影响较小。各类污染物均得到了有效的处理和处置。该项目的生产工艺、产品、污染物产生、治理及排放情况符合国家关于清洁生产的要求,所采取的污染防治措施从经济及技术上可行。八、 报告编制依据和原则(一)编制依据1、本期工程的项目建议书。2、相关部门对本期工程项目建议书的批复。3、项目建设地相关产业发展规划。4、项目承办单位可行性研究报告的委托书。5、项目承办单位提供的其他有关资料。(二)编制原则1、严格遵守国家和地方的有关政策、法规,认真执行国家、行业和地方的有关规范、标准规定;2、选择成熟、可靠、略带前瞻性的工艺技术路线,提高项目的竞争力和市场适应性;3、设备的布置根据现场实际情况,合理
24、用地;4、严格执行“三同时”原则,积极推进“安全文明清洁”生产工艺,做到环境保护、劳动安全卫生、消防设施和工程建设同步规划、同步实施、同步运行,注意可持续发展要求,具有可操作弹性;5、形成以人为本、美观的生产环境,体现企业文化和企业形象;6、满足项目业主对项目功能、盈利性等投资方面的要求;7、充分估计工程各类风险,采取规避措施,满足工程可靠性要求。九、 研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况,按照项目的建设要求,对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模,并提出主要技术
25、经济指标,对项目能否实施做出一个比较科学的评价,其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。十、 研究结论项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积1
26、0667.00约16.00亩1.1总建筑面积20430.381.2基底面积6613.541.3投资强度万元/亩330.402总投资万元7199.392.1建设投资万元5417.002.1.1工程费用万元4676.912.1.2其他费用万元605.232.1.3预备费万元134.862.2建设期利息万元147.132.3流动资金万元1635.263资金筹措万元7199.393.1自筹资金万元4196.783.2银行贷款万元3002.614营业收入万元16100.00正常运营年份5总成本费用万元12923.426利润总额万元3095.417净利润万元2321.568所得税万元773.859增值税万
27、元676.4910税金及附加万元81.1711纳税总额万元1531.5112工业增加值万元5112.4913盈亏平衡点万元6618.39产值14回收期年5.7815内部收益率23.60%所得税后16财务净现值万元2639.49所得税后第三章 行业、市场分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受
28、疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、
29、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。
30、2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条
31、件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普
32、通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IG
33、BT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,
34、市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,
35、中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件
36、生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽
37、车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密
38、度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。第四章 项目背景分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用
39、广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快
40、速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口
41、替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 实施科教兴市和人才强市行动计划推动科技与经济融合、教育与产业对接、人才与发展匹配,启动创新型领军企业培育、高新技术企业倍增、科技型中小企业培育“三大工程”。完善招才引智政策,“筑巢引凤”“引凤筑巢”,吸引更多海内外优秀人才,构建创新活力充分涌流、创业潜力有效激发、创造动力竞相迸发的一流创新生态。四、 聚焦“六新”突破,培育壮大转型发展产业链以新兴产业牵引转型发展。立足产业基础优势,推动“六新”突破,落地实施一批重大项目和中小型成长性项目,锻造具有比较优势和完整链条的新兴产业集群。实施500万元以上产业
42、转型项目261个,总投资773亿元。加快推动“晋电送浙”特高压输电通道、晋北1400万千瓦“风光火储输”一体化项目落地;加强与景德镇陶瓷企业深度合作,推动陶瓷企业通过技术攻关、工艺设计、品牌打造、市场拓展,实现产业规模、效益双提升;发展“新能源储能”产业,推动新能源发电企业配建储能设施,抓好金风科技300兆瓦时、山西道威400兆瓦时储能电站项目;大力发展高端装备制造产业,推动中信重工特种机器人产业化快速发展、昌能风电塔筒制造提效扩规,吸引智能煤机装备制造项目落地;推动煤系高岭土、低阶煤分质分级利用、煤矸石和粉煤灰综合利用产业发展,推进金利通年产5万吨优质针状焦、北新建材纸面石膏板、绿源节能墙材
43、岩棉一体化项目达产达效,抓好普勤低热值煤热解燃烧分级转化分质利用、晋坤公司与中石化共建的煤矸石制备催化剂等项目;在安瑞、玉龙格兰特等6个项目建成投产基础上,重点推进斯芬克斯医药中间体等8个项目,打造医药产业体系。发展智慧制造、智慧政务、智慧教育、智慧医疗,用智能化为经济赋能、为生活添彩。以煤电产业支撑转型发展。推动煤矿释放先进产能和核增产能700万吨,煤炭产量稳定在1.8亿吨;推进2座煤矿、8个综采工作面和47处掘进工作面智能化建设,煤炭先进产能占比达到92%;推动神电2100万千瓦、平朔235万千瓦和平右220千伏汇集站建成投运,运行电力总装机达到1861万千瓦;新增发电量80亿度,全市发电
44、量达到557亿度,外送电量460亿度。以现代服务业拉动转型发展。落地总投资160亿元的多弗集团文旅康养小镇项目,引进红星美凯龙项目,推动中心城区商业新业态、新模式发展;加快5G基础设施建设,推动阿里巴巴等人工智能基础数据标注项目扩大运营规模;依托高铁站、机场布局空港、陆港物流园区,支持经纬通达无车承运物流园区建设;鼓励实体商业转型,建设智慧商圈、智慧商场,构建“线上线下、商品服务、零售体验”新模式,让更多朔州产品走得更远。在遵循市场规则前提下,推动煤电企业设备及零部件采购交易落地我市。第五章 产品规划与建设内容一、 建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模该项目总占地面积10667.00(折合
45、约16.00亩),预计场区规划总建筑面积20430.38。(二)产能规模根据国内外市场需求和xx有限公司建设能力分析,建设规模确定达产年产xx件MOSFET功率器件,预计年营业收入16100.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品(服务)名称单位单价(元)年设计产量产值1MOSFET功率器件件xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xx16100.002019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。第六章 项目选址分析一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范,有利于产业发展
限制150内