成都MOSFET功率器件项目实施方案模板范本.docx

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1、泓域咨询/成都MOSFET功率器件项目实施方案目录第一章 总论7一、 项目概述7二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成9四、 资金筹措方案9五、 项目预期经济效益规划目标10六、 项目建设进度规划10七、 环境影响10八、 报告编制依据和原则10九、 研究范围12十、 研究结论13十一、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表13第二章 市场预测16一、 MOSFET器件概述16二、 全球半导体行业发展概况20第三章 建筑技术分析21一、 项目工程设计总体要求21二、 建设方案22三、 建筑工程建设指标25建筑工程投资一览表25第四章 产品方案与建设规划27一、 建设规模及主要建设

2、内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 项目选址可行性分析30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 培育比较优势突出的现代化开放型产业体系33四、 形成引领高质量发展的动力源36五、 项目选址综合评价39第六章 法人治理结构40一、 股东权利及义务40二、 董事47三、 高级管理人员51四、 监事54第七章 发展规划分析57一、 公司发展规划57二、 保障措施58第八章 组织机构管理61一、 人力资源配置61劳动定员一览表61二、 员工技能培训61第九章 劳动安全63一、 编制依据63二、 防范措施66三、 预期效果评价71第十章 节能说明72一、

3、项目节能概述72二、 能源消费种类和数量分析73能耗分析一览表73三、 项目节能措施74四、 节能综合评价76第十一章 工艺技术说明77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理81四、 设备选型方案82主要设备购置一览表83第十二章 投资方案84一、 投资估算的依据和说明84二、 建设投资估算85建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表90固定资产投资估算表91四、 流动资金91流动资金估算表92五、 项目总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十三章 经济效益分析96一、 经济评价财务测算96营业收

4、入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表101二、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103三、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105第十四章 风险防范107一、 项目风险分析107二、 项目风险对策109第十五章 总结111第十六章 附表附录112营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建设投资估算表118建设投资估算表118建设期利息估算

5、表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123报告说明相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基M

6、OSFET功率器件的两倍左右。根据谨慎财务估算，项目总投资47714.60万元，其中：建设投资39789.03万元，占项目总投资的83.39%；建设期利息563.14万元，占项目总投资的1.18%；流动资金7362.43万元，占项目总投资的15.43%。项目正常运营每年营业收入91300.00万元，综合总成本费用72521.26万元，净利润13737.16万元，财务内部收益率23.16%，财务净现值24261.86万元，全部投资回收期5.28年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环

7、境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 总论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：成都MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xx有限责任公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（待定）5、项目联系人：龚xx（二）主办单位基本情况公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司秉承“以

8、人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 企业履行社会责任，既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路，也是实现企业自身可持续发展的必然选择；既是顺应经济社会发展趋势的外在要求，也是提升企业可持续发展能力的内在需求；既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径，也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨，公司积极履行社会责任，依法经营、诚实守信，节约资源、保护环境，以人为本、构建和谐

9、企业，回馈社会、实现价值共享，致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础，从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手，建立了一套较为完善的社会责任管理机制。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xx（待定），占地面积约98.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电

10、力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资47714.60万元，其中：建设投资39789.03万元，占项目总投资的8

11、3.39%；建设期利息563.14万元，占项目总投资的1.18%；流动资金7362.43万元，占项目总投资的15.43%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资47714.60万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）24729.41万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额22985.19万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：91300.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：72521.26万元。3、项目达产年净利润（NP）：13737.16万元。4、财务内部收益率（FIRR）：23.16%

12、。5、全部投资回收期（Pt）：5.28年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：32955.23万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要

13、进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必

14、须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的

15、实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。九、 研究范围依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。十、 研究结论该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场

16、供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积65333.00约98.00亩1.1总建筑面积117352.651.2基底面积36586.481.3投资强度万元/亩395.542总投资万元47714.602.1建设投资万元39789.032.1.1工程费用万元34691.002.1.2其他费用万元3894.672.1.3预备费万元1203.362.2建设期利息万元563.142.3流动资金万元7362.433资金筹措万元4

17、7714.603.1自筹资金万元24729.413.2银行贷款万元22985.194营业收入万元91300.00正常运营年份5总成本费用万元72521.266利润总额万元18316.227净利润万元13737.168所得税万元4579.069增值税万元3854.3410税金及附加万元462.5211纳税总额万元8895.9212工业增加值万元30393.3613盈亏平衡点万元32955.23产值14回收期年5.2815内部收益率23.16%所得税后16财务净现值万元24261.86所得税后第二章 市场预测一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是

18、一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰

19、科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景

20、。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增

21、大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压V

22、DMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MO

23、SFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增

24、长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中

25、低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产

26、品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。第三章 建筑技术分析一、 项目工程设计总体要求（一）设计依据1、根据中国地震动参数区划图（GB18306-2015），拟建项

27、目所在地区地震烈度为7度，本设计原料仓库一、罐区、流平剂车间、光亮剂车间、化学消光剂车间、固化剂车间抗震按8度设防，其他按7度设防。2、根据拟建建构筑物用材料情况，所用材料当地都能解决。特殊建材（如：隔热、防水、耐腐蚀材料）也可根据需要就地采购。3、施工过程中需要的的运输、吊装机械等均可在当地解决，可以满足施工、设计要求。4、当地建筑标准和技术规范5、在设计中尽量优先选用当地地方标准图集和技术规定，以及省标、国标等，因地制宜、方便施工。（二）建筑设计的原则1、应遵守国家现行标准、规范和规程，确保工程安全可靠、经济合理、技术先进、美观实用。2、建筑设计应充分考虑当地的自然条件，因地制宜，积极结合

28、当地的材料、构件供应和施工条件，采用新技术、新材料、新结构。建筑风格力求统一协调。3、在平面布置、空间处理、构造措施、材料选用等方面，应根据工程特点满足防火、防爆、防腐蚀、防震、防噪音等要求。二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混

29、凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢

30、屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹

31、性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷

32、保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积117352.65，其中：生产工程81957.36，仓储工程18790.83，行政办公及生活服务设施9638.39，公共工程6966.07。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程20854.2981957

33、.3610643.231.11#生产车间6256.2924587.213192.971.22#生产车间5213.5720489.342660.811.33#生产车间5005.0319669.772554.381.44#生产车间4379.4017211.052235.082仓储工程8780.7618790.832036.552.11#仓库2634.235637.25610.962.22#仓库2195.194697.71509.142.33#仓库2107.384509.80488.772.44#仓库1843.963946.07427.683办公生活配套1935.429638.391462.083.

34、1行政办公楼1258.026264.95950.353.2宿舍及食堂677.403373.44511.734公共工程5122.116966.07789.25辅助用房等5绿化工程10427.15187.25绿化率15.96%6其他工程18319.3779.037合计65333.00117352.6515197.39第四章 产品方案与建设规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积65333.00（折合约98.00亩），预计场区规划总建筑面积117352.65。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx有限责任公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件MOSFET功率器件，预计

35、年营业收入91300.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合计xx91300.00超级结M

36、OSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电

37、阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。第五章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况成都，四川省辖地级市，简称“蓉”，别称蓉城、锦城，四川省省会，副省级市、超大城市、成渝地区双城经济圈核心城市，批复确定的中国西部地区重要的中心城市，国家重要的高新技术产业基地、商贸物流中心和综合交通枢纽。

38、成都地处中国西南地区、四川盆地西部、成都平原腹地，境内地势平坦、河网纵横、物产丰富、农业发达，属亚热带季风性湿润气候，自古有“天府之国”的美誉，是中国人民解放军西部战区机关驻地，作为重要的电子信息产业基地，有国家级科研机构30家，国家级研发平台67个，高校65所，2019年世界500强企业落户301家。成都是全国十大古都和首批国家历史文化名城，古蜀文明发祥地。境内金沙遗址有3000年历史，周太王以“一年成聚，二年成邑，三年成都”，故名成都；蜀汉、成汉、前蜀、后蜀等政权先后在此建都；一直是各朝代的州郡治所；汉为全国五大都会之一；唐为中国最发达工商业城市之一，史称“扬一益二”；北宋是汴京外第二大都

39、会，发明世界上第一种纸币交子。拥有都江堰、武侯祠、杜甫草堂等名胜古迹，是中国最佳旅游城市。当今世界正处于百年未有之大变局，世界经济政治格局面临深度调整和深刻变化。我国已转向高质量发展阶段，经济长期向好基本面没有改变，人民对美好生活充满新期待。成都开启建设社会主义现代化城市新征程，迎来多重叠加的战略机遇，“一带一路”建设、长江经济带发展、西部陆海新通道建设等国家战略交汇实施，推动成都由内陆腹地转变为开放前沿，引领开放格局系统性重塑；构建新发展格局、新时代推进西部大开发、建设成渝地区双城经济圈等国家战略密集部署，推动成都由国家中心城市向现代化国际都市稳步迈进，引领能级层次全方位跃升。面临多方汇聚的

40、现实挑战，新一轮科技革命和产业变革加速演进，推动全球城市体系加快重构，对城市创新驱动提出更高要求；我国经济发展空间结构发生深刻变化，中心城市和城市群正在成为承载发展要素的主要空间形式，对城市间协调发展提出更高要求；生态文明建设仍处于攻坚阶段，协同推进经济发展和环境保护更加紧迫，对城市绿色转型提出更高要求；经济全球化遭遇更多逆风和回头浪，国际经贸规则重塑，对城市全面开放提出更高要求；新冠肺炎疫情影响广泛深远，人口老龄化程度持续加深，各类矛盾风险进入高发易发阶段，对城市共建共治共享提出更高要求。存在多元交织的瓶颈制约，城市经济地理与高质量发展存在结构性矛盾，人口和经济规模逼近城市空间承载上限，综合

41、承载力亟需提高；城市功能体系与高水平营城存在结构性矛盾，功能分布不均衡、结构不合理，高端资源要素集聚转化存在瓶颈；城市内在动力与高能级极核引领存在结构性矛盾，新旧动能接续转换不畅，改革活力有待进一步释放；城市空间布局与高品质生活存在结构性矛盾，生产生活生态融合不够，人口结构优化进程缓慢；城市治理体系与高效能治理存在结构性矛盾，治理能力难以适应日益增长的经济规模和人口需要，城市安全有序运转存在隐患。面向未来，全市上下要把握趋势规律、发扬斗争精神，在透过复杂现象看清问题本质中谋定发展战略，在把握短期波动和长期趋势中调整发展战术，在增创竞争优势和有效化解风险挑战中赢得战略主动，为全面建设社会主义现代

42、化国家贡献更大成都力量。有机衔接新时代成都“三步走”战略目标，力争到2035年，高水平实现社会主义现代化，创新型城市建设进入世界先进行列，成为美丽中国建设实践范例，世界文化名城影响力显著提升。基本公共服务、基础设施、人民生活达到东部地区水平，共同富裕走在全国前列，超大城市治理体系和治理能力现代化基本实现，成为具有国际影响力的活跃增长极和强劲动力源，全面建成践行新发展理念的公园城市示范区、泛欧泛亚有重要影响力的国际门户枢纽城市。到2050年，建成泛欧泛亚区域性的经济中心、科技创新中心、金融中心、贸易中心、文化中心，成为创新驱动、全龄友好、生活富裕、生态宜居的公园城市样板，全面建成社会主义现代化新

43、天府，成为充分体现中国特色、时代特征、成都特质的可持续发展世界城市。三、 培育比较优势突出的现代化开放型产业体系坚持以高能级产业生态圈建设为牵引，以产业功能区高质量发展为支撑，深化经济组织方式创新，加快建设创新驱动、集约高效的现代化开放型产业体系，提高经济发展质效。（一）建设高能级产业生态圈坚持高效协同、开放共享，持续推进产业链、创新链、人才链、供应链、金融链交互增值，加快形成以要素资源集约集成、产业配套合作紧密、生产生活生态协调、全球市场供应供销便捷为竞争优势的区域经济新形态。健全生态圈供应链体系，强化供应链安全管理，完善从研发设计、生产制造到售后服务的全链条供应体系，提高全球供应链协同和配

44、置资源能力。创新生态圈招商模式，围绕重大产业强链补链，策划布局一批功能性项目，引进培育一批领军型企业，深化产业链垂直整合和产业协同联动。优化生态圈管理运营，推动产业生态圈联盟建设，引导各类资源要素实现自由流动，全面增强产业生态圈产业和要素承载能力。（二）建设高水平产业功能区坚持集约节约、职住平衡，持续增强功能区发展动力、专业水平、集聚效应，构筑城市动能转换、产业集群发展、服务创新提能的空间载体。加快打造高品质科创空间，聚焦产业细分领域强化产业基础能力建设，完善生产配套、生活服务和政务服务体系，打造产业资源集聚平台与价值创造平台。推动现代产业集群集聚发展，培育电子信息、装备制造万亿级产业集群，生

45、物医药、新能源、新材料、绿色环保等战略性新兴产业集群，科技、金融、流通、信息等生产性服务业集群，北斗星链、合成生物、空天技术等未来产业集群，推进先进制造业和现代服务业深度融合，加快建设国家新一代人工智能创新发展试验区。提升专业化运营水平，开展法定机构试点，因地制宜赋予土地开发、规划建设、项目促建等方面自主权，建立优胜劣汰、以产出水平论英雄的管理考核机制。（三）建设国际消费中心城市加快推动消费场景营造、生态构建、政策创新、能力建设和产业升级，打造国际消费创新创造中心、服务中心、文化中心、资源配置中心和品质中心。创新消费供给，促进线上线下消费融合，提升传统消费，培育智慧消费、数字消费等新型消费，适当增加公共消费，积极发展绿色消费、夜间消费等特色消费。持续提升春熙路商圈发展能级，加快建设交子公园商圈、西部国际博览城商圈、天府空港新城商圈，试点商圈和特色商业街负面清单管理，推动消费基础设施数字化、智能化升级。营造绿色健康、开放包容消费环境，构建供需匹配、多方互利、多元互助的消费制度体系。培育与国际接轨的高端商品消费链和商业集群，在全球范围内配置消费资源、布局市场网络，擦亮“成都消