淮安MOSFET功率器件项目投资计划书【模板范文】.docx

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1、泓域咨询/淮安MOSFET功率器件项目投资计划书淮安MOSFET功率器件项目投资计划书xx集团有限公司目录第一章 项目概况9一、 项目概述9二、 项目提出的理由11三、 项目总投资及资金构成13四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标14六、 项目建设进度规划14七、 环境影响14八、 报告编制依据和原则15九、 研究范围15十、 研究结论16十一、 主要经济指标一览表16主要经济指标一览表16第二章 市场分析19一、 功率器件应用发展机遇19二、 中国半导体行业发展概况23三、 功率半导体市场规模与竞争格局24第三章 项目背景、必要性26一、 功率MOSFET的行业发展趋势26二

2、、 MOSFET器件概述27三、 全球半导体行业发展概况32四、 彰显绿色生态优势，加快建设美丽淮安32五、 增强自主创新能力，加快建设创新淮安35六、 项目实施的必要性36第四章 项目投资主体概况38一、 公司基本信息38二、 公司简介38三、 公司竞争优势39四、 公司主要财务数据41公司合并资产负债表主要数据41公司合并利润表主要数据42五、 核心人员介绍42六、 经营宗旨44七、 公司发展规划44第五章 产品方案分析46一、 建设规模及主要建设内容46二、 产品规划方案及生产纲领46产品规划方案一览表46第六章 项目选址分析48一、 项目选址原则48二、 建设区基本情况48三、 项目选

3、址综合评价53第七章 法人治理结构54一、 股东权利及义务54二、 董事59三、 高级管理人员63四、 监事65第八章 运营模式67一、 公司经营宗旨67二、 公司的目标、主要职责67三、 各部门职责及权限68四、 财务会计制度72第九章 SWOT分析79一、 优势分析（S）79二、 劣势分析（W）81三、 机会分析（O）81四、 威胁分析（T）82第十章 原辅材料及成品分析90一、 项目建设期原辅材料供应情况90二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理90第十一章 技术方案分析92一、 企业技术研发分析92二、 项目技术工艺分析95三、 质量管理96四、 设备选型方案97主要设备购置一览表98

4、第十二章 项目节能说明99一、 项目节能概述99二、 能源消费种类和数量分析100能耗分析一览表101三、 项目节能措施101四、 节能综合评价102第十三章 组织机构、人力资源分析104一、 人力资源配置104劳动定员一览表104二、 员工技能培训104第十四章 劳动安全生产分析107一、 编制依据107二、 防范措施108三、 预期效果评价114第十五章 项目环保分析115一、 环境保护综述115二、 建设期大气环境影响分析115三、 建设期水环境影响分析116四、 建设期固体废弃物环境影响分析117五、 建设期声环境影响分析117六、 环境影响综合评价118第十六章 投资计划方案119一

5、、 编制说明119二、 建设投资119建筑工程投资一览表120主要设备购置一览表121建设投资估算表122三、 建设期利息123建设期利息估算表123固定资产投资估算表124四、 流动资金125流动资金估算表126五、 项目总投资127总投资及构成一览表127六、 资金筹措与投资计划128项目投资计划与资金筹措一览表128第十七章 经济效益及财务分析130一、 基本假设及基础参数选取130二、 经济评价财务测算130营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表132利润及利润分配表134三、 项目盈利能力分析135项目投资现金流量表136四、 财务生存能力分析138五、 偿债能

6、力分析138借款还本付息计划表139六、 经济评价结论140第十八章 项目招标方案141一、 项目招标依据141二、 项目招标范围141三、 招标要求141四、 招标组织方式142五、 招标信息发布145第十九章 风险评估146一、 项目风险分析146二、 项目风险对策148第二十章 总结150第二十一章 附表附件151建设投资估算表151建设期利息估算表151固定资产投资估算表152流动资金估算表153总投资及构成一览表154项目投资计划与资金筹措一览表155营业收入、税金及附加和增值税估算表156综合总成本费用估算表157固定资产折旧费估算表158无形资产和其他资产摊销估算表159利润及利

7、润分配表159项目投资现金流量表160第一章 项目概况一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：淮安MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xx集团有限公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xxx（以选址意见书为准）5、项目联系人：范xx（二）主办单位基本情况公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司不断推动企业品牌建设，

8、实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战，企业遇到的

9、困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，

10、细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 （三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约89.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于

11、功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。主要经济指标增幅位居全省前列，经济总量超过5000亿元，实现全国百强县零的突破。高水平全面建成小康社会成果全方位巩固，在全面建设社会主义现代化新征程上迈出坚实步伐，“创新淮安、开放淮安、美丽

12、淮安、幸福淮安”建设由宏伟蓝图变成美好现实，“绿色高地、枢纽新城”打造展现蓬勃生机，长三角北部重要中心城市地位基本确立。建设要素涌动、活力迸发的“创新淮安”。构建“333”主导产业体系，主导产业地位更加凸显，农业基础更加稳固，产业基础高级化和产业链现代化水平有效提升，产业链与创新链有效对接、深度融合，自主创新能力不断增强，主要创新指标后来居上，创新驱动、融合发展的现代产业体系逐步形成，建成国家创新型城市。经济体制改革牵引作用充分发挥，重要领域和关键环节改革取得重大突破，全面深化改革形成更多全省全国有影响的“淮安经验”。建设和合南北、通济江淮的“开放淮安”。推动长三角区域一体化、大运河文化带、淮

13、河生态经济带等重大战略在淮安加快落地转化，“空铁水公管”现代综合交通运输体系更趋完善，建成具有重要影响力的航空货运枢纽，长三角区域综合交通枢纽地位基本确立。各级开发园区、各类特色园区综合承载力与竞争力显著增强，台资集聚示范区功能效应更加彰显，开放型经济迈上新台阶，在以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局中培育形成更多新增长极。建设清新疏朗、自然水韵的“美丽淮安”。全域国土空间开发保护格局明显优化，中心城市品质和首位度全面提高，城乡区域发展协调性明显增强，生产生活方式绿色低碳转型成效显著，生态环境质量不断改善，生态系统质量稳步提升，生态环境质量改善目标达到省定要求，生态文明理念深

14、入人心，创建国际湿地城市、美丽江苏建设示范市取得重要成果，“水懂我心、自然淮安”全域旅游品牌更有影响力，生态文旅水城特色更加彰显，成为江苏美丽中轴和绿心地带的明星城市。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资42513.20万元，其中：建设投资32345.00万元，占项目总投资的76.08%；建设期利息801.71万元，占项目总投资的1.89%；流动资金9366.49万元，占项目总投资的22.03%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资42513.20万元，根据资金筹措方案，xx集团有限公司计划自筹资金（资本金）2

15、6151.79万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额16361.41万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：85100.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：72101.64万元。3、项目达产年净利润（NP）：9482.01万元。4、财务内部收益率（FIRR）：14.41%。5、全部投资回收期（Pt）：6.84年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：38498.88万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七、 环境影响本项目的建设符合国家的

16、产业政策，该项目建成后落实本评价要求的污染防治措施，认真履行“三同时”制度后，各项污染物均可实现达标排放，且不会降低评价区域原有环境质量功能级别。因而从环境影响的角度而言，该项目是可行的。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全

17、卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。九、 研究范围按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。十、 研究结论经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划

18、及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积59333.00约89.00亩1.1总建筑面积121683.171.2基底面积37379.791.3投资强度万元/亩352.602总投资万元42513.202.1建设投资万元32345.002.1.1工程费用万元27835.462.1.2其他费用万元3756.932.1.3预备费万元752.612.2建设期利息万元801

19、.712.3流动资金万元9366.493资金筹措万元42513.203.1自筹资金万元26151.793.2银行贷款万元16361.414营业收入万元85100.00正常运营年份5总成本费用万元72101.646利润总额万元12642.687净利润万元9482.018所得税万元3160.679增值税万元2963.9710税金及附加万元355.6811纳税总额万元6480.3212工业增加值万元22558.8813盈亏平衡点万元38498.88产值14回收期年6.8415内部收益率14.41%所得税后16财务净现值万元3870.85所得税后第二章 市场分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽

20、车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充

21、电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省

22、份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7k

23、W，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充

24、电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，

25、预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射

26、频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。

27、5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 中国半导体

28、行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来

29、十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（

30、ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。第三章 项目背景、必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进

31、步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MO

32、SFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于

33、产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模

34、块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024

35、年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、

36、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪

37、七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺

38、寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOS

39、FET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调

40、制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根

41、据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代

42、空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的

43、新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。四、 彰显绿色生态优势，加快建设美丽淮安围绕充分彰显空间形态、自然生态、宜居城市、田园风光、特色人文、绿色发展之美，塑造清新、自然、疏朗的城市气质和留得住记忆、记得住乡愁的乡村特质，争创美丽江苏建设示范市，把淮安建设成为更具魅力、更加迷人的江苏美丽中轴和绿心地带的明星城市。（一）强化空间特色塑造，优化市域空间布局深入实施主体功能区战略，完善科学适度有序的市域国土空间布局体系，提高国土空间开发利用效率，构建高质量发展的国土空间布局和支撑体系。1、深化落实主体功能区战略发挥主体功能区作为国土空

44、间开发保护基础制度的作用，整体谋划新时代国土空间开发保护格局，促进区域协调、城乡融合发展。在资源环境底线约束、资源环境承载力和国土空间开发适宜性评价基础上，科学有序布局生态、农业、城镇空间，统筹划定生态保护红线、永久基本农田、城镇开发边界三条控制线，形成国土空间开发保护“一张图”。2、优化城乡发展空间体系优化城乡发展空间布局，构建“1-2-10-20”的市域城镇空间结构体系，形成重点突出、特色明显、城乡融合、乡村振兴的城镇结构体系。3、构建绿色高效国土空间结构遵循空间高质量管控、重大战略引领、可持续发展的发展思路，规划形成“两带三片区、一核一走廊”的全域空间结构体系。4、提升国土空间开发利用效

45、率强化国土空间开发管控，推进城市功能配置、空间布局和基础设施的统筹衔接，加强分类指导，对不同类别产业项目实行差别化市场准入政策。（二）展现功能品质魅力，建设美丽宜居城市尊重城市发展规律，统筹生产、生活、生态三大空间布局，协调城市景观风貌，完善基础设施和公共服务配套，持续增强中心城区辐射带动力，大幅提升县城综合承载力。1、优化提升中心城区功能持续优化中心城区空间格局。围绕打造淮安大都市区目标，规划形成“一带两心、两轴九片”的空间结构。2、强化县城承载能力支撑按照与中心城市功能互补、做大做强县域经济的原则，明确差异化发展导向，引导生产要素和优势资源向县城有序集中。推进洪泽区和涟水县提升自身综合竞争

46、力，与淮安主城区联动发展，形成与中心城区互动并进的发展格局，实现“淮洪涟一体化”，打造淮安都市区核心区。加快县城区建设，推动涟水、盱眙、金湖三个县城的老城改造和新城建设，推进人口集聚、城区合理扩张和内涵发展，提升功能配套水平、增强集聚带动能力。继续实行“一县一策”，进一步理顺行政管理体制机制，完善对县域社会经济发展综合考核体系，鼓励涟水在副城区建设、盱眙在宁淮合作、金湖在生态资源价值转化方面先行先试，不断提升县域经济综合竞争力，构建各具特色的经济板块和主导产业集群。五、 增强自主创新能力，加快建设创新淮安大力弘扬以改革创新为核心的时代精神，积极发展特色产业，培育发展战略性新兴产业，超前布局未来产业，注重错位发展、以特取胜，深入推进以思维创新、产业创新、科技创新、模式创新、体制创新等为重点的集成创新，打响淮安品牌、彰显淮安元素、激发淮安活力。坚持创新核心地位，突出以创新赋能产业发展，加速集聚创新资源要素，完善科技创新体制机制，全面促进创新链与产业链双向融合，