武汉MOSFET功率器件项目实施方案_范文参考.docx

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1、泓域咨询/武汉MOSFET功率器件项目实施方案武汉MOSFET功率器件项目实施方案xxx有限公司目录第一章 市场分析8一、 MOSFET器件概述8二、 中国半导体行业发展概况12第二章 项目概述14一、 项目名称及建设性质14二、 项目承办单位14三、 项目定位及建设理由15四、 报告编制说明16五、 项目建设选址18六、 项目生产规模18七、 建筑物建设规模18八、 环境影响19九、 项目总投资及资金构成19十、 资金筹措方案19十一、 项目预期经济效益规划目标20十二、 项目建设进度规划20主要经济指标一览表21第三章 建筑技术方案说明23一、 项目工程设计总体要求23二、 建设方案24三

2、、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表27第四章 选址方案分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 坚持创新第一动力，建设国家科技创新中心31四、 坚持更大力度改革，打造营商环境最优城市33五、 项目选址综合评价36第五章 法人治理结构37一、 股东权利及义务37二、 董事42三、 高级管理人员46四、 监事48第六章 SWOT分析50一、 优势分析（S）50二、 劣势分析（W）51三、 机会分析（O）52四、 威胁分析（T）53第七章 技术方案59一、 企业技术研发分析59二、 项目技术工艺分析62三、 质量管理63四、 设备选型方案64主要设备购置一览表65第八章 安

3、全生产67一、 编制依据67二、 防范措施68三、 预期效果评价71第九章 原辅材料供应、成品管理72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十章 项目规划进度74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十一章 组织架构分析76一、 人力资源配置76劳动定员一览表76二、 员工技能培训76第十二章 投资估算79一、 投资估算的依据和说明79二、 建设投资估算80建设投资估算表82三、 建设期利息82建设期利息估算表82四、 流动资金84流动资金估算表84五、 总投资85总投资及构成一览表85六、 资金筹措与投资计划86

4、项目投资计划与资金筹措一览表87第十三章 经济效益分析88一、 基本假设及基础参数选取88二、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表90利润及利润分配表92三、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表94四、 财务生存能力分析95五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97六、 经济评价结论97第十四章 项目招投标方案99一、 项目招标依据99二、 项目招标范围99三、 招标要求100四、 招标组织方式102五、 招标信息发布102第十五章 项目总结103第十六章 附表附件105主要经济指标一览表105建设投资估算表106建设期利息估算表107固定资产

5、投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表116本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 市场分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFE

6、T器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。

7、根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，

8、市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实

9、际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在

10、器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与7

11、3.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统

12、计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1

13、700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下

14、，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整

15、中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。第二章 项目概述一、 项目名称及建设性质（一）项目名称武汉MOSFET功率器件项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx有限公司（二）项目联系人曹xx（三）项目建设单位概况经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续

16、改进，以技术领先求发展的方针。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态，公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探

17、索，提升企业综合实力，配合产业供给侧结构改革。同时，公司注重履行社会责任所带来的发展机遇，积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来，公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。三、 项目定位及建设理由公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功

18、率普遍在120kW左右。“十四五”时期我市经济社会发展主要目标。紧紧围绕国家中心城市、长江经济带核心城市和国际化大都市总体定位，加快打造全国经济中心、国家科技创新中心、国家商贸物流中心、国际交往中心和区域金融中心，努力建设现代化大武汉，即打造“五个中心”、建设现代化大武汉。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国家建设方针，政策和长远规划；2、项目建议书或项目建设单位规划方案；3、可靠的自然，地理，气候，社会，经济等基础资料；4、其他必要资料。（二）报告编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行

19、稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7

20、、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。（二） 报告主要内容本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和

21、建设提供可靠和准确的依据。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx，占地面积约45.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积58637.82，其中：生产工程37149.84，仓储工程10368.54，行政办公及生活服务设施7148.55，公共工程3970.89。八、 环境影响本期工程项目符合当地发展规划，选用生产工艺技术成熟可靠，符合当地产业结构调整规划和国家的产业发展政策；项目建成投产后，在全面采取各项污染防

22、治措施和加强企业环境管理的前提下，对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，所以，本期工程项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资25791.64万元，其中：建设投资19940.75万元，占项目总投资的77.31%；建设期利息547.93万元，占项目总投资的2.12%；流动资金5302.96万元，占项目总投资的20.56%。（二）建设投资构成本期项目建设投资19940.75万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费

23、用17078.58万元，工程建设其他费用2369.67万元，预备费492.50万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资25791.64万元，其中申请银行长期贷款11182.24万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：59700.00万元。2、综合总成本费用（TC）：47342.99万元。3、净利润（NP）：9049.30万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.36年。2、财务内部收益率：27.47%。3、财务净现值：15133.30万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和

24、实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30000.00约45.00亩1.1总建筑面积58637.821.2基底面积18900.001.3投资强度万元/亩432.202总投资万元25791.642.1建设投资万元19940.752.1.1工程费用万元17078.582.1.2其他费用万元2369.672.1.3预备费万元492.502.2建设期利息万元547.932.3流动资金万元5302.963

25、资金筹措万元25791.643.1自筹资金万元14609.403.2银行贷款万元11182.244营业收入万元59700.00正常运营年份5总成本费用万元47342.996利润总额万元12065.737净利润万元9049.308所得税万元3016.439增值税万元2427.3310税金及附加万元291.2811纳税总额万元5735.0412工业增加值万元19092.4313盈亏平衡点万元20540.18产值14回收期年5.3615内部收益率27.47%所得税后16财务净现值万元15133.30所得税后第三章 建筑技术方案说明一、 项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需要，本项目工程建

26、设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的标准为保证

27、建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。1、工业企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体

28、采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用

29、烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制

30、室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，危机人身安全、

31、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积58637.82，其中：生产工程37149.84，仓储工程10368.54，行政办公及生活服务设施7148.55，公共工程3970.89。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工

32、程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程10584.0037149.844882.341.11#生产车间3175.2011144.951464.701.22#生产车间2646.009287.461220.591.33#生产车间2540.168915.961171.761.44#生产车间2222.647801.471025.292仓储工程4914.0010368.54932.022.11#仓库1474.203110.56279.612.22#仓库1228.502592.14233.002.33#仓库1179.362488.45223.682.44#仓库1031.942177.39195.72

33、3办公生活配套1311.667148.551046.573.1行政办公楼852.584646.56680.273.2宿舍及食堂459.082501.99366.304公共工程2079.003970.89431.93辅助用房等5绿化工程4419.0077.52绿化率14.73%6其他工程6681.0030.557合计30000.0058637.827400.93第四章 选址方案分析一、 项目选址原则所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其他特别需要保护的环境敏感性目标。项目建设区域地理条件较好，基础设施等配套较为完善，并且具有足够的发展潜力。二、 建设区基本情况武汉，简称“汉”，

34、俗称“江城”，位于中国中部、湖北省东部、长江与汉江交汇处，是国家历史文化名城，中国中部地区的中心城市，是全国重要的工业基地、科教基地和综合交通枢纽，是湖北省省会。地理位置为北纬29583122，东经1134111505。在平面直角坐标上，武汉市东西最大横距134千米，南北最大纵距约155千米，形如一只自西向东翩翩起舞的彩蝶。武汉的最东边在新洲区徐古街将军山村，最西边在蔡甸区侏儒街国光村，最南边在江夏区湖泗街均堡村，最北边在黄陂区蔡店街李冲村。长江、汉江纵横交汇通过市区，形成了武昌、汉口、汉阳三镇鼎立的格局，通称武汉三镇。2019年，辖江岸、江汉、硚口、汉阳、武昌、青山、洪山、蔡甸、江夏、黄陂、

35、新洲、东西湖、汉南13个行政区及武汉经济技术开发区（汉南区）、东湖新技术开发区、东湖生态旅游风景区、武汉化学工业区（2018年与青山区合并）、武汉临空港经济技术开发区（东西湖区）和武汉新港等6个功能区。区下辖156个街道办事处、1个镇、3个乡、2个办事处。全市群众自治组织3214个，其中，社区居委会1409个，村民委员会1805个。全市土地面积8569.15平方千米，建城区面积812.39平方千米。展望2035年，国家中心城市全面建成，长江经济带核心城市作用充分发挥，国际化大都市功能明显增强，基本建成现代化大武汉。全市经济实力、科技实力、综合竞争力大幅跃升，经济总量和城乡居民人均收入迈上新的大

36、台阶，创新型城市走在全国前列，市场枢纽功能和对外开放水平大幅提升，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化基本实现，现代化经济体系基本形成；基本实现超大城市治理体系和治理能力现代化，市民平等参与、平等发展权利得到充分保障，基本建成法治武汉、法治政府、法治社会；建成文化强市、教育强市、人才强市、健康武汉，平安武汉建设达到更高水平；市民素质和社会文明程度达到新高度，城市文化软实力显著增强；绿色生产生活方式广泛形成，生态环境质量根本好转，成为“美丽中国”典范城市；中等收入群体显著扩大，基本公共服务实现均等化，城乡融合发展达到较高水平，人的全面发展、全市人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 坚持创

37、新第一动力，建设国家科技创新中心坚持把创新摆在事关发展全局的核心位置，围绕“四个面向”，深入实施科教兴市、人才强市、创新驱动发展战略，围绕产业链部署创新链，围绕创新链布局产业链，疏通基础研究、应用基础研究和产业化双向链接快车道，完善全域创新体系，打造具有全国影响力的科技创新中心。（一）创建东湖综合性国家科学中心以东湖国家自主创新示范区为引领，加强基础研究和应用基础研究，提高创新链整体效能，使武汉成为国家战略科技力量布局中的战略要地。加快推进东湖科学城建设，高水平打造光谷科技创新大走廊核心承载区。加快建设东湖实验室，布局光电科技、集成电路、空天信息、生命健康、生物育种等省级实验室，积极争创国家实

38、验室。加快构建重大科技基础设施群，提升脉冲强磁场、精密重力测量等设施建设水平，谋划建设多模态跨尺度生物医学成像设施、第四代同步辐射光源（武汉光源）、磁阱型氘氘聚变中子源预研装置、作物表型组学研究（神龙）设施、农业微生物、深部岩土工程扰动模拟设施等一批新的重大科技基础设施。提升高校院所创新能力，推进科研院所、高校、企业科研力量优化配置和资源共享，积极参与国际大科学计划和大科学工程。（二）打造产业创新高地促进创新要素向企业集聚，引导鼓励企业提升自主创新能力，加快构建以企业为主体、市场为主导的产业创新体系。加大对企业科研攻关支持力度，培育一批掌握本领域先进核心技术、引领行业发展的领军型龙头企业，引导

39、中小微企业向“专精特新”发展，打造一批隐形冠军企业。加强共性技术平台建设，争创更多国家产业创新中心、国家制造业创新中心、国家技术创新中心等国家级创新平台，促进各类“双创”平台专业化、精细化升级发展。实施关键核心技术攻关，支持企业牵头组建创新联合体，承担国家重大科技项目，发展自主可控技术，打造一批“国之重器”。（三）打造创新人才集聚高地深化人才发展体制机制改革和政策创新，完善人才工作体系，建设新时代人才活力之城。突出“高精尖缺”导向，坚持市场化社会化育才引才用才，实施助企引才工程，培育引进一批战略科技人才、产业领军人才、青年科技人才和高水平创新团队。实施院士专家引领十大高端产业发展计划，搭建高水

40、平科技人才干事创业舞台。实施学子留汉工程，打造“大学之城、青年之城、梦想之城”。实施技能人才培育工程，壮大高水平工程师和高技能人才队伍。围绕“人才链”完善“服务链”，优化人才创新创业环境，建设国际人才自由港。（四）打造科技成果转化高地创新科技成果转化机制，推动“政产学研金服用”一体化高效协同，实现大学校区、产业园区、城市社区“三区”融合发展。改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅”等制度。深化科技成果转化“四权”改革，完善科技评价制度，扩大科研院所科研自主权。加快发展“四不像”新型研发机构，促进高校院所科技成果在汉转化，加快建设湖北技术交易大市场，打造全国技术转移枢纽。加强知识产权保护与应用

41、，争取设立武汉知识产权法院。大力弘扬科学精神和工匠精神，加强科普工作，建立完善科技创新容错纠错机制，营造鼓励创新、宽容失败的良好氛围。四、 坚持更大力度改革，打造营商环境最优城市坚持以经济体制改革为重点全面深化改革，充分发挥市场在资源配置中的决定性作用，推动有效市场和有为政府更好结合。（一）激发各类市场主体活力坚持两个“毫不动摇”，培育更多充满活力的市场主体。深化国资国企改革，加快国有经济布局优化和结构调整，做强做优做大国有资本和国有企业。推进区域性国资国企综合改革试验，深化混合所有制改革，实现资源集约整合，推动竞争性资源整体上市。坚持加强党的领导和完善公司治理相统一，加快完善现代企业制度。完

42、善以管资本为主的国资管理体制，推动国有资本投资、运营公司更好发挥作用。全面推进民营经济高质量发展，坚决破除制约市场公平竞争的各类障碍和隐性壁垒，完善促进民营经济发展的法律环境和政策体系。促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长，依法平等保护民营企业产权和企业家权益。（二）推进要素市场化配置改革争取要素市场化配置综合改革试点，加快推进土地、劳动力、资本、技术、数据等要素市场化配置改革。健全公平竞争审查机制，加强反不正当竞争执法，保障各种所有制主体依法平等使用资源要素。建立健全城乡统一的建设用地市场，深化产业用地市场化配置改革，实施新型工业用地（M0）政策，完善“标准地”制度，健全长期租

43、赁、先租后让、弹性年期供应、作价出资（入股）等工业用地市场供应体系。深化农村宅基地制度改革试点，深入推进建设用地整理，完善城乡建设用地增减挂钩政策体系。加快培育数据要素市场，提升社会数据资源价值，支持构建规范化数据开发利用场景。（三）加快建设区域金融中心深化武汉城市圈科技金融改革创新试验区建设。大力发展创投风投、产业金融、股权投资、金融科技等创新业态，完善融资对接服务平台，强化金融支持实体经济功能。深化投贷联动试点，大力推广科保贷，完善政策性融资担保服务体系，建设全国一流科技保险示范区，争创国家保险创新示范区。发展混合所有制金融组织，做强做大一批总部金融机构和头部金融企业。实施上市企业倍增计划

44、，完善以股权、债权、金融资产交易为主的要素交易市场体系，支持武汉股权托管交易中心争取“四板”创新试点，提高直接融资比重。积极引进境外金融机构和战略投资者，大力拓展涉外投融资业务，提高金融国际化水平。（四）持续优化营商环境深化“放管服”改革，转变政府职能，优化政府机构设置和职能配置。推进开发区（功能区）体制机制改革。进一步优化审批流程，持续推进“五减五通”。加快推进数字政府建设，推动新一代信息技术在政务服务领域应用，实现数据跨层级、跨地区、跨系统、跨部门、跨业务共享，推进政务服务“一网通办”、城市运行“一网统管”。实施涉企经营许可事项清单管理，加强事中事后监管，对新产业新业态新模式实行包容审慎监

45、管。推进政务服务标准化、规范化、便利化，深化政务公开。当好服务企业的“店小二”，完善“企呼我应”工作机制，构建企业全生命周期服务体系。健全营商环境投诉、处置、回应、监督机制，畅通市场主体反映问题渠道。构建“亲”“清”新型政商关系，塑造重商、亲商、富商、暖商的文化氛围。五、 项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物。供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从项目选址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的项目选址选择是科学合理的。第五章 法人治理结构一、 股东权利及义务股东按其所持有股份的种类享有权利，承担义务；持有同一种类股份的股东，享有同等权利，承担同种义务。股东为单位的，股东单位内部对公司收购、出售资产、对外担保、对外投资等事项的决策有相关规定的，公司不得以股东单位决策程序取代公司的决策程序，公司应依据公司章程及公司制定的相关制度确定决策程序。股东单位可自行履行内部审批流程后由其代表依据公司法、公司章程及公司相关制度参与公司相关事项的审议、表决与决策。1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获